up
ua ru
menu

gecid-ru-160x600px-06-2019.gif


z-nand

Вибрати з: Оглядів Новин
Тільки в розділі
Шукати в знайденому тег:

Стали відомими характеристики SSD Samsung SZ985 на основі флеш-пам'яті Z-NAND

Компанія Samsung оприлюднила технічну документацію з остаточними характеристиками твердотілого накопичувача Samsung SZ985 з місткістю 800 ГБ, заснованого на флеш-пам'яті Z-NAND. Новинка орієнтується на комерційний ринок, де повинна скласти конкуренцію SSD Intel Optane з типом пам'яті 3D XPoint, проте згодом подібні продукти вийдуть і для масового користувацького сегменту. Для підключення вона використовує інтерфейс PCI Express 3.0 x4.

Samsung SZ985

Якщо говорити про швидкісні показники Samsung SZ985, то для послідовного читання та запису даних вони сягають 3,2 ГБ/с, а швидкість роботи з довільними блоками з об'ємом 4 КБ становить 750 000 і 170 000 IOPS для читання та запису. В Intel Optane вони знаходяться на рівні 2,4 / 2 ГБ/с і 550 000 / 500 000 IOPS відповідно. Показник витривалості SSD заявлений на позначці 30 DWPD (кількість повного перезапису накопичувача на день протягом гарантійного періоду), що еквівалентно результату ключового конкурента.

Samsung SZ985

Стосовно вартості й дати надходження в продаж твердотілого накопичувача Samsung SZ985 інформація поки відсутня.

tomshardware.com
Юрій Коваль

Теги: samsung   ssd   intel optane   intel   z-nand   pci express 3.0   3d xpoint   
Читати новину повністю >>>

SK hynix представила 72-шарову мікросхему пам'яті 3D NAND TLC

Останнім часом на ринку пам'яті ми спостерігаємо численні нововведення. Спочатку Intel запустила технологію 3D XPoint, Samsung на це відповіла релізом Z-NAND, а тепер SK hynix представляє першу в галузі 72-шарову 256-гигабітову мікросхему флеш-пам'яті 3D NAND TLC. Збільшивши кількість шарів до 72-х, вдалося помістити в них у 1,5 рази більше чарунок, ніж на попередніх 48-шарових чіпах SK hynix 3D NAND.

SK hynix

Один 256-гігабайтовий чіп 3D NAND може містити 32 ГБ пам'яті – суттєве оновлення в порівнянні з 48-шаровим 3D NAND, який знаходяться в масовому виробництві лише з листопада 2016 року. Згідно з інформацією від SK hynix, перехід на 72 шари дає приріст продуктивності близько 30%, що досягається за рахунок розміщення на чіпі більшої кількості чарунок.

Віце-президент SK hynix, Джон Хо Кім, повідомив, що оновлена флеш-пам'ять 3D NAND TLC буде запущена в масове виробництво в другій половині 2017 року, і компанія планує розширити її застосування в пристроях SSD і смартфонах.

http://kitguru.net
Юрій Коваль

Теги: sk hynix   nand   3d   tlc   3d xpoint   z-nand   samsung   ssd   intel   
Читати новину повністю >>>

Samsung Z-NAND – відповідь на 3D XPoint

У той час як Intel починає активно просувати технологію 3D XPoint на ринку флеш-накопичувачів, компанія Samsung вирішила відповісти релізом Z-NAND. Цей стандарт позиціонується як еволюція традиційних NAND-мікросхем, покращуючи їх надійність, масштабованість і знижуючи їх вартість.

Samsung Z-SSD

Перше використання чіпів Z-NAND ми побачимо в серії твердотільних накопичувачів Samsung Z-SSD, орієнтованих на використання в промисловому та корпоративному середовищі. Новинки створені у форматі карт розширення з інтерфейсом PCI Express x4 і доступні в об’ємі 800 ГБ, хоча надалі планується вихід на ринок моделей з ємністю 1, 2 і 4 ТБ. Ключове поліпшення в порівнянні з традиційними NAND PCIe-накопичувачами полягає в зменшенні затримок мінімум на 70% і значного підвищення послідовної швидкості читання та запису (до 3200 МБ/с). А ось швидкості довільного читання та запису вже не такі високі в порівнянні зі звичайними NVMe-накопичувачами – 750 000 і 160 000 IOPS відповідно. Ціна новинки поки не повідомляється.

Samsung Z-SSD

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Теги: nand   samsung   ssd   3d xpoint   pci express   intel   nvme   z-nand   
Читати новину повністю >>>

z-nand

Вибрати з: Оглядів Новин
Тільки в розділі
Шукати в знайденому тег:

Пошук на сайті
Поштова розсилка

top10

vote

Голосування