Нові модулі пам’яті Transcend 4ГБ DDR3 DRAM з пропускною здатністю 2 Гб/с

Компанія Transcend оголосила про випуск трьох нових модулів пам’яті 4GB DDR3 DRAM, які мають 2-гігабітні (2 Гб/с) мікросхеми DDR3 з високою щільністю: DDR3 1333 МГц DIMM звичайного розміру, DDR3 1333 МГц SO-DIMM для мобільних систем та DDR3 1066 МГц SO-DIMM.

Стандартні 240-контактні модулі DDR3-1333 з об’ємом 2 ГБ виробництва Transcend розраховані на роботу в настільних комп’ютерах та підтримують швидкість 1333 МГц із затримками 9-9-9, так само як і модулі на 4 ГБ DDR3-1333 SO-DIMM для ноутбуків, які також працюють з частотою 1333 МГц та затримками 9-9-9. Модулі DDR3-1066 SO-DIMM з об’ємом 4 ГБ мають частоту 1066 МГц та затримки CL7. Кожен модуль є оптимізованим для стабільної роботи під напругою 1.5 В та набраним з енергоефективних мікросхем високої щільності, які підтримують швидкість передавання даних до 2 Гб/с, що дозволяє вибагливим користувачам досягти найкращого співвідношення продуктивності та енергоспоживання у їхніх комп’ютерах та ноутбуках.

Завдяки впровадженню передових мікросхем DDR3 з високою щільністю та пропускною здатністю 2 Гб/с, які виробляються за найкращим на даний час 40-нм техпроцесом, нові модулі DDR3 від Transcend дозволяють ефективно збільшити об’єм пам’яті комп’ютера, водночас зменшуючи його енергоспоживання. Нові мікросхеми пам’яті не лише відрізняються високою щільністю та енергоефективністю, але також допомагають подовжити строк експлуатації комп’ютера, що є ключовим фактором для серверного обладнання.

Всі три нові модулі пам’яті DDR3 від Transcend є повністю відповідними до стандартів JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) та набираються з високоякісних мікросхем DDR3 FBGA з об’ємом 256 МБ, які мають покращені характеристики розсіювання тепла та зменшені електричні втрати. Кожен новий модуль пам’яті DDR3 від Transcend має довічну гарантію та пропонує незрівнянну надійність для сучасних комп’ютерів, ноутбуків та робочих станцій.

Transcend 

Триканальні набори оперативної пам’яті Super Talent DDR3-2000

Компанія Super Talent представила новий високопродуктивний набір триканальної оперативної пам’яті DDR3 загальним об’ємом 24 ГБ. Він складається з шести планок, кожна з яких маэ ємність 4 ГБ та функціонує на тактовій частоті 2000 МГц. Модулі оперативної пам’яті Super Talent DDR3-2000 націлені на використання ентузіастами у найсучасніших платформах і протестовані на материнській платі ASUS Rampage III Extreme (чіпсет Intel X58). Згідно офіційному прес-релізу, компанія Super Talent вже почала їх відвантаження, проте ще не оголосила рекомендованої ціни.  

Коротка таблиця специфікації нового набору оперативної пам’яті Super Talent:

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергій Буділовський

I-O Data підготувала лінійку SD-карт пам’яті

Компанія I-O Data анонсувала початок випуску нової серії карт пам’яті базового стандарту SD, які підтримують другий клас швидкодії, що гарантує мінімальну швидкість запису на рівні 2 МБ/с. До складу нової лінійки увійшли також карти пам’яті SDHC, microSD та microSDHC, які продаватимуться з SD- адаптерами. Усі новинки виготовлені з безпечних матеріалів у відповідності із директивою RoHS  та надійдуть у продаж до кінця поточного місяця.

Коротка специфікація нових карт пам’яті від компанії I-O Data представлена в таблиці:

http://www.tcmagazine.com
http://www.iodata.jp
Сергій Буділовський

Нові 2 ГБ модулі оперативної пам’яті Super Talent Green DDR3

Анонсовано початок продажу нових 2 ГБ модулів екологічно безпечної оперативної пам’яті Super Talent Green DDR3, які зібрані на базі 1 Гб мікросхем. Характерними особливостями новинок є менша напруга живлення (1,35 В) замість стандартного значення 1,575В та низькопрофільний дизайн – їх висота становить 18,3 мм, в той час як для звичайних модулів цей показник складає 29,97 мм. Ці два нововведення забезпечують з однієї сторони зниження витрат на виготовлення і транспортування нових модулів Super Talent Green DDR3, а з іншої – зменшення потужності споживання, викидів CO₂ та кращому охолодженню. Як наслідок, зростає їх економічна та екологічна ефективність.

Коротка специфікації нових модулів оперативної пам’яті Super Talent Green DDR3 приведена у нижчеподаній таблиці:

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергій Буділовський

Перші в світі 4 ГБ модулі пам’яті Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM

Американська компанія Super Talent анонсувала появу перших у світі оптимізованих модулів оперативної пам’яті DDR3 SO-DIMM, об’ємом 4 ГБ. Новинки працюватимуть на тактовій частоті 1600 МГц і отримали конфігурацію 512М х 64. Вони націлені на ринок високопродуктивних ігрових лептопів.

На сьогоднішній день, декілька компаній вже виготовляють 4 ГБ DDR3 SO-DIMM модулі оперативної пам’яті, але з максимальною тактовою частотою 1333 МГц. Збільшення тактової частоти до 1600 МГц дозволить підвищити продуктивність функціонування усієї системи в цілому. Нові 4 ГБ модулі оперативної пам’яті Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM надійдуть у продаж за декілька тижнів.

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергій Буділовський

Оновлена лінійка оперативної пам’яті Transcend JetRam

Компанія Transcend анонсувала розширення лінійки DDR3 оперативної пам’яті JetRam новими 4 ГБ модулями. При їх виготовленні застосовувалися норми 40 нм технологічного процесу, що дозволило збільшити об’єм при одночасному скороченні потужності споживання. Новинки поповнять як десктопний, так і мобільний сегменти ринку.

Кожен модуль перевірено на надійність та оптимізовано для стабільної роботи при номінальній напрузі живлення 1,5 В. Коротка таблиця специфікації оперативної пам’яті Transcend JetRam:

http://www.tcmagazine.com
http://www.transcendusa.com
Сергій Буділовський

Elpida анонсувала 2 Гб DDR3-чіпи оперативної пам’яті за 30 нм техпроцесом

Японська компанія Elpida завершила розробку 2 Гб чіпів оперативної пам’яті стандарту DDR3, при виготовлені яких використовувалися норми 30 нм технологічного процесу. Перехід на новий техпроцес забезпечить збільшення на 45% кількості мікросхем, що виготовляються з однієї пластини, в порівнянні з 40 нм чіпами. Це дозволить ефективніше використовувати сировину і зменшити кінцеву собівартість їх виготовлення. Також новинки володіють зниженим на 15% рівнем споживанням струму в активному режимі і на 10% - в режимі очікування, що сприятиме зниженню їх загальної потужності споживання.

Нові чіпи від компанії Elpida відповідають стандарту організації JEDEC і зможуть бути використані при виготовленні стандартних (1,5 В) модулів оперативної пам’яті DDR3-1866 МГц та низьковольтних (1,35 В) планок DDR3L-1600 МГц.

Масове виробництво 2 Гб DDR3-чіпів оперативної пам’яті за 30 нм технологічним процесом почнеться в грудні поточного року.

http://www.tcmagazine.com
Сергій Буділовський

Silicon Power анонсувала нову лінійку оперативної пам’яті DDR3-1333 МГц

Компанія Silicon Power має намір в найближчому майбутньому почати продаж нової лінійки оперативної пам’яті, яка повністю сумісна з платформами Intel та AMD. До модельного ряду входять одинарні 4 ГБ модулі, двоканальні 8 ГБ (2 х 4 ГБ) та триканальні 12 ГБ (3 х 4 ГБ) набори.

Новинки працюють на тактовій частоті 1333 МГц, використовують топологію Fly-by для ефективнішої організації сигналів даних, адрес, керування та синхронізації, а також підтримують технологію ODT (On-DIE Termination), яка суттєво зменшує небажані відбивання сигналів та збільшує швидкість передачі інформації. Інтегрований код корекції помилок (ECC) підвищує надійність роботи оперативної пам’яті. Кожна планка проходить повний цикл тестування на ефективність та стабільність характеристик. Таблиця специфікації нових модулів пам’яті Silicon Power виглядає наступним чином:

http://www.tcmagazine.com
http://www.silicon-power.com
Сергій Буділовський