Комп'ютерні новини
Всі розділи
Samsung почала масове виробництво 4-гігабайтних мікросхем HBM2
З гордістю компанія Samsung представила перші в індустрії мікросхеми оперативної пам'яті стандарту HMB2 об’ємом 4 ГБ. Вони створені на основі 20-нм техпроцесу і призначені для використання в HPC-системах і відеокартах нового покоління.
Структура нових мікросхем Samsung 4GB HBM2 DRAM складається з буфера, поверх якого розміщені чотири 8-гігабітні ядра DRAM-пам'яті. У кожному з них зроблено понад 5000 TSV-отворів – це у понад 36 разів більше, аніж у найсучасніших мікросхемах 8 Gb TSV DDR4. Завдяки цьому суттєво підвищується продуктивність при передачі даних. Наприклад, у новинках цей показник досягає 256 ГБ/с, у рішеннях HBM DRAM він заявлений на рівні 128 ГБ/с, а для чіпів 4 Gb GDDR5 DRAM становить усього 36 ГБ/с.
Також мікросхеми Samsung 4GB HBM2 DRAM мають підтримку ECC-корекції й у два рази краще співвідношення пропускної здатності на ват, аніж 4-гігабітні чіпи GDDR5. У результаті вони забезпечують не тільки більш надійну та швидку роботу, але й вимагають менше енергії. Цього року Samsung планує почати масове виробництво ще й 8-гігабайтних мікросхем HBM2-пам'яті, призначених у першу чергу для топових відеокарт.
