SSD-накопичувачі Samsung 850 EVO з 3-бітною флеш-пам'яттю 3D V-NAND

Компанія Samsung презентувала лінійку SSD-накопичувачів Samsung 850 EVO, відмітною рисою якої є наявність 3-бітної флеш-пам'яті 3D V-NAND.

Згідно із заявою виробника, цей параметр підвищує показники зносостійкості й забезпечує приріст продуктивності. Відзначено, що SSD відмінно підходять для ноутбуків та ігрових ПК.

Новинки, представлені в типорозмірі 2,5 дюйма, обладнані інтерфейсом SATA 6 Гбіт/с й доступні в об’ємах 120, 250, 500 ГБ і 1 ТБ. У режимі очікування моделі споживають 2-4 мВт, у простої – максимум 50 мВт, а при активній роботі – 3,7-4,4 Вт. Температура пристрою відслідковується за допомогою технології Dynamic Thermal Guard. Також виробник надає 5-річну гарантію. У якості контролера застосовуються два варіанти: Samsung MGX для моделей ємністю 120/250/500 ГБ, і Samsung MEX для 1 ТБ. Швидкість послідовних процесів читання та запису становить 540 і 520 МБ/с відповідно. Також, для моделей обсягом 1 ТБ і 500 ГБ швидкість випадкових читання й запису рівна 98 000 IOPS і 90 000 IOPS відповідно. Швидкість довільного читання для моделі в 250 ГБ становить 97 000 IOPS, для 120 ГБ – 94 000 IOPS, у той час як швидкість довільного запису двох варіантів становить 88 000 IOPS.

Повідомляється, що у продаж накопичувачі надійдуть ще до закінчення поточного року. Ціна буде зазначена додатково.

http://www.tomshardware.com
http://www.samsung.com
Мартинець Марія