Комп'ютерні новини
Накопичувачі
Компактні та елегантні флеш-накопичувачі Team Group C153 і C155
Компанія Team Group вивела на ринок два нові флеш-накопичувачі: Team Group C153 і Team Group C155. Вони використовують абсолютно однакову конструкцію корпусу, створеного із алюмінію та покритого спеціальним шаром фарби, стійкої до корозійних процесів і появи відбитків пальців. Однак відрізняються вони кольоровим виконанням: чорний, сріблястий, синій або рожевий для Team Group C153 і золотистий для Team Group C155.
Головною ж відмінністю цих моделей є тип інтерфейсу: USB 2.0 для Team Group C153 і USB 3.0 для Team Group C155. До того ж перша новинка доступна у варіантах від 8 до 64 ГБ, а друга – від 8 до 128 ГБ. Звичайно, і швидкісні показники в другої флешки повинні бути вищими, однак виробник точних цифр не вказує.
У продаж вони надійдуть із довічною гарантією. Порівняльна таблиця технічної специфікації флеш-накопичувачів Team Group C153 і C155:
Модель |
Team Group C153 |
Team Group C155 |
Інтерфейс |
USB 2.0 |
USB 3.0 |
Обсяг, ГБ |
8 / 16 / 32 / 64 |
8 / 16 / 32 / 64 / 128 |
Колір |
Чорний / сріблястий / синій / рожевий |
Золотистий |
Сумісні ОС |
Windows 8 / 7 / Vista / XP |
|
Розміри, мм |
54,4 х 19,3 х 7,3 |
|
Маса, г |
12 |
|
Гарантія |
Довічна |
http://www.teamgroupinc.com
Сергій Буділовський
Флеш-накопичувач Silicon Power Mobile C80 з підтримкою двох роз’ємів
Компанія Silicon Power представила свій перший USB-накопичувач, оснащений двома роз’ємами. Модель Silicon Power Mobile C80 має у своєму розпорядженні традиційний конектор USB 3.0 Type-A і компактний симетричний USB Type-C. Завдяки цьому планується досягнення сумісності новинки як з десктопними, так і з мобільними пристроями.
Флешка Silicon Power Mobile C80 створена із застосуванням дизайну COB, тому характеризується підвищеним захистом внутрішніх компонентів від вологи, пилу та вібрації. Вона доступна в трьох варіантах обсягу: 16, 32 і 64 ГБ. Корпус новинки створений зі сплаву цинку й оснащений поворотним ковпачком. Він гарантує легкий доступ до обох роз’ємів і дозволяє прикріпити пристрій, наприклад, до зв'язки з ключами.
Додатково компанія Silicon Power розробила мобільний додаток SP File Explorer для Android-пристроїв. Він являє собою зручний менеджер для роботи з файлами. А програмна клавіша «One-touch backup» дозволить миттєво активувати процес резервного копіювання даних з мобільного гаджета на флешку.
Зведена таблиця технічної специфікації флеш-накопичувача Silicon Power Mobile C80:
Модель |
Silicon Power Mobile C80 |
Обсяг, ГБ |
16 / 32 / 64 |
Інтерфейси |
1 x USB 3.0 Type-A |
Діапазон робочих температур, °С |
0…+70 |
Матеріал корпусу |
Сплав цинку |
Колір |
Титановий |
Підтримувані ОС |
Windows 8 / 7 / Vista / XP |
Гарантія |
Довічна |
http://www.silicon-power.com
Сергій Буділовський
Samsung почала масове виробництво 256-гігабітних 3D V-NAND флеш-мікросхем
Компанія Samsung повідомила про запуск у масове виробництво перших в індустрії 256-гігабітних (32-гігабайтних) тривимірних (3D) флеш-мікросхем V-NAND, які використовують 48-шарову структуру та можуть зберігати 3 біти інформації в одній комірці.
Нагадаємо, що в серпні 2014 року компанія Samsung представила друге покоління флеш-мікросхем V-NAND, яке використовує 32-шарову структуру та дозволяє зберігати 3 біти даних в одній комірці. Саме на основі цих мікросхем побудовані 2-терабайтні моделі твердотільних дисків серій Samsung 850 Pro і 850 EVO. Таким чином, представлені мікросхеми V-NAND третього покоління з 48-шаровою структурою та обсягом 256-гігабіт дозволять подвоїти максимальний обсяг при збереженні поточної кількості чіпів на диску або ж у два рази зменшити кількість чіпів для досягнення аналогічного обсягу кінцевого SSD.
До того ж новинки характеризуються 30% зниженням енергоспоживання та 40% підвищенням швидкодії в порівнянні з 32-шаровими чіпами V-NAND другого покоління. Використовуватися ж дані мікросхеми будуть не тільки в користувацьких твердотільних дисках, але й у серверних SSD з інтерфейсом NVMe і SAS.
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Toshiba створила 16-шарову стекову NAND-пам'ять за допомогою технології TSV
Компанія Toshiba повідомила про успішне створення першого у світі 16-шарового чіпа NAND флеш-пам’яті. Для реалізації цього проекту була використана технологія Through Silicon Via (TSV), яка передбачає наявність спеціальних вертикальних електродів. Вони проходять через усю структуру, об’єднуючи всі використовувані ядра флеш-пам'яті в одне ціле.
У результаті такого підходу пропускна здатність (I/O data rate) перевищила 1 Гбіт/с, що вище показника будь-якої існуючої NAND-мікросхеми. При цьому робоча напруга становить 1,2 – 1,8 В (залежно від фізичного розміщення ядер), а зниження споживаної потужності при операціях читання та запису досягає 50%.
Перші прототипи нової стекової пам'яті компанії Toshiba характеризуються загальним обсягом 128 ГБ (8 шарів) і 256 ГБ (16 шарів) при висоті 1,35 і 1,9 мм відповідно. На думку розробників, вони відмінно підходять для використання в різних сферах: від масових користувацьких пристроїв до високопродуктивних SSD-дисків корпоративного класу завдяки низьким затримкам, високій пропускній здатності та відмінній енергоефективності.
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
SSD-накопичувач ADATA Premier SP550 з TLC NAND-пам'яттю
Компанія ADATA представила новий 2,5-дюймовий твердотільний накопичувач – ADATA Premier SP550. Він побудований на зв’язці TLC NAND-пам'яті, контролера Silicon Motion SM2256 та інтерфейсу SATA 6 Гбіт/с, завдяки чому досягається оптимальне поєднання надійності, продуктивності й вартості.
На ринку модель ADATA Premier SP550 буде доступна в чотирьох варіантах об’єму: 120, 240, 480 і 960 ГБ. При цьому максимальна послідовна швидкість читання та запису стискуваних даних досягає 560 і 510 МБ/с відповідно. А максимальна швидкість читання та запису довільних даних заявлена на рівні 75 000 IOPS.
Для підвищення продуктивності в ADATA Premier SP550 використовується технологія SLC caching, а от набір технологій NANDXtend (data shaping, LDPC ECC, RAID engine) сприяє збільшенню стабільності й надійності функціонування.
Докладна таблиця технічної специфікації твердотільного накопичувача ADATA Premier SP550:
Модель |
ADATA Premier SP550 |
||
Тип |
SSD |
||
Форм-фактор, дюймів |
2,5 |
||
Тип пам'яті |
TLC NAND |
||
Контролер |
Silicon Motion SM2256 |
||
Інтерфейс |
SATA 6 Гбіт/с |
||
Варіанти за обсягом, ГБ |
120 |
240 |
480 |
Швидкість послідовного читання / запису даних (ATTO Disk Benchmark), МБ/с |
560 / 410 |
560 / 510 |
560 / 510 |
Максимальна швидкість читання / запису довільних блоків обсягом 4 КБ, IOPS |
60 000 / 70 000 |
75 000 / 75 000 |
75 000 / 75 000 |
Діапазон робочих температур, °С |
0…+70 |
||
Діапазон температур зберігання даних, °С |
-40…+85 |
||
Середній час напрацювання на відмову (MTBF), годин |
1 500 000 |
||
Підтримувані технології |
NANDXtend (data shaping, LDPC ECC, RAID engine), SLC caching, SATA DevSlp |
||
Розміри, мм |
100,45 х 69,85 х 7 |
||
Маса, г |
68 |
http://adata.com
Сергій Буділовський
Toshiba представила 48-шарові BiCS TLC-мікросхеми пам'яті об’ємом 256 Гбіт
Домінуючою технологією на ринку флеш-пам'яті на даний момент є NAND Flash, однак компанія Toshiba з 2007 року активно розвиває й конкуруюче рішення – BiCS Flash (Bit Cost Scalable). Зокрема, днями вона представила нове покоління цих мікросхем, які використовують тривимірну (3D) стекову 48-шарову структуру з можливістю запису 3 біти в одну комірку (triple-level cell, TLC). Завдяки цьому вони можуть похвалитися дуже високою ємністю – 256 Гбіт або 32 ГБ.
У результаті 3D BiCS-структура не тільки перевершила традиційні 2D NAND-мікросхеми в питанні об’єму, але й може похвалитися підвищеною швидкістю запису та поліпшеною надійністю при записі й стиранні даних.
Нові BiCS-мікросхеми компанії Toshiba призначені для використання в користувацьких і промислових SSD-накопичувачах, смартфонах, планшетах і картах пам'яті. Випуск перших зразків даних чіпів почнеться вже у вересні, тому незабаром на ринок надійдуть і перші зразки готових продуктів на їхній основі.
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Захищений зовнішній накопичувач ADATA HD720 обсягом до 2 ТБ
Дуже часто інформація коштує значно дорожче, ніж фізичний носій для її транспортування, тому до останнього можуть пред'являтися підвищені вимоги в плані захисту даних від руйнівного впливу певних фізичних фактів. Новий зовнішній накопичувач ADATA HD720 напевно сподобається в цьому плані багатьом користувачам.
Справа в тому, що він відповідає стандартам IP68 і MIL-STD-810G 516.6, тобто захищає внутрішню електроніку від пилу, води (занурення на 2 метри протягом 120 хвилин) і падінь з висоти 1,8 м. Для цього конструкція новинки містить у собі внутрішній захисний кожух, зовнішній пластиковий кейс і додаткову силіконову накладку.
Сама ж модель ADATA HD720 доступна в трьох варіантах обсягу (500 ГБ, 1 і 2 ТБ) і оснащена інтерфейсом USB 3.0. На її корпусі можна зручно й надійно закріпити кабель USB 3.0, який використовується для передачі даних і живлення внутрішніх вузлів.
Серед додаткових переваг ADATA HD720 слід виділити:
- наявність сенсора G Shock, який зупиняє операції читання / запису при фіксуванні падіння або удару, що запобігає пошкодження внутрішніх компонентів;
- наявність спеціального індикатора, який сигналізує про найбільш важливі моменти при експлуатації;
- можливість завантаження функціонального додаткового ПЗ (HDDtoGO і OStoGO).
У продаж новинка надійде із 3-річною гарантією. Зведена таблиця технічної специфікації накопичувача ADATA HD720:
Модель |
ADATA HD720 |
|
Обсяг, ТБ |
0,5 / 1 / 2 |
|
Зовнішній інтерфейс |
USB 3.0 |
|
Діапазон робочих температур, °С |
+5…+50 |
|
Матеріал корпусу |
Пластик із силіконовими вставками |
|
Колір корпусу |
Чорний / синій / зелений |
|
Підтримувані ОС |
Windows XP / Vista / 7 / 8 / 8.1 Mac OS X 10.6 і вище Linux Kernel 2.6 і вище |
|
Сертифікати захисту |
IP68, MIL-STD-810G 516.6 |
|
Вбудований сенсор G Shock |
Є |
|
Розміри, мм |
129,4 х 97,9 х 20,2 мм |
|
Маса, г |
500 ГБ |
211 |
1 / 2 ТБ |
223 |
|
Гарантія, років |
3 |
http://www.adata.com
Сергій Буділовський
Intel і Micron повідомляють про прорив у питанні зберігання даних
Компанії Intel і Micron презентували спільну технологію 3D XPoint, яку вони скромно назвали технологічним проривом в області постійної пам'яті, порівнявши з винаходом NAND-пам'яті в 1989 році.
Повідомляється, що побудовані на базі 3D XPoint накопичувачі поєднують у собі високий рівень продуктивності (в 1000 разів швидші, аніж NAND), надійності (в 1000 разів) і щільності зберігання (у 100 разів), а також низьке енергоспоживання та доступну вартість.
Технологія 3D XPoint передбачає використання інноваційної хрестоподібної тривимірної архітектури, у якій комірки пам'яті розташовані на перетині ліній бітів і слів, що дозволяє індивідуально звернутися до будь-якої комірки. У результаті можна швидше записувати й зчитувати потрібні дані, що суттєво прискорює обмін інформацією.
Перші пристрої на основі технології 3D XPoint будуть доступні в якості тестових зразків уже до кінця цього року. Компанії Intel і Micron будуть розробляти власні продукти на її основі.
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Показати ще