Пошук по сайту

up
Banner

Комп'ютерні новини

Оперативна пам’ять

Бум ШІ утримуватиме високі ціни на оперативну пам'ять протягом 3-4 років

Згідно з новим аналітичним звітом дослідницької компанії TechInsights, стрімкий розвиток інфраструктури ШІ продовжуватиме суттєво впливати на світовий ринок напівпровідникової пам'яті щонайменше впродовж найближчих 3-4 років.  

Це перешкоджатиме зниженню цін на мікросхеми DRAM та NAND Flash для масового споживчого сектору. Головним чинником зберігається дефіцит пам'яті типу HBM, яка критично необхідна для сучасних серверних AI-прискорювачів. Провідні виробники змушені масово переорієнтовувати свої виробничі лінії випуск HBM замість традиційних DDR4, DDR5 та мобільної пам'яті. Такий перерозподіл створює штучне обмеження пропозиції на класичні модулі оперативної пам'яті, що неминуче утримує високу вартість продукції для настільних ПК, ноутбуків та портативних пристроїв.

Аналітики TechInsights зазначають, що розширення фізичних виробничих потужностей та впровадження нових ліній вимагає значних часу і мільярдних капіталовкладень. Через це стабілізація балансу попиту та пропозиції на ринку пам'яті очікується не раніше кінця десятиліття, а покупцям і збірникам систем слід готуватися до тривалого періоду високих цін на комплектуючі.

thelec.net
Павлик Олександр

Постійне посилання на новину

Micron згорнула виробництво 2-гігабайтних чипів пам'яті GDDR7

Micron припинила випуск власних 2-гігабайтних чипів оперативного стандарту GDDR7, перевівши їх у категорію статусу End of Life.

Згідно з інформацією на офіційному сайті виробника, це стосується всіх модифікацій мікросхем об'ємом 2 ГБ, включно зі швидкісними варіаціями на 28 Гбіт/с та 32 Гбіт/с.

Компанія розпочала масові постачання таких мікросхем для графічних адаптерів на початку поточного року, проте їхня присутність на ринку виявилася обмеженою. Зокрема, чипи Micron із показником 28 Гбіт/с використовувалися у деяких моделях відеокарт актуальної серії NVIDIA GeForce RTX 50. Тепер каталозі бренду серед рішень GDDR7 залишаються лише специфічні 3-гігабайтні модулі, які поки що не знайшли масового застосування через особливості шини пам'яті сучасних GPU.

Через це рішення виробника лінійка відеокарт GeForce RTX 50 виявилася повністю залежною від постачань відеопам'яті з боку інших гігантів галузі — Samsung та SK Hynix.

Аналітики зазначають, що хоча Micron не була основним постачальником для NVIDIA, втрата додаткового джерела мікросхем на тлі загального дефіциту та високого попиту на компоненти може посилити напругу на ринку.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Постійне посилання на новину

Goodram анонсувавала лінійку оперативної пам’яті RIVAL Charge DDR5 зі швидкістю до 6800 МТ/с

Goodram розширила свою ігрову лінійку оперативної пам'яті новою серією RIVAL Charge DDR5, призначеною для сучасних настільних ПК.

Лінійка розрахована на інтенсивні багатозадачні навантаження, стрімінг та ресурсомісткі додатки, пропонуючи користувачам широкий вибір частот і ємностей.

Асортимент включає окремі модулі об'ємом 8, 16 і 32 ГБ, а також двоканальні комплекти на 16, 32 та 64 ГБ. Швидкісні характеристики варіюються від 5600 до 6800 мегатранзакцій за секунду (МТ/с) із затримками CL30, CL32 та CL34 залежно від обраної конфігурації.

Модулі оснащені низькопрофільними чорно-червоними радіаторами висотою 32,85 мм, що забезпечує покращену сумісність із габаритними процесорними кулерами. Також новинка підтримує професійні профілі розгону Intel XMP 3.0 та AMD EXPO для швидкого й стабільного налаштування через BIOS.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Постійне посилання на новину

У найближчі два роки на ринку з'являться чипи пам'яті GDDR7 ємністю 4 ГБ та 6 ГБ

Виробники пам'яті готують до випуску мікросхеми стандарту GDDR7 обсягом 4 ГБ та 6 ГБ, які суттєво розширять можливості конфігурації відеопам'яті у майбутніх поколіннях відеокарт.

Наразі у масових пристроях використовуються переважно чипи на 2 ГБ, тоді як чипи на 3 ГБ застосовуються лише у деяких специфічних рішеннях.

Поява мікросхем ємністю 4 ГБ дозволить створювати графічні адаптери з 16 ГБ відеобуфера за використання лише чотирьох чипи на 128-бітній шині, а вісім таких чипів забезпечать 32 ГБ пам'яті на 256-бітній шині. Своєю чергою, чипи на 6 ГБ знайдуть застосування у продуктивних та професійних рішеннях, дозволяючи набрати більший обсяг пам'яті з меншою кількістю мікросхем на платі.

videocardz.com
Павлик Олександр

Постійне посилання на новину

Samsung віддає виробництво пам'яті DDR5 стороннім підрядникам заради чипів HBM

Samsung вирішила передати випуск готових модулів оперативної пам'яті DDR5 стороннім партнерам, щоб звільнити власні фабричні площі та ресурси.

Компанія переорієнтовує свої заводи в Чхонані та Онъяні на випуск складнішої і значно прибутковішої пам'яті HBM та інших передових компонентів для систем ШІ.

Через брак вільних місць для розширення традиційного конвеєра пам'яті на власних підприємствах, виготовлення готових модулів DDR5 повністю перекладається на плечі профільних азійських підрядників.

До числа головних партнерів увійшли кілька компаній: Dreamtech вже організувала масовий випуск таких модулів на заводах в Індії, Hanyang Digitech займається виробництвом пам'яті у В'єтнамі, а SFA Semicon задіяла для цього потужності на Філіппінах.

thelec.net
Павлик Олександр

Постійне посилання на новину

Intel та SK Hynix можуть розпочати виробництво оперативної пам'яті DRAM у США

Intel та південнокорейський гігант SK Hynix розглядають можливість створення спільного підприємства для локалізації виробництва оперативної пам'яті на території США.

У межах потенційної співпраці SK Hynix планує орендувати або придбати виробничі потужності Intel у штаті Нью-Мексико, де раніше випускалася енергонезалежна пам'ять 3D XPoint.

Головною метою партнерства стане розгортання виробничих ліній для випуску пам'яті стандарту DDR5, а також високошвидкісних мікросхем HBM, необхідних для прискорювачів ШІ. Окрім цього, SK Hynix розглядає використання фабрики Intel Fab 42 в Аризоні для завершальних етапів тестування та пакування напівпровідникових кристалів.

Запуск власного випуску DRAM у Північній Америці дозволить обом партнерам суттєво зменшити залежність від азійських виробничих майданчиків та скористатися фінансовими субсидіями в межах американської державної програми підтримки напівпровідникової галузі.

Рекомендовані обсяги інвестицій та детальні терміни реалізації проєкту партнери оголосять після завершення офіційних переговорів.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Постійне посилання на новину

Patriot та ASUS ROG представили комплект оперативної пам'яті Viper Steel 5 Infinite RGB DDR5-7600

Patriot Memory у співпраці з геймерським брендом ASUS Republic of Gamers розробила спеціальне видання оперативної пам'яті Viper Steel 5 Infinite RGB DDR5-7600.

Комплект розроблений для ентузіастів та оверклокерів, які прагнуть отримати максимальну продуктивність на сучасних материнських платах ASUS ROG.

Модулі отримали масивні алюмінієві радіатори з унікальним дизайном у стилі ROG, дзеркальним покриттям та вбудованим підсвічуванням Infinite RGB, яке підтримує повну синхронізацію з екосистемою ASUS Aura Sync. Пам'ять функціонує на ефективній частоті 7600 МТ/с із таймінгами CL36 та підтримує профілі автоматичного розгону Intel XMP 3.0 і AMD EXPO для швидкого налаштування у BIOS.

Для забезпечення стабільної роботи при високих навантаженнях застосовано 10-шарову друковану плату та відібрані вручну чипи пам'яті. Новинка постачатиметься у вигляді двоканальних комплектів загальним обсягом 32 ГБ (2 x 16 ГБ) та 64 ГБ (2 x 32 ГБ).

Рекомендовану вартість та терміни виходу комплекту Viper Steel 5 Infinite RGB у продаж виробниця оголосить найближчим часом.

guru3d.com
Павлик Олександр

Постійне посилання на новину

Kepler Computing розробляє сегнетоелектричну пам'ять для подолання дефіциту пам'яті

Американський стартап Kepler Computing вийшов з режиму секретності та оголосив про розробку принципово нового типу пам'яті на основі сегнетоелектричних матеріалів.

Технологія позиціонується як альтернатива HBM для систем штучного інтелекту, що здатна наблизитися до пропускної здатності на ват рівня SRAM і при цьому перевищити місткість SRAM та HBM до десяти разів. Головною перевагою проєкту є відсутність потреби у передовому EUV-літографічному обладнанні.

Виробництво нових мікросхем планується розгорнути шляхом модернізації вже існуючих фабрик, що випускають кремній за 28-нм техпроцесом. Переоснащення підприємств займе близько восьми місяців, що значно дешевше та швидше порівняно з будівництвом нових ліній для розливів DRAM чи HBM. На реалізацію цієї ініціативи стартап уже залучив 468 мільйонів доларів США інвестицій.

Перші тестові зразки чипів Kepler розраховує випустити вже цього року, а масове виробництво на потужностях GlobalFoundries у Сінгапурі стартує у 2027 році. До 2028 року компанія планує розширити випуск на території США. Якщо технологія підтвердить свою ефективність, це допоможе знизити навантаження на ринок традиційної оперативної пам'яті та пом'якшити глобальний дефіцит.

overclock3d.net
Павлик Олександр

Постійне посилання на новину

Показати ще