Пошук по сайту

up

Комп'ютерні новини

Всі розділи

Подробиці специфікації нових SSD-накопичувачів Intel X25-M та X25-E

В попередніх публікаціях ми вже повідомляли про плани компанії Intel щодо оновлення усіх лінійок власних SSD-накопичувачів, яке повинно початися вже в четвертому кварталі поточного року. Отже, в мережі з’явилися подробиці специфікації нової, третьої генерації SSD-накопичувачів лінійок Intel X25-M та X25-E.

Оновлена лінійка Intel X25-M отримала внутрішнє кодове ім’я Postville Refresh та базується на використанні 25-нм мікросхем NAND Flash-пам’яті, які виготовлені з використанням технології багаторівневої структури комірок (MLC). Серед особливостей третьої генерації варто відзначити збільшення загального об’єму, швидкості запису, продуктивності, потужності споживання та максимально-можливої записаної інформації за період служби. Оновлена лінійка SSD-накопичувачів Intel X25-M також підтримує енергозаощаджувальну кеш-пам’ять. У продаж новинки повинні надійти в четвертому кварталі 2010 або на початку 2011 року.

Нові SSD-накопичувачі серії Intel X25-E з кодовим ім’ям Lyndonville будуть виготовлятися за нормами 25-нм техпроцесу із застосуванням технології багаторівневої структури комірок для продуктів бізнес класу (Enterprise MLC). Вони також отримають суттєве збільшення об’єму та незначне підвищення швидкісних характеристик. Оновлена серія Intel X25-E буде доступна лише у форм-факторі 2,5” та надійде у продаж в першому кварталі 2011 року.  Нові лінійки також забезпечуватимуть додаткове шифрування даних за допомогою 128-бітного алгоритму AES. Порівняльна характеристика другої (поточної) та третьої (нової) генерацій SSD- накопичувачів серій Intel X25-M та X25-E має такий вигляд:

Серія

Intel X25-M (2-га генерація)

Intel X25-M (3-га генерація)

X25-E (2-га генерація)

X25-E (3-га генерація)

Кодове ім’я

Postville

Postville Refresh

Ephraim

Lyndonville

Об’єм, ГБ

80/160

80/160/300/600

32/64

100/200/400

Технологія виготовлення

34 нм MLC

25 нм MLC

50 нм SLC

25 нм eMLC

Швидкість читання/запису, МБ/с

250/100

250/170

250/170

250/200

Продуктивність довільного читання/запису, IOPS

35 000 / 8 600

50 000 / 40 000

35000/3300

50 000/5 000

Споживча потужність максимальна / в режимі простою, Вт

3,0 / 0,06

6,0 / 0,075

3,0 / 0,06

5,0 / 0,095

Максимальний об’єм записаних даних за час служби

7,5 – 15 ТБ

30 – 60 ТБ

32 ГБ: 1 PB

64 ГБ: 2 РВ

100 ГБ: 900 ТВ-1РВ

200 ГБ: 1-2 РВ

400 ГБ: 1,4 РВ

Енергозберігаючий буфер для запису

-

+

-

+

Форм-фактор

1,8” / 2,5”

2,5”

Захист даних

ATA-пароль

ATA-пароль + AES-128 біт

ATA-пароль

ATA-пароль + AES-128 біт

http://www.fudzilla.com
http://www.anandtech.com
Сергій Буділовський