Комп'ютерні новини
Всі розділи
SK Hynix уповільнює розробку HBM4, зосереджуючись на 300-шаровій NAND Flash
Південнокорейська виробниця мікросхем пам'яті SK Hynix вносить корективи у свої виробничі плани, стратегічно перерозподіляючи ресурси.
Зокрема, компанія вирішила уповільнити графік нарощування виробництва пам'яті HBM4, що є критично важливим компонентом для високопродуктивних обчислень та прискорювачів штучного інтелекту.
Це рішення, ймовірно, пов'язане з необхідністю оптимізації дослідницьких зусиль та підвищенням пріоритету інших сегментів ринку, що розвиваються.
Водночас SK Hynix прискорює розробку та виробництво передової пам'яті NAND Flash, оголосивши про намір представити 300-шарові чипи NAND. Це значне досягнення в галузі вертикального масштабування, яке дозволить компанії запропонувати ринку накопичувачі з вищою щільністю зберігання даних і, ймовірно, покращеною енергоефективністю.
Цей стратегічний зсув відображає намагання компанії балансувати між двома ключовими, але різними, напрямками: ринком високошвидкісної оперативної пам'яті HBM (де домінує попит на ШІ) та ринком масового зберігання даних NAND Flash.
