Масове виробництво GDDR5X-пам'яті заплановане на літо 2016 року

Компанія Micron, яка займається розробкою та просуванням стандарту оперативної пам'яті GDDR5X, повідомила приємні новини: масове виробництво нових чіпів повинне стартувати уже влітку поточного року. Більше того, команда розробників із мюнхенського підрозділу Micron Graphics DRAM Design Center уже одержала перші зразки нових чіпів, які демонструють дуже високі показники.

Спочатку планувалося, що пропускна здатність GDDR5X-пам'яті досягне 10 – 14 Гбіт/с, але уже в тестових зразках цей показник перевищив 13 Гбіт/с. Самі ж мікросхеми створені із застосуванням 20-нм техпроцесу, а їх ємність становить 8 Гбіт (1 ГБ). Досягненню настільки високої пропускної здатності посприяв новий режим «QDR». При цьому новинки характеризуються ще й поліпшеним показником споживаної потужності на кожний переданий біт інформації (VDD/VDDQ), який зменшився до 1,35 В. А новий корпус (190-контактний FBGA) зі зменшеною відстанню між контактами (0,65 мм) поліпшує електричну продуктивність.

https://www.micron.com
Сергій Буділовський

Оперативна пам'ять серії Apacer BLADE FIRE DDR4 з LED-підсвічуванням

Спеціально для геймерів, оверклокерів і модерів була розроблена й представлена нова серія оперативної пам'яті Apacer BLADE FIRE DDR4. До її складу ввійшли одиночні модулі об’ємом 4, 8 і 16 ГБ, а також двоканальні набори загальною ємністю 8, 16 і 32 ГБ. Новинки працюють на частотах від 2400 до 3200 МГц при напрузі 1,2 – 1,35 В.

Приємно відзначити, що в модулях серії Apacer BLADE FIRE DDR4 використовуються ретельно підібрані мікросхеми пам'яті, а також ефектна й ефективна система охолодження. Вона складається з алюмінієвого радіатора з пульсуючим LED-підсвічуванням (частота 44 Гц). Також новинки підтримують технологію Intel XMP 2.0 і сумісні з чіпсетами Intel 100-ої серії.

Більш докладна таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті серії Apacer BLADE FIRE DDR4:

http://www.apacer.com
Сергій Буділовський

Серія продуктивної оперативної пам'яті Team Group Team Xtreem DDR4-4000

Для всіх бажаючих використовувати високопродуктивну пам'ять компанія Team Group анонсувала нову серію – Team Group Team Xtreem DDR4-4000. До її складу увійшли одиночні модулі об’ємом 4 ГБ і двоканальні набори ємністю 8 ГБ (2 х 4 ГБ). Усі вони працюють на частоті 4000 МГц при таймінгах 18-22-22-40 і напрузі 1,35 В.

Оскільки робота при підвищених частотах сприяє більш високому тепловиділенню мікросхем пам'яті, то в серії Team Group Team Xtreem DDR4-4000 застосовуються алюмінієві радіатори з досить високими гребенями. З одного боку, вони поліпшують тепловий режим чіпів пам'яті, а з іншого – знижують сумісність із габаритними процесорними системами охолодження.

Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті серії Team Group Team Xtreem DDR4-4000:

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Новий 128-гігабайтний набір DDR4-пам'яті G.SKILL Ripjaws V

Зовсім недавно серія G.SKILL Ripjaws V була розширена 128-гігабайтним набором DDR4-3000 МГц, а тепер до нього приєднався ще більш продуктивний аналог. Новинка також включає до свого складу вісім 16-гігабайтних модулів, які працюють на частоті 3200 МГц при таймінгах 14-14-14-34 і напрузі 1,35 В. Особливо вражаючими дані параметри виглядають у порівнянні зі стандартними таймінгами для частоти DDR4-2133 МГц, які становлять 15-15-15-35. Тобто підвищення частоти супроводжується ще й зниженням затримок, що гарантує максимальну продуктивність.

Новий 128-гігабайтний набір DDR4-3200 МГц у серії G.SKILL Ripjaws V націлений на використання в парі з платформою Intel X99. Він підтримує технологію Intel XMP 2.0, яка гарантує безпроблемну активацію оптимальних налаштувань на сумісних материнських платах. Наприклад, стресове тестування за допомогою моделі MSI X99A GODLIKE Gaming і процесора Intel Core i7-5960X протягом 42 годин не викликало ніяких проблем зі стабільністю роботи на максимальній частоті.

У продаж новинка надійде в лютому за орієнтовною вартістю $1069,99. Зведена таблиця технічної специфікації нового набору оперативної пам'яті в серії G.SKILL Ripjaws V:

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Анонсовано серію оперативної пам'яті KINGMAX DDR4 Gaming RAM

У рамках виставки Taipei Game Show 2016, яка відбудеться з 29 січня по 2 лютого в Тайбеї, компанія KINGMAX представить нову серію ігрової оперативної пам'яті - KINGMAX DDR 4 Gaming RAM. До її складу увійшли моделі об'ємом 4, 8 і 16 ГБ, які працюють на частотах від 2800 до 3200 МГц. Також виробник обіцяє низькі CAS-затримки для прискореної роботи і підтримку технології Intel XMP 2.0 для простої активації закладеного в них оверклокерського потенціалу.

Для ефективнішого охолодження самих мікросхем пам'яті модулі серії KINGMAX DDR 4 Gaming RAM оснащені ефектними алюмінієвими радіаторами, представленими в трьох кольорах: блакитному, червоному і золотистому. З іншого боку, їх високі гребені можуть перешкодити встановленню габаритних процесорних систем охолодження, тому перед придбанням варто приділити особливу увагу питанню сумісності.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

JEDEC анонсувала публікацію стандарту пам'яті GDDR5X

Організація JEDEC Solid State Technology Association анонсувала публікацію стандарту JESD232 Graphics Double Data Rate (GDDR5X) SGRAM, активною розробкою і просуванням якого займається компанія Micron. Тепер він доступний для безкоштовного завантаження з офіційного веб-сайту, що дало старт його комерційному освоєнню. Сама пам'ять націлена на використання першочергово в графічних адаптерах.

Як і передбачалося раніше, ключова відмінність GDDR5X від GDDR5 лежить у збільшеній в два рази (до 10 - 14 Гбіт/с) пропускній здатності, що дає змогу досягти істотного приросту в рівні продуктивності. Більш того, екосистеми GDDR5X і GDDR5 повністю ідентичні, тобто розробникам графічних адаптерів не потрібно міняти дизайн друкованих плат для переходу на новий стандарт. Завдяки цьому очікується швидке просування нового стандарту на ринку, особливо в категорії середньопродуктивних відеокарт, для яких використання HBM-пам'яті поки залишається досить дорогим задоволенням.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Серія оперативної пам'яті Corsair Vengeance LPX поповнилася наборами об’ємом від 32 до 128 ГБ

Підвищити рівень конкуренції на ринку DDR4-пам'яті вирішила компанія Corsair, яка розширила лінійку Corsair Vengeance LPX. Тепер у її складі можна знайти багатоканальні набори загальним об’ємом 32 ГБ (4 х 8 ГБ), 64 ГБ (4 х 16 ГБ) і 128 ГБ (8 х 16 ГБ). Усі представлені новинки використовують якісну пасивну систему охолодження та підтримують специфікацію Intel XMP 2.0, яка дозволяє швидко й легко активувати закладений у них потенціал.

32-гігабайтні набори серії Corsair Vengeance LPX представлені в чорному та червоно-чорному варіантах. Ефективна швидкість їх роботи досягає 3600 МГц при напрузі 1,35 В і таймінгах CL16-19-19-39. 64-гігабайтні комплекти також доступні у двох версіях, однак їхня ефективна частота становить лише 3333 МГц при аналогічній напрузі та затримках CL16-18-18-36. Флагманський 128-гігабайтний набір можна придбати лише в чорному кольорі. Швидкість його роботи досягає 3000 МГц, а таймінги та напруги відповідають показникам 64-гігабайтного набору.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Samsung почала масове виробництво 4-гігабайтних мікросхем HBM2

З гордістю компанія Samsung представила перші в індустрії мікросхеми оперативної пам'яті стандарту HMB2 об’ємом 4 ГБ. Вони створені на основі 20-нм техпроцесу і призначені для використання в HPC-системах і відеокартах нового покоління.

Структура нових мікросхем Samsung 4GB HBM2 DRAM складається з буфера, поверх якого розміщені чотири 8-гігабітні ядра DRAM-пам'яті. У кожному з них зроблено понад 5000 TSV-отворів – це у понад 36 разів більше, аніж у найсучасніших мікросхемах 8 Gb TSV DDR4. Завдяки цьому суттєво підвищується продуктивність при передачі даних. Наприклад, у новинках цей показник досягає 256 ГБ/с, у рішеннях HBM DRAM він заявлений на рівні 128 ГБ/с, а для чіпів 4 Gb GDDR5 DRAM становить усього 36 ГБ/с.

Також мікросхеми Samsung 4GB HBM2 DRAM мають підтримку ECC-корекції й у два рази краще співвідношення пропускної здатності на ват, аніж 4-гігабітні чіпи GDDR5. У результаті вони забезпечують не тільки більш надійну та швидку роботу, але й вимагають менше енергії. Цього року Samsung планує почати масове виробництво ще й 8-гігабайтних мікросхем HBM2-пам'яті, призначених у першу чергу для топових відеокарт.

https://news.samsung.com
Сергій Буділовський