up
ua ru
menu



Новини: > 2008 > 10 > 29

rss

Intel презентує 32-нм техпроцесс на IEDM 2008

На виставці IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2008), яка пройде з 15 по 17 грудня, корпорація Intel, як очікується, представить свій 32-нм технологічний процес, призначений для випуску високопродуктивних мікропроцесорів.

У тексті публікації, яка передує виступу Intel на IEDM, мовиться, що в компанії був успішно виготовлений 32-нм масив осередків SRAM щільністю 291 Мбіт. Розмір одного осередку масиву рівний 0,171 кв.мкм. В цілому, до масиву увійшли близько двох мільярдів транзисторів.

Тестовий чіп працював при напрузі 1,1 В на тактовій частоті 3,8 ГГц. У серійному виробництві по нормах 32 нм Intel розраховує використовувати імерсіонну літографію. Постачальником відповідного устаткування виступає компанія Nikon.

У 32-нм техпроцесі використовується технологія металевих затворів і матеріалів з високою діелектричною постійною (high-k/metal gate) другого покоління, «напружений» кремній і дев'ять діелектричних шарів з малим значенням діелектричної постійної (low-k).

ixbt.com

Новина прочитана 1210 раз(ів)



<< попередня новина     наступна новина >>

Социальные комментарии Cackle

Рекомендовані відео:


Пошук на сайті
Поштова розсилка
top10

vote

Голосування