Ціни на оперативну пам'ять у наступному році можуть піднятися на 30%

Зараз ми насолоджуємося періодом низьких цін на оперативну пам'ять, але такий стан речей може змінитися вже в наступному році. Відповідно до джерел авторитетного порталу DigiTimes, середні ціни продажу (Average selling prices (ASP)) у сегменті DRAM у 2020 році можуть зрости на 30%.

Головна причина полягає в стабільно високому попиті на оперативну пам'ять у сегменті серверів і мобільних пристроїв. Підіграють такому сценарію і самі виробники ОЗП: вони не поспішають вкладатися в розширення виробничих потужностей. Наприклад, у 2020 році вони збільшать виробництво лише на 12,5% - це найнижчий показник зростання за останні 10 років. Таким чином, якщо попит буде сильно перевищувати пропозицію, то ціни на оперативну пам'ять знову поповзуть вгору. І якщо ви планували розширення ОЗП, то зараз для цього найкращий час.

https://www.tomshardware.com
https://www.dvhardware.net
Сергій Буділовський

G.SKILL представила нові 4-канальні набори ОЗП для HEDT-платформ AMD і Intel

Компанія G.SKILL розширила асортимент своєї продукції новими 4-канальними наборами оперативної пам'яті серій Trident Z Neo і Trident Z Royal для HEDT-платформ AMD Socket sTRX4 (AMD TRX40) і Intel Socket LGA2066 (Intel X299).

Йдеться про рішення загальним обсягом 32 ГБ (4 х 8 ГБ), 64 ГБ (4 х 16 ГБ, 8 х 8 ГБ), 128 ГБ (8 х 16 ГБ; 4 х 32 ГБ) і 256 ГБ (8 х 32 ГБ ). Їх тактові частоти знаходяться в межах від 2666 до 4000 МГц при напрузі 1,2 - 1,45 В.

Найбільш продуктивні набори DDR4-3800 і DDR4-4000 призначені для HEDT-платформи Intel. Для володарів AMD пропонують комплекти з максимальною частотою DDR4-3600. Усі вони підтримують технологію Intel XMP 2.0 і з'являться у продажу в кінці 2019 року.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Ринок оперативної пам'яті повернувся до зростання після трьох збиткових кварталів

Згідно з останнім з аналітичним звітом DRAMeXchange, попит на ринку оперативної пам'яті повернувся до здорового рівня, що дуже порадувало виробників мікросхем DRAM. Їх загальна виручка в третьому кварталі зросла на 4%, закінчивши тим самим період спаду, який тривав три квартали поспіль. Більш того, три ключових виробники планують збільшити постачання своєї продукції в четвертому кварталі, щоб задовольнити зростаючий попит на ринку.

Samsung поліпшила продажі на 30% і підняла виручку на 5% (до $7,12 млрд) у порівнянні з показниками попереднього кварталу. Головна причина її зростання - активна закупівля мікросхем пам'яті китайськими виробниками смартфонів і відновлення ринку серверів.

Рівень продажів SK Hynix виріс на 20%, а виручка - на 3,5% (до $4,41 млрд). А ось у Micron продажі зросли на 30% порівняно зі слабкими показниками другого кварталу. Виручка досягла $3,07 млрд. Проте загальна частка її ринку впала до 19,9% через зростання показників Samsung і Nanya.

https://press.trendforce.com
Сергій Буділовський

Швидше ніж XMP: нова технологія GIGABYTE AORUS Memory Boost для розгону фірмової пам'яті

Компанія GIGABYTE представила два нових комплекти оперативної пам'яті серії AORUS RGB Memory. Обидва вони мають в своєму складі по два 8-гігабайтних модулі з номінальною частотою DDR4-2666 МГц і можливістю роботи в режимі DDR4-3600 після активації XMP-профілів. Відрізняються лише тим, що у версії Demo Kit є два фальшивих модулі - вони використовують той же дизайн і RGB LED-підсвічування, але не мають в своєму складі чіпів пам'яті. Вони призначені виключно для краси, щоб зайняти всі доступні DIMM-слоти.

Разом із новими наборами дебютувала і технологія GIGABYTE AORUS Memory Boost. Вона буде активна тільки в деяких фірмових материнських платах. Чи додається до BIOS і автоматично активує більш високу тактову частоту для фірмової ОЗП. Наприклад, для двох цих комплектів швидкість підвищується до DDR4-3700 / 3733 МГц.

Порівняльна таблиця технічної специфікації нових наборів ОЗП лінійки GIGABYTE AORUS RGB Memory:

https://www.techpowerup.com
https://www.gigabyte.com
Сергій Буділовський

Оперативна пам'ять Micron двічі побила рекорд G.SKILL

У вересні відомий тайванський оверклокер Toppc використовував модулі серії G.SKILL Trident Z Royal для встановлення нового світового рекорду частоти оперативної пам'яті - DDR4-6016,8 МГц. Але під кінець жовтня це досягнення вдалося двічі побити модулі серії Ballistix Elite 4000 від компанії Micron.

Спочатку інший тайванський оверклокер Bianbao зміг підняти частоту до рівня DDR4-6024,4 МГц. Для цього він використовував материнську плату ASUS Crosshair VIII IMPACT і процесор AMD Ryzen 5 3600X зі зниженням частоти до 2,2 ГГц. Для охолодження CPU і ОЗП використовувалася система на основі рідкого азоту.

Потім настав зоряний час грецького ентузіаста OGS. За допомогою аналогічного тестового стенда він підняв частоту ОЗП до рівня DDR4-6054,4 МГц. До речі, в обох разах використовувалася нова версія BIOS на основі мікрокоду AGESA 1.0.0.4.

https://www.techpowerup.com
https://hwbot.org
Сергій Буділовський

Тепер і в арсеналі Team Group є 32-гігабайтні модулі пам'яті

Без гучної презентації компанія Team Group додала 32-гігабайтні модулі оперативної пам'яті до серії ELITE. Вони повністю відповідають вимогам стандартів JEDEC і перевірені на сумісність з актуальними платформами.

Новинки представлені у вигляді одиночних модулів і двоканальних наборів загальним об'ємом 64 ГБ. Вони працюють на частотах 2400/2666 МГц при напрузі 1,2 В. Це дозволило відмовитися від додаткового радіатора, що знижує кінцеву вартість і підвищує сумісність із габаритними кулерами.

Зведена таблиця технічної специфікації 32-гігабайтних модулів серії Team Group ELITE:

https://www.teamgroupinc.com
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

На 40% ефективніше: SK hynix представила 16-гігабітні чіпи DDR4-пам'яті

Компанія SK hynix із гордістю представила найбільш ємні в індустрії 16-гігабітні мікросхеми пам'яті DDR4, створені на основі техпроцесу 1z нм. Їх виробництво не вимагає використання дорогої EUV літографії, а значить є всі передумови для зниження кінцевої вартості.

Пропускна здатність новинок досягає 3200 Мбіт/с - це найбільший номінальний показник для інтерфейсу DDR4. При цьому енергоефективність готових модулів на базі цих чіпів покращилася на 40% у порівнянні з аналогічними по щільності модулями, створеними на основі 8-гігабітних чіпів минулого покоління (технологія 1y нм).

Масове виробництво 1z-нм мікросхем пам'яті заплановано на наступний рік. SK hynix також планує використовувати цю технологію для створення чіпів LPDDR5 і HBM3.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Нові набори ОЗП серій DDR4-4000 G.SKILL Trident Z і Trident Z Royal із таймінгами CL15

Зазвичай підвищення продуктивності оперативної пам'яті досягається двома шляхами: збільшенням тактової частоти або зниженням таймінгів. Компанії G.SKILL вдалося поєднати їх в нових 32-гігабайтних (4 х 8 ГБ) наборах серій Trident Z і Trident Z Royal.

Новинки можуть працювати на ефективній частоті DDR4-4000 при таймінгах CL15-16-16-36 і напрузі 1,5 В. А все завдяки використанню легендарних чіпів Samsung B-die. Раніше кращими затримками для режиму DDR4-4000 вважалися CL17.

Для порівняння: пропускна здатність комплекту ОЗП DDR4-3200 із затримками CL14 у тесті читання бенчмарку AIDA64 знаходиться в межах 50 ГБ/с для системи з процесором AMD Ryzen 9 3900X. Заміна цієї пам'яті на DDR4-4000 із таймінгами CL15 підвищує пропускну здатність до 61 ГБ/с або на 22%.

Обидва нових набори ОЗП серій DDR4-4000 G.SKILL Trident Z і Trident Z Royal підтримують технологію Intel XMP 2.0 для простоти розгону. Вони надійдуть до продажу до кінця поточного року.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський