Комп'ютерні новини
Всі розділи
Samsung починає перше в галузі масове виробництво QLC V-NAND 9-го
покоління
Компанія Samsung Electronics, світовий лідер у сфері передових технологій пам'яті, оголосила про початок масового виробництва своїх однотерабітних (Tb) мікросхем флеш-пам'яті NAND із чотирирівневими комірками (QLC) 9-го покоління вертикальної архітектури NAND (V-NAND).
Початок масового виробництва QLC 9-го покоління V-NAND, яке слідує за першим у галузі масовим випуском NAND із трирівневими комірками (TLC) того ж покоління в квітні цього року, зміцнює лідерство Samsung на ринку флеш-пам'яті NAND із високою ємністю та продуктивністю. "Запуск успішного масового виробництва QLC 9-го покоління V-NAND всього через чотири місяці після версії TLC дозволяє нам запропонувати повний асортимент передових SSD-рішень, що відповідають вимогам епохи штучного інтелекту", — зазначив СонгХой Хур, виконавчий віцепрезидент і керівник підрозділу продуктів та технологій Flash у Samsung Electronics. "З ростом ринку корпоративних SSD і збільшенням попиту на застосування для ШІ, ми продовжимо зміцнювати своє лідерство в цьому сегменті завдяки нашим рішенням на основі QLC і TLC 9-го покоління V-NAND".
Samsung планує розширювати застосування QLC 9-го покоління V-NAND, починаючи з брендових споживчих товарів і розширюючи його на мобільні пристрої (UFS), ПК та серверні SSD для клієнтів, включаючи постачальників хмарних послуг.
QLC 9-го покоління V-NAND від Samsung поєднує кілька інновацій, що забезпечили технологічні прориви:
- Технологія Channel Hole Etching, яка не має аналогів у галузі, дозволила досягти найбільшої кількості шарів за допомогою двошарової структури. Завдяки накопиченому досвіду з TLC 9-го покоління була оптимізована площа комірок і периферійних схем, що забезпечило на 86% вищу щільність бітів порівняно з попереднім поколінням QLC V-NAND.
- Технологія Designed Mold регулює відстань між лініями слів (WL), які керують комірками, що забезпечує рівномірність і оптимізацію характеристик комірок по всьому об’єму та шарам. Ці аспекти стають дедалі важливішими зі збільшенням кількості шарів V-NAND. Використання Designed Mold покращило продуктивність зберігання даних приблизно на 20% у порівнянні з попередніми версіями, що підвищує надійність продукту.
- Технологія Predictive Program прогнозує та контролює зміни стану комірок, мінімізуючи зайві дії. QLC 9-го покоління V-NAND від Samsung подвоїла продуктивність запису та збільшила швидкість вводу/виводу даних на 60% завдяки вдосконаленню цієї технології.
- Споживання енергії при читанні та записі даних знизилося приблизно на 30% і 50% відповідно завдяки використанню технології Low-Power Design, яка знижує напругу, що керує NAND-комірками, і мінімізує енергоспоживання, виявляючи лише необхідні бітові лінії (BL).
