Комп'ютерні новини
Всі розділи
3D NAND: 10 ТБ у стандартному 2,5-дюймовому корпусі
Компанії Micron і Intel оголосили про доступність 3D NAND-технології виготовлення мікросхем пам'яті. Це новий виток еволюції твердотільних накопичувачів, який дозволяє обійти всі недоліки планарного дизайну. Технологія 3D NAND являє собою стек із 32 шарів з вертикальним розміщенням комірок пам'яті, завдяки чому суттєво збільшуються ключові характеристики самих мікросхем: загальний обсяг, продуктивність, термін служби та енергоефективність. При цьому зберігається існуючий форм-фактор.
Зокрема, технологія 3D NAND уже дозволяє досягати ємності чіпів на рівні 256 Гбіт (MLC) або 384 Гбіт (TLC). Це відкриває можливість створення 3,5-ТБ твердотільних накопичувачів компактного форм-фактора для використання в мобільних пристроях (смартфонах, планшетах) або ж 10-ТБ носіїв формату 2,5-дюймів. При цьому вертикальна структура дозволяє збільшити розміри самих комірок, що дуже позитивно позначається на рівні продуктивності та надійності, тому навіть TLC-чипи зможуть відповідати жорстким вимогам дата-центрів.
До того ж новинки характеризуються поліпшеним показником «Вартість / ГБ», що дозволить здешевити кінцеву вартість розроблених накопичувачів. На даний момент уже почате виробництво перших зразків 256-гігабітних чіпів MLC 3D NAND. До кінця весни аналогічна доля чекає 384-гігабітні мікросхеми TLC 3D NAND.
