Комп'ютерні новини
Всі розділи
Збільшена ємність у 4 рази: 30-нм NAND-пам'ять 512 Гб від Samsung
Як повідомляють закордонні колеги, корейська компанія Samsung Electronics запропонувала перший у світі модуль флеш-пам'яті NAND (об'ємом 64 гігабіт), виконаний по 30-нм технології.
Ємність чіпа вчетверо більше ємності тих мікросхем, які випускаються сьогодні. Зараз в серійному виробництві аналогічних модулів використовується 50-нм технологія. Очікується, що серійне виробництво модулів пам'яті за новою технологією почнеться в 2009 році, при цьому ця продукція буде користуватися величезним попитом на ринку флеш-пам'яті - відповідно до звітів аналітиків, обсяги продажів мікрочипів ємністю 64 Гбіт і вище в 2009 - 2011 роках перевищать оцінку в 20 млрд. - досить перспективний ринок для виробників флеш-пам’яті.
Розробка заснована на технології MLC ( Multi-Level Cell), коли дані зберігаються в багаторівневих клітинках. Новий чіп об'ємом 8 ГБ дозволить створювати карти форматів SD або CF-II ємністю 128 ГБ (багаторівневі MLC-чіпи передбачається з'єднювать у модулі по 16 штук) або 1, 8-дюймові SSD-накопичувачі ємністю 512 ГБ, які складаються з 64 чіпів. Варто відзначити, що 128 ГБ еквівалентно близько 32 тис. музичним трекам або близько 80 фільмам в DVD-якості. Використовуватися вони будуть переважно для зберігання даних. Таким чином, новинка не буде конкурувати з більш швидкими SLC-чіпами від Samsung, які можуть використовуватися там, де потрібна висока швидкість роботи.
Всього 10 місяців назад, у січні цього року, компанія з не меншою радістю повідомляла про створення 16 Гбітного чіпу (тоді виробництво велося за технологією 50 нм). Більшість існуючих твердотілих дисків SSD мають об'єм не вище 80 Гбайт. Такі результати дійсно вражають.
