Комп'ютерні новини
Всі розділи
Подробиці специфікації нових SSD-накопичувачів Intel X25-M та X25-E
В попередніх публікаціях ми вже повідомляли про плани компанії Intel щодо оновлення усіх лінійок власних SSD-накопичувачів, яке повинно початися вже в четвертому кварталі поточного року. Отже, в мережі з’явилися подробиці специфікації нової, третьої генерації SSD-накопичувачів лінійок Intel X25-M та X25-E.
Оновлена лінійка Intel X25-M отримала внутрішнє кодове ім’я Postville Refresh та базується на використанні 25-нм мікросхем NAND Flash-пам’яті, які виготовлені з використанням технології багаторівневої структури комірок (MLC). Серед особливостей третьої генерації варто відзначити збільшення загального об’єму, швидкості запису, продуктивності, потужності споживання та максимально-можливої записаної інформації за період служби. Оновлена лінійка SSD-накопичувачів Intel X25-M також підтримує енергозаощаджувальну кеш-пам’ять. У продаж новинки повинні надійти в четвертому кварталі 2010 або на початку 2011 року.
Нові SSD-накопичувачі серії Intel X25-E з кодовим ім’ям Lyndonville будуть виготовлятися за нормами 25-нм техпроцесу із застосуванням технології багаторівневої структури комірок для продуктів бізнес класу (Enterprise MLC). Вони також отримають суттєве збільшення об’єму та незначне підвищення швидкісних характеристик. Оновлена серія Intel X25-E буде доступна лише у форм-факторі 2,5” та надійде у продаж в першому кварталі 2011 року. Нові лінійки також забезпечуватимуть додаткове шифрування даних за допомогою 128-бітного алгоритму AES. Порівняльна характеристика другої (поточної) та третьої (нової) генерацій SSD- накопичувачів серій Intel X25-M та X25-E має такий вигляд:
Серія |
Intel X25-M (2-га генерація) |
Intel X25-M (3-га генерація) |
X25-E (2-га генерація) |
X25-E (3-га генерація) |
Кодове ім’я |
Postville |
Postville Refresh |
Ephraim |
Lyndonville |
Об’єм, ГБ |
80/160 |
80/160/300/600 |
32/64 |
100/200/400 |
Технологія виготовлення |
34 нм MLC |
25 нм MLC |
50 нм SLC |
25 нм eMLC |
Швидкість читання/запису, МБ/с |
250/100 |
250/170 |
250/170 |
250/200 |
Продуктивність довільного читання/запису, IOPS |
35 000 / 8 600 |
50 000 / 40 000 |
35000/3300 |
50 000/5 000 |
Споживча потужність максимальна / в режимі простою, Вт |
3,0 / 0,06 |
6,0 / 0,075 |
3,0 / 0,06 |
5,0 / 0,095 |
Максимальний об’єм записаних даних за час служби |
7,5 – 15 ТБ |
30 – 60 ТБ |
32 ГБ: 1 PB 64 ГБ: 2 РВ |
100 ГБ: 900 ТВ-1РВ 200 ГБ: 1-2 РВ 400 ГБ: 1,4 РВ |
Енергозберігаючий буфер для запису |
- |
+ |
- |
+ |
Форм-фактор |
1,8” / 2,5” |
2,5” | ||
Захист даних |
ATA-пароль |
ATA-пароль + AES-128 біт |
ATA-пароль |
ATA-пароль + AES-128 біт |
http://www.fudzilla.com
http://www.anandtech.com
Сергій Буділовський