Комп'ютерні новини
Всі розділи
Toshiba створила 16-шарову стекову NAND-пам'ять за допомогою технології TSV
Компанія Toshiba повідомила про успішне створення першого у світі 16-шарового чіпа NAND флеш-пам’яті. Для реалізації цього проекту була використана технологія Through Silicon Via (TSV), яка передбачає наявність спеціальних вертикальних електродів. Вони проходять через усю структуру, об’єднуючи всі використовувані ядра флеш-пам'яті в одне ціле.
У результаті такого підходу пропускна здатність (I/O data rate) перевищила 1 Гбіт/с, що вище показника будь-якої існуючої NAND-мікросхеми. При цьому робоча напруга становить 1,2 – 1,8 В (залежно від фізичного розміщення ядер), а зниження споживаної потужності при операціях читання та запису досягає 50%.
Перші прототипи нової стекової пам'яті компанії Toshiba характеризуються загальним обсягом 128 ГБ (8 шарів) і 256 ГБ (16 шарів) при висоті 1,35 і 1,9 мм відповідно. На думку розробників, вони відмінно підходять для використання в різних сферах: від масових користувацьких пристроїв до високопродуктивних SSD-дисків корпоративного класу завдяки низьким затримкам, високій пропускній здатності та відмінній енергоефективності.
