SK Hynix прогнозує обмежені постачання DRAM до 2028 року через пріоритет ШІ-рішень

SK Hynix провела внутрішню зустріч, на якій компанія представила прогноз, що обмежені постачання товарної DRAM — яка включає DDR5/DDR4, GDDR6/GDDR7 та LPDDR5x/LPDDR6 — триватимуть аж до 2028 року.

Усі вищезгадані варіанти DRAM є важливими для компонентів ПК та консолей, що ставить споживачів під загрозу значного зростання цін. Компанія очікує, що запаси постачальників пам'яті виснажуватимуться, оскільки виробничі потужності не збільшуватимуться для задоволення попиту, що є відхиленням від звичайної реакції ринку.

Водночас SK Hynix зазначила, що ця ситуація не стосуватиметься найсучасніших рішень компанії, таких як HBM та SOCAMM. Очікується, що ці продукти отримають додаткове розширення потужностей без впливу обмежених постачань, оскільки вони споживаються у великих обсягах для інтеграції в продукти штучного інтелекту (графічні процесори та сервери).

Нещодавно SK Hynix розпочала встановлення більшої кількості машин EUV. Повідомляється, що компанія планує встановити 20 одиниць EUV з низькою числовою апертурою (Low-NA) протягом наступних двох років, усі з яких призначені для пам'яті HBM та передових рішень для зберігання даних. Як результат, заплановане розширення потужностей DRAM не принесе користі групі товарної DRAM, оскільки всі нові потужності SK Hynix обслуговуватимуть лише клієнтів її центрів обробки даних. Проте, не всі компанії дотримуються цього шляху. Деякі конкуренти SK Hynix, наприклад, Samsung, як повідомляється, перерозподіляють частину своїх виробничих потужностей HBM на звичайну DRAM, щоб задовольнити споживчий попит.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Samsung розробляє пам'ять GDDR7 на 40 Гбіт/с із місткістю 3 ГБ

На Корейському технологічному фестивалі 2025 року в Сеулі пам'ять Samsung GDDR7 отримала Медаль Президента Республіки Корея як визнання інновацій.

Samsung розробляє цей чип пам'яті наступного покоління на 12-нм вузлі DRAM, досягаючи швидкості 40 Гбіт/с при місткості 3 ГБ (24 Гбіт/с). Раніше Samsung презентувала зразки GDDR7 зі швидкістю 36 Гбіт/с.

Підтвердження масового виробництва 3-гігабайтних модулів є важливим, оскільки така місткість є рідкістю. Samsung також виробляє 3-гігабайтні модулі з пропускною здатністю 28 Гбіт/с, які вже перебувають у масовому виробництві, ймовірно, для майбутнього оновлення NVIDIA SUPER у середині циклу.

Поки Samsung тестує 40 Гбіт/с модулі, конкуренція загострюється. SK Hynix готується представити свій 24-гігабітний чип GDDR7, розрахований на пропускну здатність 48 Гбіт/с, що значно перевищує очікувані раніше показники. Такий швидкий розвиток GDDR7 свідчить про те, що виробники пам'яті намагаються встигати за високим попитом галузі на збільшення пропускної здатності.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Samsung може перевести частину потужностей з виробництва HBM3E у звичайну DRAM

Оскільки Samsung переходить на виробництво пам'яті HBM4, компанія, за повідомленнями, розглядає можливість переведення частини своїх виробничих потужностей, призначених для HBM3E, на випуск звичайної DRAM, щоб задовольнити поточний високий попит.

Обговорення зосереджені на переведенні 30–40% потужностей з 10-нм класу четвертого покоління (1a DRAM) на 10-нм клас п'ятого покоління (1b лінійка), яка використовується для виробництва DDR5, LPDDR5X, LPDDR6 та GDDR7. Завдяки додатковим інвестиціям у перепрофілювання, Samsung очікує вивільнити еквівалент близько 80 000 пластин на місяць.

Це несподіване рішення викликане економічними міркуваннями. Хоча HBM традиційно вважається більш маржинальною, внутрішні оцінки Samsung показують, що операційний прибуток для стека HBM3E із 12 шарів становить близько 30%. На противагу цьому, найближчі очікування щодо DRAM загального призначення перевищують 60%. Ці відмінності в маржі, разом із прогнозами значного зниження середніх цін продажу HBM3E, зменшили стимул до розширення виробництва HBM3E.

З огляду на рекордно високий попит на DRAM, Samsung нічого не втратить: вся доступна DRAM буде поглинена індустрією ШІ. Будь-які залишки потужностей HBM3E будуть зайняті розробниками ASIC, такими як Google, Broadcom та MediaTek. Однак, знадобиться кілька місяців, щоб ці виробничі зміни проявилися в ланцюжку постачання.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

XPG випустила нову серію ігрової пам'яті ARMAX DDR5

XPG представила нову серію ігрової пам'яті ARMAX DDR5, яка включає моделі ARMAX RGB DDR5 з підсвічуванням та стриману версію ARMAX DDR5 без підсвічування.

Ключовою особливістю цієї лінійки є орієнтація на оптимальну сумісність з міні-ПК малого формфактора (SFF). Завдяки радіатору заввишки всього 39,5 мм, модулі не створюватимуть перешкод для великих процесорних кулерів та іншого обладнання в компактних корпусах.

Основні характеристики:

• Продуктивність: Серія працює у діапазоні швидкостей від 6000 до 6400 МТ/с, що позиціонує її як "золоту зону" продуктивності для платформ наступного покоління.
• Технології: Пам'ять оснащена вбудованою інтегральною схемою керування живленням (PMIC) та кодом виправлення помилок (ECC).
• Розгін: Підтримується легкий розгін завдяки профілям Intel XMP 3.0 та AMD EXPO.
• Дизайн: Дизайн натхненний естетикою винищувачів-невидимок, а версія RGB підтримує XPG PRIME та програмне забезпечення основних виробників материнських плат.

Серія пам'яті XPG ARMAX DDR5 вже доступна у продажу по всьому світу та постачається з обмеженою довічною гарантією.

techpowerup.com
Павлик Олександр

SK hynix запустить тотальне розширення фабрик пам'яті DRAM, щоб подолати дефіцит

Попри те що SK hynix вже розподілила всю виробничу квоту на пам'ять на 2026 рік за попередніми замовленнями, вона вживатиме рішучих заходів для усунення дефіциту, як повідомляє видання The Chosun Daily.

У наступному році SK hynix планує модернізувати лінії випуску пам'яті на всіх своїх підприємствах, а також шукатиме додаткові площі для розміщення обладнання для виробництва DRAM.

Головні плани SK hynix щодо розширення потужностей:

• Передове підприємство M15x зосередиться на випуску HBM (High Bandwidth Memory), і його потужності розширюються в першу чергу.
• На підприємстві M14 будуть модернізовані лінії з випуску пам'яті DDR.
• На фабриках M16, M8 та M10 вона займеться оптимізацією використання доступних площ для розміщення додаткового обладнання.

За оцінками аналітиків, наступного року попит на DRAM (включаючи HBM) зросте на 18%. Через це SK hynix прискорює план зі збільшення обсягів випуску цих мікросхем, який спочатку передбачав приріст з 70 000 до 100 000 щомісячно оброблюваних кремнієвих пластин. Ба більше, деякі джерела очікують, що на підприємствах SK hynix з виробництва NAND буде проведено переоснащення, що дозволить виділити частину потужностей під випуск DRAM. Шосте покоління 10-нм техпроцесу також відіграє в цій експансії певну роль.

biz.chosun.com
Павлик Олександр

Samsung розпочала тестування пам'яті GDDR7 зі швидкістю 36 Гбіт/с та місткістю 3 ГБ

Samsung розпочала випробування своєї найшвидшої пам'яті GDDR7, що працює на швидкості 36 Гбіт/с. З місткістю 24 Гбіт/с на чип це забезпечує загальну місткість 3 ГБ на модуль, готову для наступного покоління відеокарт.

Південнокорейська компанія також виробляє 3-гігабайтні модулі зі швидкістю 28,0 Гбіт/с і вже запустила їх у масове виробництво. Це перше підтвердження масового виробництва 3-гігабайтних модулів, які є рідкістю.

Також проходять випробування модулі GDDR7 середнього класу з пропускною здатністю 28 Гбіт/с. Швидші модулі з пропускною здатністю 32 та 36 Гбіт/с, ймовірно, будуть використовуватися у професійних картах, таких як лінійка Pro-Viz від NVIDIA.

Наприклад, графічний процесор NVIDIA RTX PRO 6000 "Blackwell" вже містить модулі на 3 ГБ. Нещодавно NVIDIA оновила графічний процесор RTX PRO 5000 "Blackwell", збільшивши його обсяг пам'яті до 72 ГБ GDDR7 ECC замість 48 ГБ. Це оновлення також використовує 24 модулі, що підтверджує місткість 3 ГБ на модуль.

Це важливо для NVIDIA, оскільки компанія, як повідомляється, ще не надала партнерам остаточні специфікації карт RTX 50 SUPER. Станом на листопад жоден партнер не отримав деталей дизайну, що може свідчити про очікування остаточного вибору модулів GDDR7. Спочатку NVIDIA планувала оновлення в середині життєвого циклу на кінець першого — початок другого кварталу 2026 року. Раніше передбачалося, що три нові моделі, ймовірно RTX 5070 SUPER, RTX 5070 Ti SUPER та RTX 5080 SUPER, замінять наявні, причому всі три карти матимуть на 50% більше пам'яті, ніж їхні аналоги без SUPER.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Китайська CXMT представила пам'ять DDR5-8000 та LPDDR5X-10667

Китайська CXMT (Changxin Memory Technologies) продемонструвала свої перші модулі пам'яті DDR5-8000 та LPDDR5X-10667 на Китайській міжнародній виставці напівпровідників 2025 року. Ця продукція відповідає пропозиціям світових виробників пам'яті.

Пам'ять DDR5 від CXMT працює зі швидкістю 8000 МТ/с, тоді як пам'ять LPDDR5X досягає 10 667 МТ/с.

Ці модулі пам'яті доступні в місткостях LPDDR5X 12 Гбіт/с та 16 Гбіт/с. Модулі DDR5 масштабуються до форматів 16 Гбіт/с та 24 Гбіт/с. Пізніше вони упаковуються у різні формфактори для корпоративних серверів (RDIMM, MRDIMM, TFF MRDIMM), настільних комп'ютерів (UDIMM), ноутбуків (SODIMM) та високоякісних розгінних пристроїв (CUDIMM та CSODIMM).

У січні 2025 року були ідентифіковані нові 16-нм мікросхеми DRAM від CXMT у модулях Gloway DDR-6000 UDIMM. Ці 16-гігабітні мікросхеми DDR5 мають площу 67 квадратних міліметрів та щільність 0,239 Гбіт/с на квадратний міліметр. Комірки DRAM G4 на 20 відсотків менші, ніж у попереднього покоління G3 від CXMT. Ця розробка є результатом переходу компанії від 23-нм (G1) до 18-нм (G2) вузлів. Однак, попри цей прогрес, CXMT все ще приблизно на три роки відстає від Samsung, SK Hynix та Micron у виробничих можливостях, тому не очікуйте, що глобальний дефіцит DRAM буде вирішена найближчим часом.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Samsung перерозподіляє виробництво NAND на DRAM на корейських заводах

Samsung готує значні зміни у своїй виробничій стратегії пам'яті. Це рішення обумовлене постійним зростанням попиту на DRAM, який стимулюється розвитком глобальної інфраструктури штучного інтелекту.

Згідно з корейськими галузевими звітами, компанія планує перевести частину своїх ліній флешпам'яті NAND у Пхьонтеку та Хвасоні на виробництво DRAM. Крім того, її майбутня фабрика Pyeongtaek Fab 4 (P4) буде запущена як лінія, виключно орієнтована на DRAM, використовуючи новітній процес 1c від Samsung.

Джерела в галузі зазначають, що Samsung стала обережною щодо ринку NAND, тоді як попит на стандартну DRAM різко зріс. Ціни швидко зростають; деякі клієнти серверів пропонують на 70% вищі ціни за модулі DDR5 об'ємом 96 ГБ та 128 ГБ, але все ще відчувають дефіцит постачання. Великі технологічні компанії очікують, що дефіцит триватиме роками, і вже ведуть переговори про розподіл DRAM на 2027 рік.

Наразі Samsung виробляє як DRAM, так і NAND на заводах Pyeongtaek Fab 1, Pyeongtaek Fab 3 та у своєму кампусі Хвасон. Гібридні лінії на заводах P1 та Хвасон будуть більше орієнтовані на DRAM, оскільки обладнання NAND буде поступово виводитися з експлуатації. Fab 4, яка зараз знаходиться на завершальній стадії будівництва, наступного року стартує як спеціалізована лінія 1c DRAM. Samsung також розглядає можливість використання другої зони P4, спочатку запланованої для ливарного виробництва, також для DRAM. Після впровадження змін очікується, що виробництво DRAM на заводах P1 та Fab 4 значно зросте вже у першій половині наступного року. Скорочення виробництва NAND у Кореї буде компенсовано збільшенням виробництва на заводі Samsung у Сіані, Китай.

techpowerup.com
Павлик Олександр