Комп'ютерні новини
Всі розділи
Samsung почала масове виробництво 30 нм 2 ГБ Green DDR3 пам’яті
Анонсований раніше перехід з 50-нм на 30-нм технологічний процес виробництва DDR3 пам’яті нарешті відбувся. Samsung з гордістю представила перші 2 ГБ зразки чіпів серії Green DDR3. Нові мікросхеми будуть використані для виробництва усіх типів оперативної пам’яті: для серверів, десктопів та ноутбуків. Новинки швидші та енергоефективніші за попередні лінійки.
Як заявляють розробники, використання 30-нм чіпів в парі з мультиядерними процесорами підвищить загальну ефективність системи на 30% і знизить споживання електроенергії на 10%, а виготовлені на основі даних мікросхем 4ГБ модулі DDR3 пам’яті на 60% швидші та використовують на 65% менше енергії, ніж 2 ГБ DDR3 планки з 50-нм техпроцесом виробництва. До кінця поточного року, Samsung планує налагодити масове виробництво 4 ГБ 30-нм чіпів DDR3 пам’яті.
Коротка характеристика нових мікросхем Samsung Green DDR3:
|
Об’єм, Гб |
2 | |
|
Частота функціонування, МГц |
для серверів |
1866 |
|
для десктопів |
2133 | |
|
Напруга живлення, В |
для серверів |
1,35 |
|
для десктопів |
1,5 | |
|
Об’єм модулів пам’яті, виготовлених на базі нових чіпів, ГБ |
для серверів |
4 / 16 / 32 (RDIMM) |
|
для десктопів |
4 / 8 (UDIMM) | |
|
для ноутбуків |
4 / 8 (SoDIMM) | |
http://www.tcmagazine.com
http://www.samsung.com
Сергій Буділовський
