Комп'ютерні новини
Всі розділи
Micron і Nanya випустили 42-нм DDR 3-пам’ять: енергоефективна та високопродуктивна
Компанії Micron Technology і Nanya анонсують завершення розробки мікросхем DDR3 DRAM по новому 42-нм техпроцесу ємністю 2 Гбіт. Чіпи пам'яті забезпечують швидкість передачі даних до 1866 Мбіт/с. Нові енергозберігаючі модулі пам'яті працюють при напрузі живлення 1,35 В, на відміну від попереднього покоління, якому характерна робота при стандартній напрузі живлення 1,5 В. Новинки будуть доступні ємністю до 16 ГБ.
Компанії Micron Technology і Nanya володіють спільним підприємством Inotera Memories по виробництву чіпів пам'яті на Тайвані, що заснований в 2003 році. Початково партнером Nanya була компанія Qimonda, але в 2008 році її частку викупила Micron. Основними продуктами Inotera Memories є модулі пам'яті DDR2 і DDR3.
Компанії впровадили свій передовий 420-нм техпроцес для виробництва нових мікросхем пам'яті досить успішно та вчасно запропонувавши необхідний продукт споживачам. З моменту виходу на ринок Windows 7 запущений цикл відновлення комп'ютерів, адже Windows 7 підвищує попит на DDR3 пам'ять з боку OЕМ-виробників комп'ютерів.
Перехід на 42-нм техпроцес дозволив збільшити вихід чипів з однієї основи на 60%. Нові мікросхеми відрізняються високою енергоефективністю та можуть використовуватися як у серверних системах, настільних комп'ютерах, так і в ноутбуках, нетбуках і інших мобільних пристроях. Масове виробництво 42-нм DDR 3-чіпів стартує в другому півріччі.
