Комп'ютерні новини
Всі розділи
Samsung почала масове виробництво 10-нм DRAM-мікросхем DDR4-пам'яті
В 2014 році компанія Samsung першою в індустрії оперативної пам'яті почала використовувати 20-нм техпроцес для виробництва 4-гігабітних чіпів DDR3 DRAM. Через два роки вона залишається лідером у плані інтеграції нових технологій, оголосивши про початок масового випуску 10-нм 8-гігабайтних мікросхем DDR4 DRAM і модулів пам'яті, створених на їхній основі.
Примітно, що для цього фахівцям Samsung вдалося використовувати існуючу літографію на основі фтористого аргону, без переходу до EUV (Extreme Ultra Violet) обладнання. Однак не обійшлося без інтеграції ряду фірмових технологій: Cell Design, Quadruple Patterning і Ultra-Thin Dielectric Layer Deposition.
Нові 10-нм мікросхеми DDR4-пам'яті характеризуються помітним ростом продуктивності та енергоефективності. Наприклад, у порівнянні з 20-нм аналогами їхня пропускна здатність збільшилася з 2400 до 3200 Мбіт/с або на 33%. У той же час енергоспоживання знизилося на 10-20%. Завдяки цьому новинки ще краще підійдуть для створення високопродуктивних модулів з хорошим розгінним потенціалом, а мобільні пристрої відчують додаткове зниження навантаження на акумулятор.
У найближчому майбутньому на ринку з'являться нові SO-DIMM-модулі DDR4-пам'яті на основі 10-нм мікросхем загальним об’ємом від 4 ГБ, а також DIMM-планки загальною ємністю до 128 ГБ. Пізніше цього року Samsung обіцяє представити мобільні 10-нм чіпи DDR4-пам'яті, які будуть націлені на використання в смартфонах і планшетах.
