Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
Micron розширює виробництво у Вірджинії, щоб у чотири рази збільшити випуск DDR4
Micron інвестує близько 2 млрд доларів США у модернізацію підприємства у Вірджинії, з яких 275 млн доларів США надійшли від американської влади в рамках «Закону про чипи».
Нові лінії дозволять компанії використовувати техпроцес 1α, що підвищує щільність транзисторів на 40% порівняно з попереднім поколінням і обходиться дешевшою DUV‑літографією замість дорогого EUV.
Випуск DDR4 на нових лініях стартує до кінця 2026 року. Це важливий крок, адже попит на DDR4 залишається високим у промисловості, телекомунікаціях, обороні та навіть авіакосмічній сфері, попри те що споживчий і серверний сегменти вже переходять на DDR5. Micron планує протягом наступних 20 років інвестувати близько 200 млрд доларів США у розширення виробництва в США, зокрема у Нью‑Йорку та Айдахо, а у Вірджинії також буде розташоване підприємство з пакування HBM‑пам’яті.
tomshardware.com
Павлик Олександр
Колишній топ‑менеджер Samsung прогнозує кінець дефіциту пам’яті завдяки китайським DRAM
Кхе Хьон Кьонг, екс‑керівник Samsung Electronics, заявив на форумі NAEK у Південній Кореї, що інвестиції китайських компаній у виробництво DRAM можуть зняти глобальний дефіцит вже у 2027–2028 роках.
За його словами, ціни на оперативну пам’ять почнуть падати з другої половини 2027 року, коли виробничі потужності Китаю досягнуть шести мільйонів пластин на місяць.
Нині 70% ринку контролюють Samsung та SK Hynix у Кореї, а також Micron у США. Вихід CXMT та YMTC на глобальний рівень може зруйнувати монополію трьох гігантів і знизити ціни для споживачів та бізнесу. Водночас експерт попередив, що інвестиції можуть скоротитися, якщо рентабельність вкладень у ШІ знизиться.
Постійне посилання на новинуCorsair почала використовувати китайську пам’ять CXMT у своїх DDR5 модулях Vengeance
Це перший випадок інтеграції DRAM від ChangXin Memory Technologies у продукцію глобального бренду, що свідчить про вихід китайських виробників на світовий ринок через дефіцит пам’яті.
Corsair зіткнулася з браком постачань від Samsung, SK Hynix та Micron, які переорієнтували виробництво на HBM та LPDDR5X для ШІ‑чипів. У результаті компанія використала DRAM від CXMT у модулі Vengeance обсягом 16 ГБ зі швидкістю 6000 MT/s та таймінгами CL36. Ідентифікатор модуля — CMK5X16G3E60C36A2‑CN.
CXMT активно нарощує виробництво DDR5, пропонуючи чипи на 16 та 24 Гб із швидкістю до 8000 MT/s. За характеристиками вони вже наближаються до рішень Samsung та SK Hynix. Водночас інші китайські виробники, такі як Jiahe Jinwei, збільшують випуск RDIMM для дата‑центрів.
Аналітики відзначають, що китайські компанії не лише покривають внутрішній попит, а й починають пропонувати дешевші альтернативи для глобальних брендів. CXMT та YMTC планують подвоїти виробничі потужності у рамках «Epic Expansion», що дозволить їм зайняти більшу частку ринку на тлі дефіциту пам’яті. Очікується, що на Computex 2026 буде представлено більше модулів із китайськими DRAM‑чипами.
Постійне посилання на новинуSamsung домовилась із працівниками та відклала страйк
Профспілка співробітників Samsung Electronics оголосила про призупинення страйку, який мав розпочатися цього тижня.
Це стало можливим після досягнення попередньої угоди з керівництвом компанії щодо винагород. Переговори тривали кілька днів і неодноразово зривалися, але врешті сторони погодилися на нові умови.
Працівники вимагали перегляду системи премій, адже були незадоволені різницею у виплатах порівняно з конкурентом SK hynix та внутрішнім розподілом бонусів між підрозділами Samsung. Компанія погодилася скасувати 50‑відсоткове обмеження на преміальні виплати, прив’язати їх до операційного прибутку та закріпити зміни у контрактах.
Згідно з документом профспілки, Samsung виділить близько 10,5% від узгоджених показників ефективності бізнесу на спеціальні премії для виробничих підрозділів. Виплати здійснюватимуться акціями компанії протягом щонайменше 10 років.
Заплановане голосування щодо угоди відбудеться з 22 по 27 травня. Лідер профспілки Чхве Син Хо заявив, що очікує схвалення домовленості більшістю членів.
Страйк міг би серйозно вплинути на економіку Південної Кореї та глобальні поставки мікросхем пам’яті, особливо на тлі високого попиту з боку індустрії ШІ. Центральний банк країни прогнозував, що акція протесту могла б знизити зростання економіки на 0,5 процентного пункту.
Постійне посилання на новинуASUS анонсувала DDR5 ROG пам’ять для ентузіастів
ASUS увійшла на ринок оперативної пам’яті з першим комплектом DDR5 під брендом Republic of Gamers.
Модулі створені у співпраці з BIWIN і виконані у чорній та червоній кольоровій схемі з золотими акцентами на честь 20‑річчя ROG. Виробник рекомендує використовувати їх разом із ювілейною материнською платою ROG Crosshair X870E 2006 Edition.
Комплект має обсяг 48 ГБ (2×24 ГБ), працює на частоті DDR5‑6000 із таймінгами 26‑36‑36‑76 та підтримує профілі AMD EXPO і Intel XMP. Додано режим «ROG Mode», який оптимізує роботу на платах ROG Crosshair, Maximus та Strix. Модулі оснащені ARGB‑підсвіткою з підтримкою Aura Sync через Armoury Crate.
ASUS також оголосила програму ROG‑certified memory, яка дозволить іншим виробникам DDR5 випускати модулі з підтримкою ROG Mode та Aura Sync.
У Китаї новинка коштує 5 999 юанів, що дорівнює приблизно 880 доларів США.
videocardz.com
Павлик Олександр
Китайський бренд POWEV виходить на ринок DDR5 із модулями UDIMM, SODIMM та RDIMM
Китайський бренд POWEV виходить на ринок DDR5 із модулями UDIMM, SODIMM та RDIMM обсягом до 64 ГБ і швидкістю 4800–5600 MT/s.
Це підбренд компанії Jiahe Jinwei, який почав масове виробництво пам’яті DDR5 та вже постачає модулі до дата‑центрів у Китаї.
POWEV розділяє свої продукти на «чисто внутрішні» модулі та «індустріальні», що означає використання різних джерел DRAM‑чипів: від китайського CXMT до корейських чи тайванських виробників. UDIMM та SODIMM доступні у варіантах до 32 ГБ, тоді як RDIMM можуть досягати 64 ГБ і підтримують ECC. Усі модулі працюють на напрузі 1,2 В та відповідають стандартам JEDEC.
Особливістю запуску є те, що Jiahe Jinwei не розкриває технологію виробництва DRAM, на відміну від Samsung чи SK hynix, які вказують покоління своїх техпроцесів. Це викликає питання щодо походження чипів, але для користувачів головним залишається відповідність стандартам і стабільність роботи.
Вихід POWEV на ринок збігається з глобальним дефіцитом DRAM, тому додаткові поставки можуть частково знизити тиск на ціни. Компанія вже постачає модулі у китайські дата‑центри, а найближчим часом планує розширення на споживчий сегмент.
techpowerup.com
Павлик Олександр
У Японії виявили підроблені модулі DDR5 SO DIMM із пластиковими «чипами» та фальшивими етикетками
Вони поширюються через онлайн‑майданчики, зокрема Yahoo Auctions та Mercari, і становлять ризик для покупців, особливо тих, хто купує вживану пам’ять.
Користувач X під ніком TAKI повідомив, що його знайомий придбав модуль DDR5 SO‑DIMM, який зовні виглядав справжнім.
Після розрізання одного з «чипів» з’ясувалося, що всередині немає кремнію — лише пластик або скловолокно. На платі також помітні ознаки підробки: округлені краї PCB, світліший колір текстоліту, інша форма PMIC та невідповідні маркування на корпусах «чипів».
Фальшиві модулі легше розпізнати у ноутбучній пам’яті, де чипи відкриті. У випадку десктопних DDR5 DIMM це складніше, адже більшість комплектів мають радіатори, які приховують PCB та пакети DRAM. Це робить купівлю вживаних або неперевірених комплектів ризикованою, якщо немає можливості порівняти їх із перевіреними фото за конкретним артикулом.
Подібні шахрайські випадки вже траплялися раніше: продавалися комплекти DDR5, які всередині містили старі DDR2 або DDR4 під «маскуванням» сучасних радіаторів. Виробники, зокрема Corsair, навіть змінювали пакування своїх модулів, щоб ускладнити підробки та шахрайські повернення.
videocardz.com
Павлик Олександр
Team Group додає модулі DDR5‑8000 у серії ELITE PLUS та ELITE DDR5
Team Group оголосила про розширення лінійки пам’яті ELITE PLUS DDR5 та ELITE DDR5 новими модулями, що працюють на частоті до 8000 MT/s при напрузі 1,1 В і таймінгах CL56‑56‑56‑128.
Новинки відповідають стандартам JEDEC і орієнтовані на користувачів, яким потрібна висока швидкість роботи при низькому енергоспоживанні.
Модулі DDR5‑8000 отримали технологію Same‑Bank Refresh та оптимізовану архітектуру IC, що забезпечує стабільність під час багатозадачності й підвищує ефективність системи.
Компанія планує випускати їх у вигляді комплектів 16 ГБ × 2. Старт продажів очікується у червні 2026 року на Amazon у Північній Америці.
Team Group позиціонує нові модулі як рішення для навчання, розваг та високопродуктивних сценаріїв, підкреслюючи зниження енергоспоживання та збільшення терміну служби ПК.
techpowerup.com
Павлик Олександр
Показати ще
