Комп'ютерні новини
Всі розділи
Kioxia розпочинає постачання зразків флешпам'яті BiCS FLASH 9-го покоління
Kioxia оголосила про початок пробного постачання зразків флешпам'яті BiCS FLASH 3D 9-го покоління з технологією Triple-Level Cell (TLC) місткістю 512 Гбіт/с. Масове виробництво цих пристроїв планується розпочати у 2025 фінансовому році.
Нові чипи розроблені для додатків, що вимагають високої продуктивності та виняткової енергоефективності, і будуть інтегровані в корпоративні SSD-накопичувачі Kioxia, зокрема ті, що призначені для систем штучного інтелекту.
Стратегія розвитку та ключові покращення
Kioxia дотримується двоосьової стратегії для задоволення різноманітних потреб ринку:
- Продукти BiCS FLASH 9-го покоління: Досягають високої продуктивності за зниженою собівартістю завдяки технології CBA (CMOS безпосередньо приєднаний до масиву), яка інтегрує наявні технології комірок пам'яті з найновішою технологією CMOS.
- Продукти BiCS FLASH 10-го покоління: Включатимуть збільшену кількість шарів пам'яті для майбутніх рішень з більшою місткістю та високою продуктивністю.
Нова TLC-пам'ять BiCS FLASH 9-го покоління на 512 Гбіт/с, розроблена з використанням 120-шарового процесу стекування на основі технології BiCS FLASH 5-го покоління, демонструє значні покращення порівняно з наявними продуктами Kioxia BiCS FLASH такої ж місткості:
- Продуктивність запису: покращення на 61%.
- Продуктивність читання: покращення на 12%.
- Енергоефективність: підвищена на 36% під час запису та на 27% під час читання.
- Швидкість передачі даних: інтерфейс Toggle DDR 6.0 забезпечує 3,6 Гбіт/с. Kioxia також підтвердила, що в демонстраційних умовах 512-гігабітний TLC працює зі швидкістю до 4,8 Гбіт/с.
- Бітова щільність: збільшена на 8% завдяки вдосконаленню планарного масштабування.
Лінійка продуктів BiCS FLASH 9-го покоління буде визначена відповідно до вимог ринку.
