Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
G.Skill випустила флагманську оперативну пам'ять Trident Z5 Royal NeoX з підтримкою AMD EXPO-ULL
G.Skill анонсувала нову флагманську серію оперативної пам'яті Trident Z5 Royal NeoX DDR5, оптимізовану для платформи AMD.
Ключовою особливістю новинки стала підтримка профілів розгону AMD EXPO Ultra Low Latency, які оптимізують не лише первинні, а й вторинні та третинні затримки для досягнення мінімальної латентності.
Серія представлена комплектами стандартного обсягу 32 ГБ (2×16 ГБ) із частотою DDR5-6000. В залежності від модифікації затримки становлять від CL36 до екстремально низьких CL26.
Зовні модулі зберегли впізнаваний дизайн Royal з дзеркальним золотистим або сріблястим радіатором та кристалічною світлодіодною смугою RGB.
techpowerup.com
Павлик Олександр
SK hynix збільшує виробництво передової 1c DRAM
SK hynix активно переводить свої фабрики на новітній техпроцес 1c DRAM.
Завдяки швидким темпам модернізації вже до кінця року частка нової пам'яті у виробництві перевищить третину. Це дозволить випередити головних конкурентів у особі Samsung та Micron, які наразі утримують лідерство за обсягами випуску цього покоління.
Нова технологія забезпечує вищу щільність та покращену енергоефективність. Вона стане основою для випуску оперативної пам'яті наступного покоління, зокрема HBM4E для систем штучного інтелекту, а також LPDDR6 та DDR5.
У майбутньому, через фізичні обмеження класичних мікросхем, планується перехід на вертикальні транзистори та об'ємне компонування 3D DRAM.
techpowerup.com
Павлик Олександр
CXMT подвоїть потужності з випуску пам'яті, але наздогнати Samsung та SK Hynix їй не вдасться
Найбільший китайський виробник DRAM, компанія CXMT, планує до 2028 року подвоїти свої виробничі потужності з 300 тисяч до 600 тисяч кремнієвих пластин на місяць.
Для фінансування розширення компанія провела IPO на майже 10 мільярдів доларів США. У цей же період Samsung Electronics та SK Hynix сумарно додадуть ще близько 600 тисяч пластин на місяць, що лише збільшить відрив Південної Кореї.
За даними Bank of Korea, номінальні цифри не відображають реального стану справ через низький вихід придатних чипів та санкційні обмеження США на постачання обладнання. Маючи близько 15% від світових виробничих потужностей, CXMT забезпечує лише 8% фактичних поставок DRAM, орієнтуючись переважно на внутрішній ринок. У сегменті передових технологій Південна Корея збереже перевагу, хоча в довгостроковій перспективі зміцнення китайського ланцюжка постачання створюватиме тиск на ринок.
techpowerup.com
Павлик Олександр
CXMT захопила 10% світового ринку DRAM
Частка CXMT на світовому ринку оперативності досягла 10% за підсумками другого кварталу.
Стрімке зростання зумовлене тим, що трійка найбільших гравців перенаправила потужності на випуск HBM для прискорювачів ШІ, утворивши дефіцит стандартних мікросхем.
Основний обсяг постачань припадає на пам'ять DDR5 та LPDDR5X. Вихід придатних кристалів на 17-нм техпроцесі перевищив 90%, що дозволило наростити відвантаження для серверів Alibaba та смартфонів Xiaomi.
Завдяки масштабній державній підтримці та залученню інвестицій CXMT активно нарощує випуск чипів і готується до масового виробництва власної пам'яті HBM3.
techpowerup.com
Павлик Олександр
SK Hynix прогнозує дефіцит пам'яті до 2030 року
Генеральний директор SK Hynix Квак Но Чжон заявив, що поточна нестача чипів пам'яті триватиме щонайменше до кінця 2030 року, відсунувши попередні оцінки щодо стабілізації ринку в 2028 році.
Головною причиною є стрімке зростання попиту на спеціалізовані рішення для систем штучного інтелекту, зокрема HBM та кастомні конфігурації DRAM, через що ринок поступово виходить із традиційного циклу біржових коливань цін.
Для споживчого сектору це означає збереження високих цін на RAM та SSD для ПК, відеокарт і консолей упродовж більшої частини поточного десятиліття.
techpowerup.com
Павлик Олександр
Дефіцит оперативної пам'яті збільшив виручку китайського виробника CXMT майже у 10 разів
Китайський виробник оперативної пам'яті CXMT, відзвітував про зростання виручки в першому півріччі майже у 10 разів — до 150,31 млрд юанів, що становить близько 22,4 млрд доларів США.
Чистий прибуток компанії досяг 77,61 млрд юанів — приблизно 11,6 млрд доларів США, тоді як за аналогічний період минулого року виробник зазнав збитків у розмірі 2,33 млрд юанів.
Стрімке зростання фінансових показників зумовлене світовим дефіцитом DRAM та зростанням цін на пам'ять через підвищений попит з боку сектора ШІ.
Оскільки провідні світові виробники перенаправили значні потужності на випуск пам'яті HBM для ШІ-прискорювачів, на ринку виник брак класичної оперативної пам'яті DDR4, DDR5 та LPDDR. CXMT скористалася цією кон'юнктурою, збільшивши обсяги постачань стандартної DRAM, і вже посіла четверте місце на світовому ринку з часткою близько 7%.
Наразі компанія готує до масового виробництва пам'ять LPDDR6 та розробляє власні рішення HBM.
Постійне посилання на новинуCXMT перейшла на технологію HKMG для переходу до техпроцесу 1a DRAM та нарощування потужностей
Китайський виробник пам'яті CXMT впровадив технологію High-k Metal Gate (HKMG) у транзистори своєї DRAM-пам'яті, замінивши діелектрик із діоксиду кремнію на матеріал на основі оксиду гафнію.
Нововведення застосовано в техпроцесі G4 (клас 1z nm) та чипах LPDDR5X для запобігання витокам струму та підвищення енергоефективності, що усуває головне технічне обмеження для переходу до більш просунутої норми 1a та подальшого розроблення 15-нм технології G5. Одночасно компанія перебуває на стадії ризикового виробництва пам'яті HBM2E за 18-нм техпроцесом G3.
Паралельно CXMT масштабує обсяги випуску кремнієвих пластин: до кінця поточного року обсяг виробництва зросте до 300 тисяч пластин на місяць, а будівництво нових фабрик у Шанхаї та Хефей дозволить збільшити показник до 600 тисяч. Згідно з довгостроковим планом розширення, до 2031 року сукупна потужність компанії має досягти 800 тисяч пластин на місяць.
Постійне посилання на новинуОперативна пам'ять DDR5 на чипах CXMT досягла 9000 МТ/с та 6000 МТ/с при CL28
Оперативна пам'ять стандарту DDR5, побудована на базі мікросхем китайського виробника CXMT, за останні дні підкорила два важливі технологічні рубежі. Розробники та оверклокери змогли зафіксувати як гранично високі частотні показники, так і рекордні значення низьких затримок на реальному залізі.
Першого результату досягла Colorful, яка продемонструвала можливості свого новітнього комплекту iGame Shadow II загальним об'ємом 48 ГБ із двох планок по 24 ГБ. Під час експерименту пам'ять встановили на флагманську материнську плату iGame X870E VULCAN W OC та об'єднали з топовим процесором AMD Ryzen 9 9950X3D. У такій конфігурації систему вдалося стабільно запустити на вражаючій ефективній частоті DDR5-9000.
Друге досягнення стосується оптимізації затримок на стандартних частотах і належить ASUS. Інженери випробували той самий комплект iGame Shadow II від Colorful на власних материнських платах. Під час серії тестів планки продемонстрували впевнену роботу в режимі DDR5-6000 із таймінгами CL30, а після додаткового налаштування та підйому напруги до 1,435 В затримки вдалося зрізати до значення CL28. Це суттєвий крок уперед, адже переважна більшість серійних модулів на базі чипів CXMT досі розрахована лише на таймінги рівня CL36.
Подібні тести показують стрімкий еволюційний стрибок китайської DRAM-індустрії. Мікросхеми від CXMT поступово виходять за межі скромних специфікацій JEDEC і починають впевнено конкурувати з визнаними лідерами ринку в оверклокерському сегменті, показуючи високі результати на платформах AMD та Intel.
videocardz.com
Павлик Олександр
Показати ще


























