up
ua ru
menu

ru.gecid.com-160x600-05-2020.jpg


sk hynix

Вибрати з: Оглядів Новин
Тільки в розділі
Шукати в знайденому тег:

Огляд комплекту оперативної пам'яті DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K об'ємом 16 ГБ: цікавий варіант

Компанію Patriot Memory складно назвати новачком на ринку пам'яті. Вона заснована ще в 1985 році в США трьома однокласниками (Paul, Doug та Phil), перші літери імен яких і лягли в основу її першого назви PDP Systems. У 2003 році вона справила невелику революцію на ринку оперативної пам'яті, оснастивши свої модулі металевими радіаторами. Зараз це вже є традиційним підходом, але тоді було в новинку.

Patriot Memory продовжує радувати своїх шанувальників різними рішеннями з попередньо встановленими радіаторами. Одним з яскравих представників є лінійка Patriot Viper Steel. Вона вже досить давно присутня на ринку, але продовжує активно розвиватися. У листопаді 2018 року вона поповнилася моделями з частотою DDR4-4400 МГц, а вже в квітні 2019 року до її складу увійшли модулі формату SO-DIMM.

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

На поточний момент лінійка виглядає дуже різноманітно і містить 21 варіант UDIMM і 9 SO-DIMM. З повним переліком моделей ви можете ознайомитися на фірмовому сайті, а ми тим часом зосередимося на комплекті DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K об'ємом 16 ГБ, який і приїхав до нас на тестування.

Специфікація

Модель

DDR4-3733 Patriot Viper Steel

Маркування модулів

PVS416G373C7K

Тип пам'яті

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Кількість модулів у комплекті

2

Об’єм пам'яті кожного модуля

8 ГБ

Сумарний об’єм пам'яті комплекта

16 ГБ

Номінальна напруга живлення

1,2 В

Конфігурація модуля

1024М х 64 (1-ранговий)

Конфігурація чіпа пам'яті

1024M x 8

Звичайні режими роботи

DDR4-2133 16-15-15-36 (1,2 В)

DDR4-2133 15-15-15-36 (1,2 В)

DDR4-1866 14-13-13-31 (1,2 В)

DDR4-1866 13-13-13-31 (1,2 В)

DDR4-1600 12-11-11-27 (1,2 В)

DDR4-1600 11-11-11-27 (1,2 В)

DDR4-1333 10-9-9-22 (1,2 В)

Розширений профіль XMP 2.0

DDR4-3733 17-21-21-41 (1,35 В)

Висота модуля

44,4 мм

Гарантія

Обмежена довічна

Сторінка продукту

Patriot Viper Steel

Упаковка і комплектація

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

Комплект DDR4-3733 Patriot Viper Steel постачається в невеликій картонній коробці, а не в простій блістерній упаковці. На її зверхньому боці знаходиться зображення самих модулів, їх обсяг і швидкість. Зворотний бік відведений під рекламний опис на декількох мовах.

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

Крім самих модулів, у коробці знаходиться тільки наклейка з логотипом серії Viper.

Зовнішній вигляд і особливості модулів

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

У зовнішності відразу кидається в очі відсутність LED-підсвічування. Це може розчарувати одних, але обов'язково порадує тих, хто не хоче за неї переплачувати. Радіатори виглядають дуже стильно і строго. Вони не привертають до себе зайвої уваги і сподобаються поціновувачам стриманого дизайну.

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

На зворотному боці розташована гарантійна наклейка. Вона повідомляє необхідну технічну інформацію: маркування, серійний номер, частоту і обсяг комплекту.

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

Загальна висота модулів досягає 44,4 мм. У більшості випадків ніяких проблем із сумісністю з габаритними процесорними кулерами виникнути не повинно, але власникам особливо великих моделей слід вивчити це питання до їх покупки.

Технічні характеристики і режими роботи

Для отримання докладних технічних даних ми використовували утиліту Thaiphoon Burner, яка спеціально розроблена для діагностики оперативної пам'яті. Нижче подано детальний звіт для тестованого комплекту.

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

Програми Thaiphoon Burner і AIDA64 надають додаткову інформацію без зняття радіаторів. Наприклад, вони підказують, що модулі використовують однорангову структуру і 8-шарову друковану плату на основі типової карти A0. Усередині кожного з них знаходяться мікросхеми SK hynix із маркуванням H5AN8G8NCJR-TFC і обсягом 8 Гбіт. Сумарна ємність досягає 64 Гбіт або 8 ГБ.

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

Активація ХМР-профілю пройшла без будь-яких проблем. Він володіє такими характеристиками: DDR4-3733 МГц при напрузі 1,35 В і таймінгах 17-21-21-41. 

Теги: ddr4   patriot   xmp   sk hynix   dimm   
Читати огляд повністю >>>

AMD і Intel уже готуються перейти на стандарти DDR5 і PCIe 5.0

Лінійка десктопних процесорів AMD Ryzen 4000 на базі мікроархітектури Zen 3, яка дебютує в другій половині поточного року, стане останнім представником платформи Socket AM4. У 2021 року AMD анонсує нову лінійку CPU на базі Zen 4 під новий роз'єм, але вона буде доступна на ринку в 2022 році. Крім того, вона принесе з собою підтримку пам'яті DDR5 і інтерфейсу PCIe 5.0.

DDR5

Intel зі свого боку також готується перейти на нові стандарти. Більш того, саме вона може першою інтегрувати підтримку DDR5 у свої серверні 10-нм процесори лінійки Intel Xeon Sapphire Rapids. Їх дебют очікується в 2021 році.

Перехід на новий стандарт форсують і виробники самих чіпів оперативної пам'яті. Наприклад, SK hynix уже в цьому році почне виробництво мікросхем DDR5 з ефективною швидкістю 4800 МГц. Пізніше на ринку з'являться моделі з частотою до 8400 МГц.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Теги: ddr5   intel   amd   sk hynix   amd ryzen   intel xeon   
Читати новину повністю >>>

SK hynix почне виробництво пам'яті DDR5 цього року

Компанія SK hynix поділилася цікавою інформацією щодо пам'яті DDR5, і її переваг над DDR4. Вона буде більш продуктивною, ємною, енергоефективною і дешевою. Для досягнення цього є всі передумови.

SK hynix DDR5

По-перше, DDR5 зможе використовувати структуру з 32 банками, створену на базі восьми груп. Це в 2 рази перевищує можливості DDR4 (максимум 16 банків на базі чотирьох груп), що дозволяє подвоїти швидкість доступу до даних.

По-друге, довжина пакетів (Burst Length, BL) в DDR5 збільшується з 8 до 16. По-третє, пам'ять DDR4 не може виконувати інші операції під час оновлення таймінгів, а DDR5 може завдяки функції Same Bank Refresh. По-четверте, стандарт DDR5 збільшує швидкість на контакт за рахунок інтеграції мікросхеми Decision Feedback Equalization (DFE), яка підвищує цілісність сигналу при роботі з великою кількістю каналів і модулів DIMM.

SK hynix DDR5

Список переваг і особливостей мікросхем DDR5 компанії SK hynix можна продовжити позиціями:

  • зниження робочої напруги з 1,2 до 1,1 В;
  • використання в самих мікросхемах алгоритмів Error Correction Code (ECC) і Error Check And Scrub (ECS);
  • збільшення пропускної спроможності з 1600 - 3200 Мбіт/с (DDR4) до 3200 - 8400 Мбіт/с (DDR5);
  • збільшення ємності самих мікросхем із максимум 16 Гбіт (DDR4) до 64 Гбіт (DDR5).

SK hynix DDR5

Згідно з аналізом компанії International Data Corporation (IDC), попит на пам'ять DDR5 почне рости починаючи з 2020 року. До кінця 2021 року цей стандарт займе 22% ринку, а у 2022 його частка зросте до 43%. SK hynix планує захищати свої лідерські позиції, і спочатку запропонує покупцям 16-гігабітні чіпи DDR5, створені на базі 10-нм технології. Пізніше з'являться і інші варіанти за обсягом і швидкості.

https://www.techpowerup.com
https://news.skhynix.com
Сергій Буділовський

Теги: sk hynix   ddr5   ddr4   ecc   
Читати новину повністю >>>

Фото з характеристиками AMD Radeon RX 5950XT виявилося фейком

Днями Twitter-аккаунт CyberPunkCat із посиланням на своє джерело в компанії SK hynix опублікував характеристики нової відеокарти з кодовою назвою «D32310/15». На фото також згадувалася «5950XT», вказуючи на новий флагман AMD.

AMD Radeon RX 5950XT

Однак опубліковане фото виявилося фейком. Про це заявила сама компанія SK hynix у своєму прес-релізі. Вона не створювала і не поширювала подібної специфікації і документа, що фігурувала на фото. Після власного розслідування вона прийшла до висновку, що фото було сфабриковано.

Крім того, характеристики пам'яті HBM2E на знімку вказані невірно. А текст взятий з офіційної сторінки корейської версії сайту SK hynix, але він не має ніякого відношення до специфікації відеокарти.

Зараз Twitter-аккаунт CyberPunkCat уже видалений.

https://www.tomshardware.com
https://news.skhynix.com
Сергій Буділовський

Теги: sk hynix   amd   amd radeon   hbm2e   radeon rx 5950xt   
Читати новину повністю >>>

Можливі характеристики AMD Radeon RX 5950XT: 5120 потокових процесорів, 24 ГБ пам'яті HBM2e

Twitter-аккаунт CyberPunkCat із посиланням на своє джерело в компанії SK Hynix опублікував характеристики нової відеокарти з кодовим ім'ям «D32310/15», яке раніше згадувало агентство RRA. У тексті можна помітити найменування «5950XT». У минулому році SAPPHIRE опублікувала на сайті ЄЕК низку нових імен для відеокарт. Вгадайте з двох разів, яке позначення отримала топова з них? Усе вірно - RX 5950XT.

Тобто можна з великою часткою ймовірності говорити, що йдеться саме про новий флагман AMD Radeon RX 5950XT (він же Big Navi), створеному на базі мікроархітектури RDNA 2 (7-нм+). Ще одне підтвердження цьому - обсяг кеш-пам'яті L2. Він становить значні 12 МБ. Для порівняння: у RX 5700 XT - 4 МБ, у RTX 2080 Ti - 5,5 МБ, а у TITAN RTX - 6 МБ.

Інші характеристики також знаходяться на дуже високому рівні:

  • 80 обчислювальних блоків CU
  • 5120 потокових процесорів
  • 320 текстурних блоків
  • 96 растрових блоків
  • 24 ГБ пам'яті HBM2e з 4096-бітною шиною і пропускною спроможністю 2048 ГБ/с

Нові подробиці можемо дізнатися вже 5-го березня під час заходу AMD Financial Analyst Day.

https://wccftech.com
Сергій Буділовський

Теги: amd   hbm2   sapphire   rdna 2   sk hynix   
Читати новину повністю >>>

Огляд комплекту оперативної пам'яті DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα обсягом 16 ГБ: оптимальний вибір?

З кожним новим анонсом AMD усе більше привертає до себе увагу потенційних покупців, які при виборі нової системи раніше навіть і не думали про альтернативу Intel. Наприклад, улітку 2019 року його випустила в маси нові процесори лінійки AMD Ryzen 3000 разом із чіпсетом AMD X570, піднявши гарантовану частоту для моделей пам'яті з 2933 до 3200 МГц. Виробники ОЗП також помітили зростаючий попит на продукцію AMD і стали приділяти більше уваги сумісності своїх продуктів із платформою Socket AM4. З'явилися навіть окремі лінійки, оптимізовані під AMD Ryzen.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Однією з них є серія ігрової оперативної пам'яті T-FORCE DARK Zα. Вона має модулі з трьома варіантами частоти (DDR4-3200, 3600 і 4000 МГц) і двома версіями обсягу (2х8 ГБ, 2х16 ГБ).

Важливою перевагою цієї серії виступає ціна. У США просять всього $99 за комплект об'ємом 16 ГБ із частотою DDR4-4000 МГц. Саме він і приїхав до нас на тестування. Купівля аналогічного набору з частотою DDR4-3200 МГц обійдеться вам за $79. Давайте ж для початку поглянемо на його ТТХ.

Специфікація

Модель

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Маркування модулів

TDZAD416G4000HC18JDC01

Тип пам'яті

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Кількість модулів у наборі

2

Обсяг пам'яті кожного модуля

8 ГБ

Сумарний обсяг пам'яті комплекта

16 ГБ

Номінальна напруга живлення

1,20 В

Конфігурація модуля

1024М х 64 (1-ранговий)

Конфігурація чіпа пам'яті

1024M x 8

Звичайні режими роботи

DDR4-2400 18-16-16-39 (1,2 В)

DDR4-2400 17-16-16-39 (1,2 В)

DDR4-2400 16-16-16-39 (1,2 В)

DDR4-2133 15-15-15-35 (1,2 В)

DDR4-1866 14-13-13-30 (1,2 В)

DDR4-1866 13-13-13-30 (1,2 В)

DDR4-1600 12-11-11-26 (1,2 В)

DDR4-1600 11-11-11-26 (1,2 В)

DDR4-1333 10-9-9-22 (1,2 В)

Розширений профіль XMP 2.0

DDR4-4000 18-22-22-42 (1,35 В)

Розміри модуля

141 х 43,5 х 8,3 мм

Гарантія

Довічна

Сторінка продукту

TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Упаковка і комплектація

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Комплект DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα постачається у простій блістерній упаковці, що не дивно, беручи до уваги цінове позиціонування. Усередині знаходиться картонна підкладка чорного кольору з назвою модулів пам'яті і логотипом лінійки T-FORCE.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

На зворотному боці є невеликий опис лінійки і короткий перелік основних переваг.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Комплект постачання містить невелику наклейку і гарантійний талон.

Зовнішній вигляд і особливості модулів

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Модулі відрізняються строгим дизайном, який добре підійде до практично будь-якої системи. LED-підсвічування в ньому немає, тому фанатам яскравих рішень доведеться пошукати щось інше.

Для охолодження чіпів пам'яті використовуються алюмінієві радіатори товщиною 0,8 мм із ребрами у верхній частині. У чорний колір вони пофарбовані методом електролітичного анодування. Це не тільки підвищує стійкість до корозії, але і робить модулі непровідними.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

На зворотному боці розташовані гарантійні наклейки з необхідною технічною інформацією: маркуванням, серійним номером, частотою і обсягом модуля.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Загальна висота планок досягає 43,5 мм. У більшості випадків ніяких проблем із сумісністю з габаритними процесорними кулерами виникнути не повинно.

Технічні характеристики і режими роботи

Для отримання докладних технічних даних ми використовували утиліту Thaiphoon Burner, яка спеціально розроблена для діагностики оперативної пам'яті.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Вона видала цікаву додаткову інформацію без зняття радіаторів. Наприклад, модулі використовують однорангову структуру і 8-шарову друковану плату на основі типової карти A2. Усередині кожного з них знаходяться вісім мікросхем SK Hynix із маркуванням H5AN8G8NAFR-UHC і обсягом 8 Гбіт, що забезпечує сумарну ємність 64 Гбіт або 8 ГБ.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Активація ХМР-профілю пройшла без будь-яких проблем. Він володіє такими характеристиками: DDR4-4000 МГц при напрузі 1,35 В і таймінгах 18-22-22-42.

Тестування і розгін

Для проведення тестів ми використовували таку конфігурацію стенда:

Процесор

Intel Core i7-9700K (Socket LGA1151, 3,6 ГГц, L3 12 МБ)
Turbo Boost: enable

Материнська плата

MSI MPG Z390 Gaming Plus (Intel Z390, Socket LGA1151, DDR4, E-ATX)

Кулер

Noctua NH-U14S

Відеокарта

Palit GeForce RTX 2080 GAMING PRO OC

Накопичувач

GOODRAM IRIDIUM PRO 240 GB (2,5” SATA 3)

Блок живлення

Seasonic SS-750HT Active PFC F3

16-гігабайтний комплект пам'яті DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα протестований у чотирьох режимах роботи:

  • DDR4-2666 при таймінгах 16-16-16-36 і напрузі 1,2 В
  • DDR4-3466 при таймінгах 18-22-22-40 і напрузі 1,2 В
  • DDR4-4000 при таймінгах 18-22-22-40 і напрузі 1,35 В
  • DDR4-4266 при таймінгах 18-22-22-40 і напрузі 1,35 В

Для початку оцінимо зміни рівня продуктивності в синтетичних тестах.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

При роботі з оперативною пам'яттю в AIDA64 перехід із DDR4-2666 до DDR4-3466 забезпечує приріст на рівні 23-29%. Якщо ж порівняти DDR4-2666 і DDR4-4000 МГц, то бонус продуктивності буде на рівні 38-49%. Найбільший розрив у 45-55% спостерігається між DDR4-2666 і DDR4-4266 МГц. При цьому різниця в швидкості доступу між DDR4-2666 і DDR4-4266 МГц досягає 9,1 нс (16,9%). 

Теги: ddr4   teamgroup   amd   amd ryzen   sk hynix   xmp   
Читати огляд повністю >>>

CES 2020: SK hynix представить нові SSD на базі 128-шарової пам'яті 4D NAND

На виставці CES 2020 компанія SK Hynix представить нові твердотільні накопичувачі - SK hynix Gold S31 SATA, Gold P31 PCIe і Platinum P31 PCIe SSD. Вони побудовані на базі фірмових 128-шарових мікросхем пам'яті 4D NAND, масове виробництво яких почалося шість місяців тому.

SK hynix Gold S31

Новинки належать до преміум-сегменту. Вони націлені на вимогливих користувачів для вирішення складних творчих завдань і запуску ігор. Також у прес-релізі згадується, що для своїх продуктів SK hynix використовує не тільки власні NAND-чіпи, але також мікросхеми DRAM кеш-пам'яті і фірмові контролери. На жаль, інші подробиці новинок, включаючи технічні характеристики, поки відсутні.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Теги: sk hynix   ssd   ces   4d nand   
Читати новину повністю >>>

Огляд накопичувача Seagate FireCuda 520 SSD: максимум швидкості

З моменту виходу на ринок материнських плат на базі чіпсета AMD X570 із підтримкою інтерфейсу PCI Express 4.0 пройшло вже достатньо часу, щоб всі бажаючі встигли оцінити переваги нових швидких твердотільних накопичувачів. Адже перехід на новий стандарт добре позначився саме на швидкості їх роботи. І немає нічого дивного в тому, що з кожним місяцем накопичувачів з його підтримкою стає все більше. Правда, поки що кардинальні відмінності між пристроями від різних виробників часто криються виключно в прошивці, оскільки всі вони засновані на зв'язці контролера Phison PS5016-E16 і 96-шарових чіпів пам'яті 3D NAND TLC від Toshiba.

Seagate FireCuda 520 SSD

Сьогодні у нас на тестуванні модель Seagate FireCuda 520 SSD, представлена на початку листопада 2019 року. Вона базується якраз на згаданій вище комбінації компонентів. Давайте ж поглянемо, як дана новинка покаже себе на практиці.

Специфікація

Модель

Seagate FireCuda 520 SSD

(ZP2000GM30002)

Форм-фактор

M.2 2280

Інтерфейс

PCIe 4.0 x4 з підтримкою NVMe 1.3

Контролер

Seagate STXZP010BE70

(Phison PS5016-E16)

Тип мікросхем пам'яті

96-слойная Toshiba BiCS4 3D NAND TLC

Обсяг, ГБ

2

Кеш-пам'ять DDR4, МБ

2048

Максимальна послідовна швидкість читання / запису, МБ/с

5000 / 4400

Максимальна швидкість довільного читання / запису, IOPS

750 000 / 700 000

TBW, ТБ

3600

MTBF, год

1 800 000

Діапазон робочих температур, ° C

0…+70

Розміри, мм

80,15 x 22,15 x 3,58

Вага, грам

8,7

Гарантія виробника, років

5

Сторінка продукту

Seagate FireCuda 520 SSD

Упаковка і комплектація

Seagate FireCuda 520 SSD Seagate FireCuda 520 SSD

SSD постачається в невеликій картонній коробці з якісною поліграфією. На зверхній боковині знаходиться зображення самого пристрою, найменування компанії-виробника, вказівка моделі, а також згадка про швидкість і обсяг. На зворотному боці є наклейка з сервісною інформацією і короткий опис продукту на декількох мовах.

Seagate FireCuda 520 SSD

Усередині коробки ми виявили накопичувач і гарантійний талон. Радіатора в комплекті немає, але це навіть добре для тих, у кого радіатор для M.2 SSD встановлено на материнській платі.

Зовнішній вигляд пристрою і його особливості

Seagate FireCuda 520 SSD

Seagate FireCuda 520 SSD виконаний на друкованій платі чорного кольору і має двостороннє компонування. Усі цікаві для нас елементи на зразок мікросхем кеш-пам'яті, контролера і чіпів пам'яті закриті наклейками. На зверхній боковині вказано найменування компанії-виробника і моделі пристрою.

Seagate FireCuda 520 SSD

Наклейка на зворотному боці має необхідну сервісну інформацію і відмітки про проходження різних сертифікацій.

Seagate FireCuda 520 SSD

Зриваємо наклейки, і на зверхньому боці друкованої плати виявляємо контролер, пару мікросхем пам'яті і мікросхему кеша.

Seagate FireCuda 520 SSD

Зворотний бік примітний ще двома чіпами флеш-пам'яті і другою мікросхемою кеш-пам'яті.

Seagate FireCuda 520 SSD

Seagate FireCuda 520 SSD

В якості контролера виступає Phison PS5016-E16, промаркований як Seagate STXZP010BE70. Він побудований на базі двох 28-нм процесорів ARM Cortex R5 і підтримує роботу з накопичувачами об'ємом до 8 ТБ. Максимальна швидкість послідовного читання і запису становить 5000 і 4400 МБ/с відповідно. Є підтримка інтелектуального контролю температури і LPDC ECC четвертого покоління

Seagate FireCuda 520 SSD

Для зберігання даних використовуються чотири 96-шарові мікросхеми Toshiba BiCS4 3D NAND TLC із маркуванням «TABHG65AWV» і обсягом 512 ГБ кожна.

Seagate FireCuda 520 SSD

Кеш-пам'ять реалізована на базі пари мікросхем DDR4-2400 МГц ємністю по 8 Гбіт (1024 МБ) від компанії SK hynix із маркуванням «H5AN8G8NAFR».

Тестування

Для тестування використовувався стенд:

Процесор

AMD Ryzen 9 3900X (Socket AM4, 12/24 х 3,8 – 4,6 ГГц, 105 Вт TDP)

Материнська плата

ASUS ROG Crosshair VIII Hero

Оперативна пам'ять

2 х 8 ГБ DDR4-3600 G.SKILL F4-3600C16D-16GTRG

Відеокарта

Palit GeForce RTX 2060 GamingPro

SSD

PATRIOT P200 1TB P200S1TB25

Блок живлення

be quiet! PURE POWER 11 700W

Seagate FireCuda 520 SSD

У ATTO Disk Benchmark максимальна швидкість читання досягла 5,25 ГБ/с, а запису - 3,95 ГБ/с.

Seagate FireCuda 520 SSD

Швидкості читання і запису даних об'ємом 4 КБ в ATTO Disk Benchmark знаходяться на гідному рівні, випереджаючи всі представлені в порівнянні моделі.

Seagate FireCuda 520 SSD

Швидкість читання в CrystalDiskMark виявилася нижче, а записи - вищі, ніж в ATTO Disk Benchmark: 4997 і 4450 МБ/с для читання і запису, що відповідає заявленим показникам (5000 і 4400 МБ/с для читання і запису).

Seagate FireCuda 520 SSD

Seagate FireCuda 520 SSD

AS SSD Benchmark, як і CrystalDiskMark, оцінює роботу з даними, що не стискаються. Він показав 4257 і 4117 МБ/с при читанні і запису. 

Теги: ssd   seagate   firecuda   toshiba   phison   3d nand   bics   pci express   m.2   ecc   nvme   sk hynix   
Читати огляд повністю >>>

Огляд SSD Patriot Viper VP4100 об'ємом 1 ТБ: підкорювач нових швидкісних вершин

Однією з головної переваги анонсованого разом із процесорами AMD Ryzen 3000 чіпсета AMD X570 став перехід на інтерфейс PCI Express 4.0. Поки його підтримка залишається ексклюзивом AMD, але виробники твердотільних накопичувачів уже щосили освоюють дану нішу. Усе тому, що пікова швидкість послідовного читання і запису швидких NVMe-накопичувачів уже давно вперлася в пропускну спроможність чотирьох ліній PCIe 3.0, і перехід на PCIe 4.0 найбільш затребуваний саме в цій сфері.

Компанія Phison однією з перших запропонувала контролери для нового покоління SSD із даним інтерфейсом. Наприклад, для флагманського PS5018-E18 максимальна заявлена швидкість передачі даних досягає 7000 МБ/с. Поки ж на ринку активно використовується більш повільний PS5016-E16 з такими характеристиками: 5000 МБ/с при читанні і 4400 МБ/с при записі.

Patriot Viper VP4100

Саме він ліг у основу анонсованого в вересні флагманського SSD Patriot Viper VP4100. Новинка поки отримала дві модифікації за обсягом пам'яті: 1 і 2 ТБ, і вже доступна у продажі. Давайте для початку поглянемо на докладні характеристики терабайтної версії, яка і приїхала до нас на тестування.

Специфікація

Модель

Patriot Viper VP4100 NVMe PCIe Gen4 M.2

(VP4100-TBM28H)

Форм-фактор

M.2 2280

Інтерфейс

PCIe 4.0 x4 з підтримкою NVMe 1.3

Контролер

Phison PS5016-E16

Тип мікросхем пам'яті

Toshiba BiCS4 96-шарова 3D NAND TLC

Обсяг, ТБ

1

Кеш-пам'ять DDR4, МБ

1024

Максимальна послідовна швидкість читання / запису (ATTO), МБ/с

4700 / 4200

Максимальна послідовна швидкість читання / запису (CDM), МБ/с

5000 / 4400

Максимальна швидкість довільного читання / запису, IOPS

800 000 / 800 000

Витривалість (TBW), ТБ

1800

Діапазон робочих температур, ° C

0…+70

Розміри, мм

80 x 22 x 7

Вага, грам

25

Гарантія виробника, років

5

Сторінка продукту

Patriot Viper VP4100

Упаковка і комплектація

Patriot Viper VP4100 Patriot Viper VP4100

Як і личить флагманському пристрою, накопичувач постачається в невеликій картонній коробці з агресивним оформленням у чорно-червоних тонах. На зверхньому боці нанесено зображення продукту, його обсяг і швидкісні показники. На зворотному наведено короткий перелік характеристик на декількох мовах.

Patriot Viper VP4100

Передню кришку можна відкинути і через невелике оглядове віконце оцінити дизайн наживо, не розкриваючи упаковку. На її зворотному боці наведено короткий опис маркетингового характеру. Усередині коробки ви знайдете тільки сам накопичувач з уже встановленим радіатором і стандартну документацію.

Зовнішній вигляд пристрою і його особливості

Patriot Viper VP4100

В очі відразу кидається суцільнометалевий радіатор чорного кольору з ребрами, закріплений за допомогою звичайного термоінтерфейсу. На ньому красується назва моделі.

Patriot Viper VP4100

Зворотний бік SSD прихований під двома наклейками з необхідною інформацією та відмітками про проходження різних сертифікацій.

Patriot Viper VP4100

Знявши основну наклейку, ми бачимо двостороннє компонування накопичувача, а значить, радіатор не відводить тепло від двох чіпів пам'яті і мікросхеми кеш-пам'яті.

Patriot Viper VP4100

Під радіатором ховається контролер, ще одна пара мікросхем пам'яті і друга мікросхема кеша.

Patriot Viper VP4100

Patriot Viper VP4100

В якості контролера виступає Phison PS5016-E16. Він побудований на базі двох 28-нм процесорів ARM Cortex R5 і підтримує роботу з накопичувачами об'ємом до 8 ТБ. Максимальна швидкість послідовного читання і запису становить 5000 і 4400 МБ/с відповідно. Є підтримка інтелектуального контролю температури і LPDC ECC четвертого покоління

Patriot Viper VP4100

Для зберігання даних використовуються чотири 96-шарові мікросхеми Toshiba BiCS4 3D NAND TLC із маркуванням «TABBG65AWV» і обсягом 256 ГБ кожна.

Patriot Viper VP4100

Кеш-пам'ять реалізована на базі пари мікросхем DDR4-2400 МГц ємністю по 4 Гбіт (512 МБ) від компанії SK hynix із маркуванням «H5AN4G8NBJR».

Patriot Viper VP4100

SSD постачається відформатованим у файловій системі NTFS. Його ефективна ємність становить 1000 ГБ або 931 ГіБ.

Тестування

Для тестування використовувався стенд:

Процесор

AMD Ryzen 9 3900X (Socket AM4, 12/24 х 3,8 – 4,6 ГГц, 105 Вт TDP)

Материнська плата

ASUS ROG Crosshair VIII Hero

Оперативна пам'ять

2 х 8 ГБ DDR4-3600 G.SKILL F4-3600C16D-16GTRG

Відеокарта

Palit GeForce RTX 2060 GamingPro

SSD

PATRIOT P200 1TB P200S1TB25

Блок живлення

be quiet! PURE POWER 11 700W

Patriot Viper VP4100

У ATTO Disk Benchmark максимальна швидкість читання досягла 4,39 ГБ/с, а записи - 3,96 ГБ/с. Нагадаємо, що заявлені показники трохи вищі - 4700 і 4200 МБ/с для читання і запису відповідно.

Patriot Viper VP4100

Швидкість читання і запису даних об'ємом 4 КБ в ATTO Disk Benchmark знаходиться на гідному рівні, випереджаючи всі представлені в порівнянні моделі. 

Теги: ssd   patriot   toshiba   m.2   nvme   phison   3d nand   tlc   bics   sk hynix   
Читати огляд повністю >>>

Ринок оперативної пам'яті повернувся до зростання після трьох збиткових кварталів

Згідно з останнім з аналітичним звітом DRAMeXchange, попит на ринку оперативної пам'яті повернувся до здорового рівня, що дуже порадувало виробників мікросхем DRAM. Їх загальна виручка в третьому кварталі зросла на 4%, закінчивши тим самим період спаду, який тривав три квартали поспіль. Більш того, три ключових виробники планують збільшити постачання своєї продукції в четвертому кварталі, щоб задовольнити зростаючий попит на ринку.

DRAMeXchange

Samsung поліпшила продажі на 30% і підняла виручку на 5% (до $7,12 млрд) у порівнянні з показниками попереднього кварталу. Головна причина її зростання - активна закупівля мікросхем пам'яті китайськими виробниками смартфонів і відновлення ринку серверів.

Рівень продажів SK Hynix виріс на 20%, а виручка - на 3,5% (до $4,41 млрд). А ось у Micron продажі зросли на 30% порівняно зі слабкими показниками другого кварталу. Виручка досягла $3,07 млрд. Проте загальна частка її ринку впала до 19,9% через зростання показників Samsung і Nanya.

https://press.trendforce.com
Сергій Буділовський

Теги: dram   samsung   dramexchange   micron   sk hynix   nanya   
Читати новину повністю >>>

На 40% ефективніше: SK hynix представила 16-гігабітні чіпи DDR4-пам'яті

Компанія SK hynix із гордістю представила найбільш ємні в індустрії 16-гігабітні мікросхеми пам'яті DDR4, створені на основі техпроцесу 1z нм. Їх виробництво не вимагає використання дорогої EUV літографії, а значить є всі передумови для зниження кінцевої вартості.

SK hynix

Пропускна здатність новинок досягає 3200 Мбіт/с - це найбільший номінальний показник для інтерфейсу DDR4. При цьому енергоефективність готових модулів на базі цих чіпів покращилася на 40% у порівнянні з аналогічними по щільності модулями, створеними на основі 8-гігабітних чіпів минулого покоління (технологія 1y нм).

Масове виробництво 1z-нм мікросхем пам'яті заплановано на наступний рік. SK hynix також планує використовувати цю технологію для створення чіпів LPDDR5 і HBM3.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Теги: sk hynix   ddr4   lpddr5   hbm3   
Читати новину повністю >>>

DRAMeXchange: Kingston - абсолютний лідер на ринку постачальників модулів оперативної пам'яті

Не секрет, що в питанні виробництва чіпів оперативної пам'яті лідируючі позиції займають Samsung, SK Hynix і Micron. Але в області постачань готових модулів ОЗП домінує компанія Kingston Technology.

DRAMeXchange

Згідно з останнім звітом DRAMeXchange, вона займає 72,17% ринку готових DRAM-модулів. За нею з величезним відривом слідують SMART Modular Technologies (5,07%), Ramaxel (4,68%) і ADATA Technology (3,89%). Частка інших учасників ринку не перевищує 3%. При цьому Kingston Technology зберігає лідерство протягом останніх 16 років.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Теги: kingston   dramexchange   adata   micron   sk hynix   samsung   dram   
Читати новину повністю >>>

Toshiba планує купити бізнес накопичувачів компанії Lite-On Technology

Згідно з інформацією видання BusinessKorea, японська компанія Toshiba планує викупити у тайванської Lite-On Technology бізнес з виробництва накопичувачів. Остання володіє вельми популярним брендом Plextor, який пропонує дешеві SSD із високою продуктивністю. Цікаво, що в минулому Plextor - це японська компанія, яку придбала Lite-On Technology. Якщо угода відбудеться, то Plextor знову стане брендом японської компанії.

Toshiba Lite-On Technology

Toshiba і так є другою за величиною гравцем на глобальному ринку NAND флеш-пам'яті, але вона хоче посилити свої позиції за рахунок цієї угоди. Зокрема, її цікавлять партнерство Lite-On Technology з деякими виробниками PC (наприклад, Dell і HP). Також вона хоче поліпшити портфоліо твердотільних накопичувачів для дата-центрів.

Сама ж компанія Toshiba недавно анонсувала роботу над новим типом NAND-пам'яті - Penta Level Cell (PLC). Тобто кожна клітинка може зберігати 5 біт інформації (SLC - 1 біт, MLC - 2 біт, TLC - 3 біт, QLC - 4 біт). Це дозволяє збільшити загальний обсяг SSD і знизити вартість виробництва. З іншого боку, це негативно позначиться на швидкісних показниках і витривалості. На даний момент домінує пам'ять TLC, але Samsung і SK Hynix уже представили QLC-чіпи.

http://www.businesskorea.co.kr
Сергій Буділовський

Теги: toshiba   plextor   ssd   tlc   qlc   mlc   slc   sk hynix   samsung   dell   hp   plc   
Читати новину повністю >>>

SSD SK hynix Gold S31 об'ємом від 250 ГБ до 1 ТБ

Компанія SK hynix вийшла на ринок із новим масовим твердотілим накопичувачем Gold S31, який представляє серію SK hynix SuperCore. Новинка створена в звичному 2,5-дюймовому форм-факторі. Усередині використовуються виключно фірмові компоненти: контролер і мікросхеми 3D NAND і DRAM.

SK hynix Gold S31

SK hynix Gold S31 представлений у трьох варіантах об'єму: 250 ГБ, 500 ГБ і 1 ТБ. Усі вони характеризуються однаковими послідовними швидкостями: 560 МБ/с при читанні і 525 МБ/с при записі. До продажу він надійшов із 5-річною гарантією за ціною від $49,99.

SK hynix Gold S31

Зведена таблиця технічної специфікації твердотільного накопичувача SK hynix Gold S31:

Модель

SK hynix Gold S31

Форм-фактор

2,5”

Зовнішній інтерфейс

SATA 6 Гбит/с

Тип пам'яті

3D NAND

Контролер

Фірмовий SK hynix

Варіанти за об'ємом, ГБ

250

500

1000

Максимальна послідовна швидкість читання / запису, МБ/с

560 / 525

Витривалість (TBW), ТБ

200

300

600

Рекомендована вартість, $

49,99

79,99

123,99

Гарантія, років

5

https://www.techpowerup.com
https://www.anandtech.com
Сергій Буділовський

Теги: sk hynix   3d nand   ssd   
Читати новину повністю >>>

SK hynix повідомила про скорочення виробництва пам'яті DRAM і NAND

Компанія SK hynix підвела фінансові підсумки діяльності у другому кварталі 2019 року, згідно з якими скоротилися всі головні показники. Наприклад, загальний дохід знизився на 5%, операційний прибуток впав на 53%, а чистий дохід - на 51%. І це в порівнянні з попереднім кварталом. А якщо порівнювати з аналогічним періодом минулого року, то показники просіли ще сильніше.

SK hynix

У світлі такого стану справ, керівництво SK hynix вирішило скоротити виробництво пам'яті DRAM і NAND в надії зупинити падіння цін. Обсяг скорочення виробництва мікросхем ОЗП не повідомляється, але воно станеться в четвертому кварталі поточного року. Частина ліній буде конвертовано в виробництво датчиків зображення CMOS.

У свою чергу обсяг випуску NAND-пластин буде скорочений на 15%, хоча раніше планувалося зменшити його на 10%. Також компанія вирішила значно знизити інвестиції в 2020 році в порівнянні з попередніми планами, але точні цифри не повідомляються.

І в завершенні керівництво SK hynix попередило про можливий зрив виробництва через торгівельну війну між Японією і Південною Кореєю.

https://www.dvhardware.net
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Теги: sk hynix   nand   cmos   
Читати новину повністю >>>

Спотова ціна DRAM-чіпів піднялася на 23%

Аналітична компанія DRAMeXchange повідомила, що спотова ціна 8-гігабітної мікросхеми оперативної пам'яті, яка вважається індикатором стану ринку, у п'ятницю 19 липня склала $3,74. Це на 14,6% вище, ніж тижнем раніше, і на 23% вище в порівнянні з ціною 5-го липня.

Спотовий ринок зазвичай визначає тренди на роздрібному, тому не виключено, що через кілька тижнів або раніше ціни на модулі оперативної пам'яті піднімуться. Слідом за цим можуть подорожчати пристрої з вбудованою оперативною пам'яттю (готові ПК, смартфони, планшети, ноутбуки і т.д.). Усе буде залежати від того, наскільки великі запаси продукції зараз є на складах і як швидко вони будуть поповнюватися.

DRAM

Причиною цього подорожчання в першу чергу є 13-хвилинне відключення світла в промисловому комплексі Yokkaichi Operations. Тоді повідомляли, що постраждало виробництво NAND-пам'яті компаній Toshiba і Western Digital. Тепер виявляється, що воно торкнулося і виробництво DRAM-пам'яті.

А ось торговий конфлікт між Японією і Південною Кореєю поки особливо не впливає на ситуацію. Але якщо в найближчому майбутньому він не буде вирішений і Samsung Electronics або SK Hynix будуть зазнавати складнощів із виробництвом мікросхем DRAM, то ціни можуть миттєво злетіти вгору.

https://www.techpowerup.com
http://world.kbs.co.kr
Сергій Буділовський

Теги: dram   samsung   sk hynix   toshiba   dramexchange   
Читати новину повністю >>>

Торговий конфлікт між Японією і Південною Кореєю може призвести до подорожчання пам'яті

Напружена ситуація в торговельній сфері спостерігається не тільки між США і КНР, а й між Японією і Південною Кореєю.

Що ж трапилося? Починаючи з 4 липня японські постачальники трьох важливих хімікатів, які активно використовуються в напівпровідниковій індустрії, повинні отримати урядовий дозвіл на їх експорт в Південну Корею. Розгляд таких заявок може розтягнутися на 3 місяці, а це критично важливий термін, тому що він може спричинити за собою припинення діяльності деяких південнокорейських компаній.

Наприклад, анонімне джерело компанії SK Hynix повідомив японському виданню Nikkei, що у компанії немає 3-місячного запасу необхідних хімікатів. Тому SK Hynix може навіть призупинити виробництво, якщо їй доведеться дуже довго чекати постачань з Японії. Samsung повідомила, що вона моніторить ситуацію.

DRAM

Чому це важливо для індустрії в цілому? Південнокорейські компанії виробляють близько 70% загального обсягу чіпів оперативної пам'яті і 50% мікросхем NAND флеш-пам'яті. Будь-які перебої в їх роботі може привести до зривів контрактів. Постраждають як виробники іншої електроніки (модулів пам'яті, SSD, смартфонів, ноутбуків і т.д.), так і звичайні користувачі, адже зменшиться пропозиція і ціни можуть піти вгору.

Причина напружених відносин між двома країнами криється в минулому. У жовтні 2018 верховний суд Південної Кореї зобов'язав японську компанію Nippon Steel виплатити компенсацію корейським робочим, які були насильно вивезені на роботу до Японії під час Другої світової війни. Це рішення і викликало невдоволення уряду Японії, яке вирішило завдати у відповідь удар по економіці Південної Кореї. У свою чергу уряд Південної Кореї висловило глибоке співчуття з приводу рішення японських колег і вже готується прийняти контрзаходи, включаючи подачу скарги в ВТО.

https://www.tomshardware.com
https://www.reuters.com
Сергій Буділовський

Теги: samsung   ssd   nand   sk hynix   
Читати новину повністю >>>

Виробники NAND-пам'яті прискорюють перехід на 120/128-шарові мікросхеми

У березні SK Hynix почала виробництво перших 96-шарових мікросхем 4D NAND, а Toshiba і Western Digital анонсували плани з активного переходу до 128-шарових TLC-чіпів. За інформацією DigiTimes, основні гравці вирішили прискорити перехід до 120- / 128-шарової технології виробництва NAND-пам'яті, щоб почати масове виробництво чіпів уже в 2020 році.

NAND

Причина такого рішення криється в поточних низьких цінах на флеш-пам'ять. Для виробників це ідеальний час, щоб взяти паузу на освоєння нової технології. Адже такий перехід неминуче означає зниження обсягів випуску продукції (потрібен час для переоснащення виробничих ліній і налагодження процесу). А це дозволить ліквідувати існуючий надлишок флеш-пам'яті і підняти ціни.

NAND

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Теги: nand   tlc   toshiba   western digital   sk hynix   4d nand   
Читати новину повністю >>>

Ринок ОЗП: очікується збільшення попиту і постачань, можливе зростання цін

Якщо ви плануєте купівлю оперативної пам'яті, то саме час зробити це до кінця другого кварталу поточного року. Адже поки ціни тримаються на порівняно низькому рівні. Але виробники очікують, що контрактні ціни на чіпи DRAM і NAND у цьому кварталі досягнуть дна і, можливо, почнуть підніматися в третьому кварталі, якщо попит буде відповідати очікуванням.

DRAM

У першому ж кварталі спостерігалося різке падіння цін. Найбільше це вдарило по великим виробникам (Samsung, SK Hynix і Micron). А ось деякі менші компанії змогли навіть отримати прибуток. Наприклад, чистий дохід ADATA Technology в першому кварталі склав $4,9 млн. Це найвищий показник за шість останніх кварталів, хоча в попередньому її діяльність була збитковою. Дохід TEAMGROUP виріс на 3,78% до $55 млн - це найвищий показник першого кварталу для компанії за останніх дев'ять років. А ось Transcend Information, навпаки, зафіксувала падіння показників в першому кварталі на 6,89% в порівнянні з попереднім і на 23% в порівнянні з аналогічним періодом минулого року.

Проте тайванські виробники оперативної пам'яті готуються нарощувати постачання своїх модулів на ринок в надії на підвищений попит, щоб закріпити і поліпшити свої позиції.

https://www.digitimes.com
https://www.techspot.com
Сергій Буділовський

Теги: dram   samsung   adata   micron   sk hynix   transcend   teamgroup   
Читати новину повністю >>>

Пам'ять DDR5 з'явиться вже в цьому році

На International Solid-State Circuits Conference компанії SK Hynix і Samsung поділилися планами щодо випуску на ринок DDR5-пам'яті. Презентація першої сконцентрувалася на 16-гігабітному чипі, зробленому на базі 1y-nm процесі з площею 76,22 мм2. Він працює при напрузі 1,1 В з пропускною спроможністю 6,4 Гбіт/с на кожен контакт. Ця мікросхема ляже в основу десктопних модулів пам'яті.

DDR5

Своєю чергою Samsung сконцентрувалася на мобільному стандарті LPDDR5. Її чіпи зроблені на базі 10-нм технології і володіють пропускною здатністю 7,5 Гбіт/с на контакт при робочій напрузі 1,05 В.

Обидві компанії обіцяють вже до кінця 2019 року подати перші зразки готової продукції. SK Hynix прогнозує, що до 2021 року стандарт DDR5 займе 25% ринку, а до 2022 - 44%.

https://www.tomshardware.com
Сергій Буділовський

Теги: ddr5   samsung   sk hynix   lpddr5   
Читати новину повністю >>>

sk hynix

Вибрати з: Оглядів Новин
Тільки в розділі
Шукати в знайденому тег:

Пошук на сайті
Поштова розсилка

top10

vote

Голосування