Комп'ютерні новини
Всі розділи
IBM представила багатобітні мікросхеми PCM-пам’яті
Дослідницькій команді компанії IBM вдалося здійснити справжній прорив в розробці PCM-мікросхем постійної пам’яті. Їм вдалося виготовити багатобітні (багаторівневі) чіпи, які в одній фізичній комірці пам’яті можуть зберігати декілька біт інформації. Це дозволить значно збільшити їх об’єм, знизити витрати матеріалу та собівартість виготовлення. Такий підхід означає, що через певний час (4-5 років) вони можуть прийти на зміну сучасним NAND флеш-чіпам, оскільки володіють двома суттєвими перевагами:
-
кількість циклів стирання / запису досягає 10 000 000, в той час як для 25-нм NAND флеш-мікросхем з багаторівневою структурою комірок (MLC) він складає усього 3 000;
-
в найгіршому випадку, затримка при запису інформації складає 10 мкс, що в 100 разів швидше, ніж у сучасних аналогів.
На сьогоднішній день, дослідний зразок багатобітної PCM-мікросхеми компанії IBM виготовляється за нормами 90-нм техпроцесу з використанням CMOS-технології.
Нагадаємо, що в основі PCM (Phase-Change Memory) пам’яті знаходяться халькогеніди – бінарні сполуки металів з елементами шостої групи головної підгрупи періодичної системи Мендєлєєва. При зміні температури, вони можуть змінювати свій стан з аморфного на кристалічний. При цьому, аморфний стан володіє значним опором, тому використовується для представлення «0» в двійковій системі числення. А кристалічний стан володіє низьким опором, тому використовується для представлення «1». На сьогоднішній день, халькогеніди широко використовуються при виготовленні дисків CD-RW та DVD-RW, оскільки показних заломлення в даних сполуках також змінюється в залежності від стану матеріалу. Саме завдяки унікальним властивостям халькогенідів, вищезгадані носії забезпечують багатократний запис інформації.
