up
ua ru
menu


chieftec_ban_160.gif

Новини: > 2016 > 01 > 19

rss

Samsung почала масове виробництво 4-гігабайтних мікросхем HBM2

З гордістю компанія Samsung представила перші в індустрії мікросхеми оперативної пам'яті стандарту HMB2 об’ємом 4 ГБ. Вони створені на основі 20-нм техпроцесу і призначені для використання в HPC-системах і відеокартах нового покоління.

Samsung 4GB HBM2 DRAM

Структура нових мікросхем Samsung 4GB HBM2 DRAM складається з буфера, поверх якого розміщені чотири 8-гігабітні ядра DRAM-пам'яті. У кожному з них зроблено понад 5000 TSV-отворів – це у понад 36 разів більше, аніж у найсучасніших мікросхемах 8 Gb TSV DDR4. Завдяки цьому суттєво підвищується продуктивність при передачі даних. Наприклад, у новинках цей показник досягає 256 ГБ/с, у рішеннях HBM DRAM він заявлений на рівні 128 ГБ/с, а для чіпів 4 Gb GDDR5 DRAM становить усього 36 ГБ/с.

Також мікросхеми Samsung 4GB HBM2 DRAM мають підтримку ECC-корекції й у два рази краще співвідношення пропускної здатності на ват, аніж 4-гігабітні чіпи GDDR5. У результаті вони забезпечують не тільки більш надійну та швидку роботу, але й вимагають менше енергії. Цього року Samsung планує почати масове виробництво ще й 8-гігабайтних мікросхем HBM2-пам'яті, призначених у першу чергу для топових відеокарт.

https://news.samsung.com
Сергій Буділовський

Новина прочитана 1501 раз(ів)

Теги: ddr4   ecc   gddr5   hbm2   samsung   


<< попередня новина     наступна новина >>





Социальные комментарии Cackle

Рекомендовані відео:


Пошук на сайті
Поштова розсилка
facebook vk YouTube
google+ twitter rss
top10

vote

Голосування