Комп'ютерні новини
Всі розділи
SK hynix націлена на виробництво 400-шарової NAND у 2025 році
Повідомляється, що SK hynix розробляє 400-шарову флеш-пам’ять NAND із планами розпочати масове виробництво до кінця 2025 року. Компанія співпрацює з партнерами по ланцюжку постачання для розробки необхідних технологічних процесів і обладнання для 400-шарових і вище мікросхем NAND. Ця інформація походить із нещодавньої статті корейського ЗМІ etnews із посиланням на галузеві джерела.
SK hynix має намір використовувати для цього технологію гібридного склеювання, яка, як очікується, залучить нових постачальників пакувальних матеріалів і компонентів у ланцюг постачання. Процес розробки передбачає дослідження нових матеріалів для з’єднання та різних технологій для з’єднання різних пластин, включаючи полірування, травлення, осадження та з’єднання. SK hynix прагне підготувати технологію та інфраструктуру до кінця наступного року.
SK hynix продемонструвала 321-шаровий зразок NAND у серпні 2023 року. Щоб досягти 400 шарів, компанія планує реалізувати гібридне з’єднання зі структурою «пластина до пластини» (W2W). Цей підхід відрізняється від їхнього поточного методу "Peripheral Under Cell" (PUC), який розміщує клітини на вершині периферійної зони керування.
Перехід до гібридного з’єднання має на меті розв'язання проблем зі збільшенням кількості шарів, таких як потенційне пошкодження периферійних пристроїв під час процесу укладання елементів через високу температуру та тиск. Виготовляючи клітини та периферійні пристрої на окремих пластинах перед їх склеюванням, SK hynix сподівається забезпечити стабільне збільшення шару, захищаючи периферійні компоненти.
Відповідаючи на запитання etnews про розробку 400-шарової NAND, SK hynix відмовився підтвердити конкретні подробиці щодо розробки технології або термінів масового виробництва.
