up
ua ru
menu


ASUS_Quiz_1.gif

Новини: > 2010 > 07 > 22

rss

Samsung почала масове виробництво 30 нм 2 ГБ Green DDR3 пам’яті

Анонсований раніше перехід з 50-нм на 30-нм технологічний процес виробництва DDR3 пам’яті нарешті відбувся. Samsung з гордістю представила перші 2 ГБ зразки чіпів серії Green DDR3. Нові мікросхеми будуть використані для виробництва усіх типів оперативної пам’яті: для серверів, десктопів та ноутбуків. Новинки швидші та енергоефективніші за попередні лінійки.

Як заявляють розробники, використання 30-нм чіпів в парі з мультиядерними процесорами підвищить загальну ефективність системи на 30% і знизить споживання електроенергії на 10%, а виготовлені на основі даних мікросхем 4ГБ модулі DDR3 пам’яті на 60% швидші та використовують на 65% менше енергії, ніж 2 ГБ DDR3 планки з 50-нм техпроцесом виробництва. До кінця поточного року, Samsung планує налагодити масове виробництво 4 ГБ 30-нм чіпів DDR3 пам’яті.

Коротка характеристика нових мікросхем Samsung Green DDR3:

Об’єм, Гб

2

Частота функціонування, МГц

для серверів

1866

для десктопів

2133

Напруга живлення, В

для серверів

1,35

для десктопів

1,5

Об’єм модулів пам’яті, виготовлених на базі нових чіпів, ГБ

для серверів

4 / 16 / 32 (RDIMM)

для десктопів

4 / 8 (UDIMM)

для ноутбуків

4 / 8 (SoDIMM)

http://www.tcmagazine.com
http://www.samsung.com
Сергій Буділовський

Новина прочитана 150 раз(ів)



<< попередня новина     наступна новина >>

Социальные комментарии Cackle

Рекомендовані відео:


Пошук на сайті
Поштова розсилка
top10

vote

Голосування