Комп'ютерні новини
Всі розділи
Samsung має проблеми з переходом на 5-нм техпроцес
Сегмент виробництва напівпровідникових мікросхем є дуже прибутковим за рахунок великої кількості компаній, які не мають своїх виробничих ліній. Однак це ще і дуже складний з технічної сторони процес. Навіть такі гіганти як Intel і Samsung зазнають складнощів при освоєнні нових технологічних процесів.
У 2020 році південнокорейський IT-гігант планував за 2 роки представити 3-нм технологію Gate All Around FET (GAAFET або 3GAE). Але, за чутками, Samsung зможе почати виробництва 3-нм чіпів не раніше 2024 року.
Також у компанії виникли проблеми з 5-нм технологією. Згідно з інформацією Business Korea, відсоток виходу придатних мікросхем не перевищує за 50%. Це означає, що на кремнієвій пластині, що містить, наприклад, 100 мікросхем, менше 50 чіпів будуть повністю функціональні і готові до роботи.
Така ефективність виробництва є дуже низькою. Зазвичай для запуску масового виробництва необхідно досягти 95% ефективності. В іншому разі істотно зростає собівартість чіпів і їх кінцева ціна.
На даний момент інженери Samsung активно працюють над більш тонким налаштуванням 5-нм технологічного процесу, щоб підвищити ефективність виробництва. У той же час головний конкурент, компанія TSMC, ще в 2020 році почала масове виробництво 5-нм чіпів і готується в 2022 році перейти на норми 4-нм техпроцесу. Також у другій половині 2022 року TSMC планує почати масове виробництво 3-нм мікросхем.
