Комп'ютерні новини
Всі розділи
TSMC створила перший прототип мікросхеми з використанням 10-нм FinFET-технології
Компанія TSMC повідомила про успішне виробництво тестового зразка процесора ARM Cortex-A57 із застосуванням 10-нм FinFET-процесу. Незабаром почнеться стадія пробного виробництва на пілотній лінії. У другій половині 2016 року вона повинна перейти в стадію ризикового виробництва (risk production), після успішного закінчення якої стартує вже масове виробництво.
Перехід з норм 16-нм FinFET на 10-нм FinFET дозволяє збільшити кількість транзисторів на 110%. У плані продуктивності це означає збільшення частот на 20% при збереженні поточного енергоспоживання або ж зниження енергоспоживання на 40% при збереженні поточних частот.
Щоб налагодити виробництво TSMC потрібно буде вкласти близько $1 млрд. Однак інвестиції в модернізацію обладнання окуплять себе надалі, спростивши перехід на норми 7-нм техпроцесу та при освоєнні ще більш тонких технологій.
Відзначимо, що головні конкуренти TSMC також не гають часу даремно. Samsung уже представила 300-мм пластини з 10-нм чіпами усередині. Вона планує почати масовий їхній випуск уже в 2016 році. За неофіційним даними, Intel зможе перейти до масового виробництва 10-нм процесорів лише в 2017 році.
