Комп'ютерні новини
Всі розділи
Нові 20-нм мікросхеми пам’яті від компаній Intel та Micron
Компанія IMFT (Intel Micron Flash Technologies), яка є спільним підприємством Intel та Micron в сфері виготовлення NAND флеш-мікросхем пам’яті, напередодні зробила декілька надзвичайно важливих заяв.
По-перше, стало відомо про початок масового виробництва нових 20-нм мікросхем пам’яті ємністю 64 Гб, тестовий випуск яких був анонсований в квітні поточного року. Вони використовують технологію High-k Metal Gate (HKMG) та структуру комірок, що дозволяє підтримувати показники продуктивності і надійності на рівні з 25-нм рішеннями.
По-друге, анонсовано тестове виробництво 128 ГБ NAND флеш-мікросхем пам’яті, виготовлених на базі 20-нм техпроцесу. Новинки використовують багаторівневу структуру комірок, покращену архітектуру та підтримують найновішу версію стандарту ONFI 3.0, що забезпечує досягнення швидкості передачі даних на рівні 333 МБ/с. Таким чином вперше для реалізації об’єму 1 Тб використовується лише вісім мікросхем пам’яті і всі вони можуть розміститися на кінчику пальця.
Планується, що масовий випуск 128 Гб NAND флеш-чіпів пам’яті почнеться в першій половині 2012 року. Обидві новинки в майбутньому будуть використовуватися в SSD-накопичувачах, картах пам’яті та в інших запам’ятовуючих пристроях. І завдяки збільшенню їх ємності (в порівнянні з мікросхемами попереднього покоління) вдасться зменшити витрати на їх виготовлення, що призведе до подальшого зниження цін на дану категорію товарів.
