Комп'ютерні новини
Всі розділи
Samsung готується до переходу на норми 3-нм технології GAA
Поки Intel продовжує використовувати 14-нм техпроцес, а TSMC активніше задіє 7-нм технологію, південнокорейський IT-гігант на заході Samsung Foundry Forum 2019 USA представив техпроцес 3-нм Gate-All-Around (3GAA). Його розробка проходить відповідно до наміченого графіка. У квітні партнери отримали Process Design Kit (PDK) версії 0.1 для 3GAA, що дозволяє їм починати розробку своїх продуктів відповідно до нового техпроцеса.
Перехід з 7-нм на 3-нм технологію забезпечить 45%-ве зниження площі мікросхем і 50%-е падіння енергоспоживання або 35%-е підвищення рівня продуктивності. Samsung очікує, що новий техпроцес буде широко використовуватися для створення чіпів для мобільних пристроїв, мережевого обладнання, автомобілебудування, для роботи зі штучним інтелектом і в IoT. Вона вже виготовила тестовий чіп на основі 3GAA, і тепер сфокусується на поліпшенні його продуктивності і енергоефективності.
Також компанія запатентувала новий дизайн MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) для 3GAA. Він забезпечує проходження великих струмів в стеку і підвищує гнучкість при створенні нових продуктів, ніж традиційний FinFET. Але головне, що зберігається сумісність MBCFET і FinFET, тому виробники можуть використовувати обидва
Поки в планах Samsung значаться 4 FinFET-технології (від 7-нм до 4-нм) і 3-нм GAA або MBCFET. Зокрема, у другій половині цього року вона почне масове виробництво чіпів на основі 6-нм техпроцесу і закінчить розробку 4-нм технології. А вже в першій половині 2020 року почнеться масове виробництво перших продуктів на основі 5-нм FinFET-технології. Терміни випуску перших мікросхем на базі 3GAA поки не повідомляються.
