Crucial Ballistix Sport LT Red DDR4 – стильна серія оперативної пам'яті

Компанія Crucial вивела на ринок нову серію оперативної пам'яті – Crucial Ballistix Sport LT Red DDR4, до складу якої увійшли модулі стандарту DDR4 з об'ємом 4, 8 і 16 ГБ. У продажу вони будуть доступні в одно-, дво- і чотириканальних конфігураціях, тобто максимальний об’єм наборів сягає 64 ГБ.

Рішення серії Crucial Ballistix Sport LT Red DDR4 працюють на ефективній частоті 2400 МГц при таймінгах 16-16-16 і напрузі 1,2 В. Для відводу надлишків тепла і надання модулям стильного вигляду використовуються низькопрофільні радіатори, які лише на кілька міліметрів здіймаються над друкованою платою. Тому вони не повинні суттєво вплинути на сумісність новинок з габаритними процесорними системами охолодження.

Зведена таблиця технічної специфікації серії Crucial Ballistix Sport LT Red DDR4:

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Набір оперативної пам'яті G.SKILL Trident Z DDR4 3600 з низькими таймінгами

Як відомо, таймінги оперативної пам'яті мають суттєвий вплив на швидкість роботи. Особливо важливими вони стають в оверклокерських бенчмарках, коли нижчі затримки дозволяють досягти кращих результатів, ніж бездумне підвищення частоти.

Тому компанія G.SKILL представила новий набір оверклокерської пам'яті в серії G.SKILL Trident Z DDR4. Він складається з двох модулів об'ємом 8 ГБ, які працюють на частоті 3600 МГц при напрузі 1,35 В. Таймінги при цьому становлять всього 15-15-15-35. А оскільки новинка підтримує технологію Intel XMP 2.0, у системах з процесорами компанії Intel активація максимально продуктивного режиму роботи не складе особливих труднощів.

У продаж новий комплект надійде в кінці квітня 2016 року. Зведена таблиця технічної специфікації набору оперативної пам'яті G.SKILL Trident Z DDR4 3600:

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Samsung почала масове виробництво 10-нм DRAM-мікросхем DDR4-пам'яті

В 2014 році компанія Samsung першою в індустрії оперативної пам'яті почала використовувати 20-нм техпроцес для виробництва 4-гігабітних чіпів DDR3 DRAM. Через два роки вона залишається лідером у плані інтеграції нових технологій, оголосивши про початок масового випуску 10-нм 8-гігабайтних мікросхем DDR4 DRAM і модулів пам'яті, створених на їхній основі.

Примітно, що для цього фахівцям Samsung вдалося використовувати існуючу літографію на основі фтористого аргону, без переходу до EUV (Extreme Ultra Violet) обладнання. Однак не обійшлося без інтеграції ряду фірмових технологій: Cell Design, Quadruple Patterning і Ultra-Thin Dielectric Layer Deposition.

Нові 10-нм мікросхеми DDR4-пам'яті характеризуються помітним ростом продуктивності та енергоефективності. Наприклад, у порівнянні з 20-нм аналогами їхня пропускна здатність збільшилася з 2400 до 3200 Мбіт/с або на 33%. У той же час енергоспоживання знизилося на 10-20%. Завдяки цьому новинки ще краще підійдуть для створення високопродуктивних модулів з хорошим розгінним потенціалом, а мобільні пристрої відчують додаткове зниження навантаження на акумулятор.

У найближчому майбутньому на ринку з'являться нові SO-DIMM-модулі DDR4-пам'яті на основі 10-нм мікросхем загальним об’ємом від 4 ГБ, а також DIMM-планки загальною ємністю до 128 ГБ. Пізніше цього року Samsung обіцяє представити мобільні 10-нм чіпи DDR4-пам'яті, які будуть націлені на використання в смартфонах і планшетах.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Оперативна пам'ять G.SKILL Ripjaws DDR4-3000 MHz SO-DIMM для продуктивних ноутбуків і міні-ПК

Лінійка компактної оперативної пам'яті G.SKILL Ripjaws DDR4 SO-DIMM поповнилася черговою серією – G.SKILL Ripjaws DDR4-3000 MHz SO-DIMM. До її складу ввійшли як одиночні модулі об’ємом 8 і 16 ГБ, так і двоканальні комплекти загальною ємністю 16 ГБ (2 х 8 ГБ) і 32 ГБ (2 х 16 ГБ). Усі новинки працюють на частоті 3000 МГц при напрузі 1,2 В, хоча зазвичай DDR4-модулі підкоряють таку позначку лише при напрузі 1,35 В.

Рішення серії G.SKILL Ripjaws DDR4-3000 MHz SO-DIMM націлені на використання в складі продуктивних ноутбуків і компактних систем. Саме при такому сценарії DDR4-пам'ять може максимально розкрити свої переваги: інтегрована графіка демонструє помітний приріст при роботі оперативної пам'яті на підвищеній частоті, а зменшене енергоспоживання знизить навантаження на внутрішній акумулятор (у випадку ноутбуків).

В продажі новинки можна буде шукати уже в цьому місяці. Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті G.SKILL Ripjaws DDR4-3000 MHz SO-DIMM:

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Team Group Delta – серія продуктивної й ефектної DDR4-пам'яті

В першу чергу для геймерів і моддерів, яким важливий не лише рівень продуктивності, але й зовнішній вигляд пристроїв, що купуються, компанія Team Group представила нову серію оперативної DDR4-пам'яті – Team Group Delta.

До її складу увійшли два двоканальних комплекти загальним обсягом 8 ГБ (2 х 4 ГБ) і 16 ГБ (2 х 8 ГБ). Обидва вони доступні в двох варіантах тактової частоти 2400 або 3000 МГц. Відповідно, відрізняються й інші показники продуктивності. Моделі DDR4-2400 працюють з меншими затримками (15-15-15-35) і при нижчій напрузі (1,2 В). А для моделей DDR4-3000 аналогічні параметри досягають 16-16-16-36 і 1,35 В відповідно.

Для охолодження мікросхем пам'яті всі планки серії Team Group Delta оснащені ефективними алюмінієвими радіаторами з вбудованим LED-підсвічуванням, яке працює в пульсуючому режимі. У продаж усі вони надійдуть з довічною гарантією. Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті серії Team Group Delta:

http://www.teamgroupinc.com
Сергій Буділовський

KINGMAX ZEUS DDR4, KINGMAX PJ-05 OTG і KINGMAX SMQ – весняні новинки в арсеналі KINGMAX

Компанія KINGMAX суттєво розширила модельний ряд своєї продукції, представивши відразу три новинки: швидкісну оперативну пам'ять KINGMAX ZEUS DDR4, універсальний флеш-накопичувач KINGMAX PJ-05 OTG і доступний SSD KINGMAX SMQ.

Серія оперативної пам'яті KINGMAX ZEUS DDR4 у першу чергу націлена на любителів ігор, оскільки пропонує високий рівень продуктивності. До її складу увійшли модулі об’ємом 4, 8 і 16 ГБ, а також двоканальні набори ємністю 8, 16 і 32 ГБ. Вони працюють на частотах від 2800 до 3200 МГц із затримками CL14 – CL16 при напрузі 1,35 В. А за охолодження відповідає яскравий алюмінієвий радіатор з оребренням.

Інформації про флеш-накопичувачі KINGMAX PJ-05 OTG найменше. Відомо лише, що ця компактна новинка (32 х12 х 7 мм) оснащена двома інтерфейсами (USB 2.0 і micro-USB) для обміну даними між мобільними гаджетами (смартфонами, планшетами) і десктопними ПК. Вона точно буде представлена в об’ємі 32 ГБ, але можливі й інші ємності.

Що ж стосується SSD-накопичувача KINGMAX SMQ, то він позиціонується як доступна заміна традиційних жорстких дисків. Новинка створена на основі TLC-мікросхем пам'яті й представлена у трьох варіантах ємності (120, 240 і 480 ГБ). В якості зовнішнього інтерфейсу використовується SATA 6 Гбіт/с. У результаті максимальна послідовна швидкість читання досягає 500 МБ/с, а запису – 380 МБ/с.

Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті серії KINGMAX ZEUS DDR4:

Зведена таблиця технічної специфікації накопичувачів KINGMAX SMQ:

http://www.kingmax.com
Сергій Буділовський

Micron почала відвантаження партнерам зразків GDDR5X-пам'яті

Компанія Micron повідомила про початок поставок тестових зразків мікросхем GDDR5X-пам'яті для своїх партнерів. Мова йде про чіпи ємністю 8 Гбіт (1 ГБ) і 16 Гбіт (2 ГБ), що дозволить виробникам відеокарт створити версії графічних адаптерів з 8 або 16 ГБ пам'яті на борту. Для зв'язку із графічним процесором підсистема відеопам'яті використовуватиме 256-бітну шину (одна мікросхема на 32-бітний канал).

Новинки мають підвищену швидкість передачі інформації (10 – 16 Гбіт/с замість 7-8 Гбіт/с) і знижену робочу напругу (1,35 В замість 1,5 В). Тобто вони забезпечують набагато вищий показник продуктивність / ват, аніж стандарт GDDR5, зберігаючи при цьому сумісність із попередньою екосистемою, що суттєво спрощує перехід на новий стандарт.

Відзначимо, що початок поставок тестових зразків – це одна з фінальних стадій перед початком масового виробництва кінцевого продукту, старт якого офіційно запланований на літо поточного року. Згідно з попередньою інформацією, компанії AMD і NVIDIA зацікавлені у використанні GDDR5X-пам'яті замість GDDR5 в лінійках своїх відеокарт, що дозволить збільшити їхню продуктивність, не застосовуючи більш дорогу HBM-пам'ять.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Ціни на DRAM-пам'ять у другій половині 2016 року можуть упасти на 40%

В одному зі своїх останніх інтерв'ю президент тайванської компанії Nanya Technology, повідомив, що існує висока імовірність значного падіння цін на оперативну пам'ять у другій половині цього року. Причина ховається в тому, що лідери галузі (Samsung, SK Hynix і Micron) активно освоюють нові техпроцеси, які дозволяють випускати мікросхеми більш високої ємності. У свою чергу це приводить до зниження кінцевої їхньої вартості.

З іншого боку, попит на мікросхеми пам'яті останнім часом традиційно демонструє спадну динаміку, слідом за попитом на десктопні та мобільні комп'ютери. Трохи рятує ситуацію позитивна динаміка на ринку смартфонів, але й тут підвищення попиту уповільнюється. В результаті поліпшена пропозиція на тлі низького попиту підштовхує ціни вниз. Орієнтовне зниження в другому кварталі може досягнути 30-40%, але президент тайванської компанії Nanya Technology сподівається, що воно не перевищить 20-30%. Нагадаємо, що за результатами 2015 року ціни на DRAM-пам'ять просіли на 20-30%.

http://www.dvhardware.net
Сергій Буділовський