Комп'ютерні новини
Всі розділи
Samsung повідомляє про старт серійного виробництва передових 20-нм модулів пам'яті DDR4
Компанія Samsung Electronics оголосила про старт серійного виробництва передових модулів пам'яті DDR4 для корпоративних серверів, які працюють у складі центрів обробки даних (ЦОД) наступного покоління. За допомогою цих високопродуктивних і високоємних модулів пам'яті Samsung зможе задовольнити потреба ринку в прогресивних DDR4-рішеннях для ЦОД і корпоративних серверів.
Більш рання поява на ринку 4-гігабітних (Гб) DDR4-пристроїв, створених на основі 20-нанометрового техпроцесу, посприяє зростанню попиту на модулі пам'яті ємністю 16 ГБ і 32 ГБ, які зможуть у майбутньому замінити традиційні DRAM-версії ємністю 8 ГБ на основі 30-нм техпроцесу, що найпоширеніші на даний момент. Швидкість передачі даних 4-гігабітним чіпом пам'яті DDR4 становить 2667 Мбіт/с, що в 1,25 рази більше швидкості модулів DDR3, у яких також використовуються мікросхеми 20-нанометрового класу. При цьому енергоспоживання чіпа знижене більш ніж на 30%.
Використання високошвидкісних чіпів пам'яті DRAM у роботі корпоративних серверів наступного покоління значно підвищує продуктивність системи та знижує рівень енергоспоживання. Застосовуючи технології модулів пам'яті DDR4 на ранньому етапі, ОЕМ-виробники можуть звести до мінімуму експлуатаційні витрати та значно збільшити продуктивність, забезпечивши таким чином більш швидке повернення інвестицій.
Створивши на базі модуля 20-нм класу найпродуктивніший і найменший 4-гігабітний чіп DRAM-пам'яті у світі, компанія Samsung Electronics у цей час має найбільшу в індустрії лінійку продуктів, призначених для застосування як у серверах, так і в мобільних пристроях. Це забезпечить клієнтам по усьому світу найширший вибір передових екологічних рішень для пам'яті, які відрізняються низьким енергоспоживанням та високою продуктивністю.
