Samsung виявила дефекти в виробництві DRAM-чіпів на одній із фабрик

Корейське видання Businesskorea повідомило про те, що раніше в цьому році компанія Samsung виявила дефектні мікросхеми DRAM-пам'яті на фабриці Giheung Plant. Йдеться про 8-дюймових пластинах із 10-нм (1х nm) чіпами першого покоління, а причина криється в використанні забрудненого обладнання.

Samsung Electronics підтвердила факт виявлення дефектних продуктів, але додала, що проблема вже вирішена. Збиток оцінений у кілька мільярдів корейських вон (1 млрд корейських вон ≈ € 780 000). Хоча деякі аналітики сумніваються в точності цієї оцінки і говорять про куди більш істотні втрати. У будь-якому разі слід говорити не тільки про фінансові, а й про репутаційні втрати, адже Samsung поставила перед собою амбітну мету - стати глобальним лідером у виробництві напівпровідникових мікросхем до 2030 року.

http://www.businesskorea.co.kr
https://www.computerbase.de
Сергій Буділовський