Модулі пам’яті Hynix DDR3 на 40 нм чіпах з валідацією від Intel

Компания Hynix Semiconductor анонсувала модулі оперативної пам'яті 2 Гб DDR3 DRAM, що виконані на базі 40 нм технологічного процесу та пройшли валідацію Intel.

Серед продуктів Hynix, що недавно пройшли валидацию, модулі пам'яті 2Гб DDR3 SDRAM, 4 ГБ DDR3 SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) для портативних пристроїв і 2 ГБ DDR3 UDIMM (Un-buffered Dual In-line Memory Module), робоча частота яких становить 1333 МГц, а споживана напруга – 1,5 В.

Нові рішення здатні досягати максимальної швидкості передачі даних на частоті 1876 МГц з I/O на 16 біт і смугою пропущення 3,7 ГБ/с. За словами представників Hynix,  40 нм модуль 2Гб DDR3 на 60% продуктивніше, ніж аналогічний модуль на базі технологічного процесу 50 нм.

Крім того, новий 40 нм модуль пам'яті DDR3 на 2 Гб Hynix відповідає на вимоги сучасної індустрії щодо економії споживаної енергії, витрата якої у нових рішеннях на 40 % менше в порівнянні з попередніми продуктами з класу 50 нм пристроїв.

"Пануюча тенденція до ущільнення на ринку високоефективних серверних рішень привела нас від 1 Гб до 2 Гб. Ми готові повністю забезпечити кращу виробничу якість модулів пам'яті DD3 об’ємом на 1 Гб і 2 Гб," - говорить містер Кім (Mr. J.B. Kim), головний маркетолог комании Hynix.

Компанія Hynix стартувала масове виробництво нових 2 Гб DDR3 на базі 40 нм технологічного процесу. Валідация модулів RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) очікується ближче під кінець року.

http://www.tcmagazine.com
http://www.techttpna.in
Кирило Ноздрін