up
ua ru
menu

gecid-ru-160x600px-06-2019.gif


nano gaming ram

Вибрати з: Оглядів Новин
Тільки в розділі
Шукати в знайденому тег:

DDR4 vs. DDR3: порівняльне тестування оперативної пам'яті

Випуск платформи Socket LGA1151 нарешті дозволив порівняти між собою пам'ять стандартів DDR4 і DDR3 у рівних умовах. Однак перш ніж перейти до результатів тестування, пропонуємо спочатку більш детально дослідити відмінності між даними типами модулів. Це дасть нам краще уявлення про те, чого варто очікувати від нової пам'яті не тільки зараз, але й у найближчому майбутньому.

За розробку стандарту DDR4 асоціація JEDEC взялася ще в 2005 році. У ті часи в магазинах ще повних ходом продавалися планки DDR2, і тільки планувався серійний випуск модулів DDR3. Іншими словами, інженери вже тоді розуміли, що можливості даних стандартів обмежені й рано чи пізно вони стануть лімітувати або зовсім не відповідати рівню інших комплектуючих ПК.

DDR4 vs DDR3 GECID

Причому мова йде не тільки про пропускну здатність пам'яті, але й про такі важливі характеристики, як енергоспоживання модулів і їхній об’єм. Як можна переконатися з даної діаграми, планки DDR4 обходять своїх попередників за всіма параметрами.

Збільшення пропускної здатності

DDR4 vs DDR3 GECID

Пропускна здатність підсистеми пам'яті прямо залежить від швидкості роботи модулів: чим вона вища, тим швидше здійснюється запис і читання з пам'яті. Звичайно, далеко не всі додатки постійно обмінюються великими масивами даних, тому в реальних умовах експлуатації користувач може й не відчути переваги від встановлення більш продуктивних комплектів. Але якщо ми говоримо про спеціалізовані програми на зразок відео- і фоторедакторів, CAD-систем або засобів для створення 3D-анімації, то результат від застосування швидкісних модулів уже виявиться куди істотнішим. Також висока пропускна здатність підсистеми пам'яті важлива при використанні вбудованої графіки. Адже в iGPU немає доступу до швидких чіпів GDDR5, тому вся необхідна йому інформація поміщається в оперативну пам'ять ПК. Відповідно, у цьому випадку встановлення більш продуктивних комплектів пам'яті прямо впливатиме на кількість FPS на екрані.

DDR4 vs DDR3 GECID

Для формату DDR3 стандартними є частоти від 1066 МГц до 1600 МГц, і лише недавно додалося значення 1866 МГц. Для DDR4 же мінімальна швидкість роботи починається з позначки 2133 МГц. Так, ви скажете, що модулі DDR3 можуть надолужити різницю за допомогою розгону. Але ж те ж саме доступно і для планок DDR4, у яких і розгінний потенціал вищий. Адже за допомогою оптимізації параметрів модулі DDR3 зазвичай беруть планку в 2400 – 2666 МГц, для DDR4 без проблем покоряються висоти в 2800 – 3000 МГц.

Якщо порівнювати стандарти DDR4 і DDR3 з погляду ентузіастів-оверклокерів, то й тут перевага буде на боці DDR4. Уже зараз досягнуте значення в 4838 МГц, але ж пройшов тільки один рік після анонсу нового формату. Нагадаємо, рекордною частотою розгону для модулів DDR3 є 4620 МГц, яка була зафіксована лише через 7 років після запуску стандарту DDR3 у виробництво. Одним словом, в плані швидкості роботи потенціал у пам'яті DDR4 дуже великий.

Поліпшення енергоефективності

DDR4 vs DDR3 GECID

Другою важливою перевагою модулів DDR4 є можливість функціонування на низьких напругах. Так, для їхньої коректної роботи на номінальних частотах (2133 – 2400 МГц) достатньо всього лише 1,2 В, що на 20% менше, аніж у їхніх попередників (1,5 В). Щоправда, з часом на ринок була виведена енергоефективна пам'ять стандартів DDR3L і DDR3U з напругою живлення 1,35 і 1,25 В відповідно. Однак вона коштує дорожче і має ряд обмежень (як правило, її частота не перевищує 1600 МГц).

Також пам'ять DDR4 одержала підтримку нових енергозберігаючих технологій. Наприклад, модуль DDR3 використовує тільки одну напругу Vddr, яка для виконання деяких операцій підвищується за допомогою внутрішніх перетворювачів. Тим самим генерується зайве тепло та зменшується загальна ефективність підсистеми пам'яті. Для планки стандарту DDR4 специфікація передбачає можливість одержання цієї напруги (Vpp, рівна 2,5 В) від зовнішнього перетворювача живлення.

DDR4 vs DDR3 GECID

Пам'ять DDR4 також одержала вдосконалений інтерфейс введення/виведення даних під назвою «Pseudo-Open Drain» (POD). Від використовуваного раніше Series-Stub Terminated Logic (SSTL) він відрізняється відсутністю витоку струму на рівні драйверів комірок пам'яті.

У цілому ж використання всього комплексу енергоефективних технологій повинно привести до 30%-ого виграшу в енергоспоживанні. Можливо, у рамках настільного ПК це здасться несуттєвою економією, але якщо мова йде про портативні пристрої (ноутбуки, нетбуки), то 30% – не таке вже і маленьке значення.

Модернізована структура

У максимальній конфігурації чіп DDR3 містить 8 банків пам'яті, тоді як для DDR4 доступно вже 16 банків. При цьому довжина рядка в структурі чіпа DDR3 становить 2048 байт, а в DDR4 – 512 байт. У результаті новий тип пам'яті дозволяє швидше перемикатися між банками та відкривати довільні рядки.

DDR4 vs DDR3 GECID

Мікроархітектура DDR4 передбачає використання 8-гігабітних чіпів, у той час як модулі стандарту DDR3, як правило, створюються на основі мікросхем ємністю 4 Гбіт. Тобто при однаковій кількості чіпів ми одержимо у два рази більший об’єм. На сьогоднішній день найпоширенішими є 4-гігабайтні модулі (до слова, це мінімальна ємність для планки пам'яті стандарту DDR4). Але в ряді закордонних країн пропонуються вже й більш ємні модулі: на 8 і навіть на 16 ГБ. Зауважте, що при цьому ми говоримо про масовий сегмент ринку.

DDR4 vs DDR3 GECID

Для вирішення ж вузькоспеціалізованих завдань без проблем можна створювати модулі ще більшого об’єму. Для цих цілей передбачені 16-гігабітні чіпи та спеціальна технологія для їхнього компонування в корпусі DRAM (Through-silicon Via). Наприклад, компанії Samsung і SK Hynix уже представили планки ємністю 64 і 128 ГБ. Теоретично ж максимальний об’єм одного модуля DDR4 може становити 512 ГБ. Хоча навряд чи ми коли-небудь побачимо практичну реалізацію таких рішень, оскільки їхня вартість буде надзвичайно високою.

DDR4 vs DDR3 GECID

Незважаючи на збільшення усіх основних характеристик, розміри планок пам'яті DDR4 і DDR3 залишилися порівнянними: 133,35 х 31,25 мм проти 133,35 х 30,35 мм відповідно. У фізичному плані змінилося лише розташування ключа та кількість контактів (з 240 їх число збільшилося до 288). Так що навіть при всьому бажанні модуль DDR4 ніяк не вдасться встановити у слот для пам'яті DDR3 і навпаки.

Новий інтерфейс зв'язку з контролером пам'яті

DDR4 vs DDR3 GECID

Стандарт DDR3

DDR4 vs DDR3 GECID

Стандарт DDR4

Новий стандарт пам'яті передбачає використання й більш прогресивної шини зв'язку модулів з контролером пам'яті. У стандарті DDR3 застосовується інтерфейс Multi-Drop Bus із двома каналами. При використанні відразу чотирьох слотів виходить, що два модулі підключені до одного каналу, що не найкращим чином позначається на продуктивності підсистеми пам'яті.

У стандарті DDR4 вдосконалили цей інтерфейс, застосувавши більш ефективну схему − один модуль на один канал. Новий тип шини одержав назву Point-to-Point Bus. Паралельний доступ до слотів однозначно кращий за послідовний, оскільки надалі дозволяє більш ефективно нарощувати швидкодію всієї підсистеми. Можливо зараз особливої переваги користувачі й не відчують, однак надалі, коли зростуть об’єми інформації, вона стане більш показовою. Адже саме за такою ж схемою розвивалася відеопам'ять GDDR і інтерфейс PCI Express. Тільки використання паралельного доступу дозволило значною мірою збільшити їхню продуктивність.

Однак шина Point-to-Point Bus накладає певні обмеження на кількість використовуваних модулів. Так, двоканальний контролер може обслуговувати тільки два слоти, а чотириканальний − чотири. При збільшенні об’ємів планок стандарту DDR4 це не настільки критично, але все-таки спочатку може викликати певні незручності.

DDR4 vs DDR3 GECID

Вирішується ця проблема досить простим способом − шляхом встановлення спеціального комутатора (Digital Switch) між контролером і слотами пам'яті. За принципом своєї дії він нагадує комутатор ліній PCI Express. У результаті користувачу, як і колись, буде доступно 4 або 8 слотів (залежно від рівня платформи), при цьому будуть використовуватися усі переваги шини Point-to-Point Bus.

Нові механізми виявлення та корекції помилок

Оскільки робота на високих швидкостях з великими стеками даних збільшує шанс виникнення помилок, то розробники стандарту DDR4 подбали про реалізацію механізмів для їхнього виявлення й попередження. Зокрема, у нових модулях присутня підтримка функції корекції промахів, пов'язаних з контролем парності команд і адрес, а також перевірка контрольних сум перед записом даних в пам’ять. На стороні ж самого контролера з'явилася можливість тестування з'єднань без використання ініціалізаційних послідовностей.

Теги: ddr4   ddr3   hyperx fury   kingmax   nano gaming ram   g.skill   ddr3l   ddr3-2400   sk hynix   samsung   intel core   jedec   kingston   hyperx   
Читати огляд повністю >>>

Огляд і тестування комплекту оперативної пам'яті KINGMAX DDR4-3200 Nano Gaming RAM об’ємом 16 ГБ

Продукція компанії KINGMAX уже не вперше потрапляє до нас на огляд. Раніше ми вже знайомили вас із SSD-дисками, флеш-накопичувачами, а також картами пам’яті тайванського виробника, які справили досить хороше враження завдяки вдалому поєднанню продуктивності, якості і розумної вартості. Не залишив без уваги настільки великий виробник таку сферу як виготовлення модулів оперативної пам'яті.

KINGMAX DDR4-3200 Nano Gaming RAM

У даному огляді ми познайомимося з комплектом оперативної пам'яті відносно молодого стандарту DDR4, який буде актуальним протягом кількох наступних років. Набір KINGMAX DDR4-3200 Nano Gaming RAM, як неважко здогадатися із його назви, належить до серії KINGMAX DDR4 Nano Gaming RAM, ключовою перевагою якої є оригінальний спосіб охолодження чіпів пам'яті − технологія NANO Thermal Dissipation. Суть її роботи полягає в нанесенні на поверхню самих мікросхем тонюсінького шару часток алмазоподібного вуглецю та кремнію, що підвищує екологічність рішення завдяки меншому вуглецевому сліду та знижує температуру на 10%. До того ж такий спосіб охолодження не збільшує висоту самих планок, а виходить, їх можна використовувати з більш широким списком габаритних процесорних кулерів.

У даній серії користувачам запропоновані комплекти ємністю від 8 до 32 ГБ із частотами від 2666 до 3400 МГц. При цьому робоча напруга живлення для різних комплектів становить від 1,2 до 1,35 В. У нашому випадку набір складається із чотирьох модулів загальним об’ємом 16 ГБ, максимальною ефективною частотою 3200 МГц при напрузі 1,35 В.

Давайте ж поглянемо на більш докладну специфікацію комплекту KINGMAX DDR4-3200 Nano Gaming RAM:

Виробник і модель

KINGMAX DDR4-3200 Nano Gaming RAM

Маркування модуля

GLOF63F-D8KAGA HABX

Тип пам'яті

DDR4

Форм-фактор

288-контактні UDIMM

Кількість модулів у комплекті продажу

4

Обсяг пам'яті одного модуля, ГБ

4

Номінальна напруга живлення, В

1,35

Конфігурація DRAM

512M x 8

Звичайні режими роботи

DDR4-2133 19-15-15-36

DDR4-2133 18-15-15-36

DDR4-2133 16-15-15-36

DDR4-2133 15-15-15-36

DDR4-1866 14-13-13-31

DDR4-1866 13-13-13-31

DDR4-1600 12-11-11-27

DDR4-1600 11-11-11-27

DDR4-1333 9-9-9-22

Розширені профілі XMP

DDR4-3200 16-18-18-36 @ 1,35 В

Розширені профілі EPP

Немає

Висота кожного модуля, мм

30

Сайт виробника

KINGMAX

Сторінка продукту

Теги: ddr4   kingmax   nano gaming ram   xmp   intel xmp   
Читати огляд повністю >>>

Огляд 8 ГБ двоканального комплекту пам’яті DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Продукція компанії KINGMAX Technology добре відома серед користувачів по всьому світу, в першу чергу за рахунок якісних і недорогих рішень, таких як flash-накопичувачі, диски SSD і модулі оперативної пам'яті.

Компанія KINGMAX Technology по мірках IT-індустрії вже досить довго існує на ринку комп'ютерних комплектуючих. Заснована в 1989 році корпорація KINGMAX Group і її філія KINGMAX Semiconductor присвятили свою діяльність дослідженню розробок в області систем пам'яті. В 2001 році група KINGMAX створила компанію KINGMAX Digital, яка спеціалізується на розробках і виробництві малогабаритних накопичувачів інформації.

Більшою перевагою KINGMAX Technology у порівнянні з конкурентами є повне відстеження процесу виробництва від початку до кінця: починаючи з кремнієвих пластин (заготовок для інтегральних мікросхем) і закінчуючи виробництвом, дослідженнями, розробкою, дизайном, виконанням і випробуваннями продукції.

Як і більшість інших компаній, KINGMAX Technology постійно розширює асортимент своєї продукції, тим самим відкриваючи для себе нові ринки збуту, також і оперативної пам'яті. Ні для кого не таємниця, що багато вимогливих користувачів при виборі комп'ютера все частіше звертають свій погляд на продуктивні комплекти пам'яті, здатні працювати на високих частотах. У кожній поважаючій себе компанії, яка займається випуском оперативної пам'яті, в асортименті продукції завжди є пропозиції для різного роду ентузіастів комп'ютерної техніки.

У компанії KINGMAX Technology така серія, призначена для потреб геймерів і оверклокерів, зветься KINGMAX Nano Gaming. Відзначимо, що виробник намагається випускати не просто високошвидкісні набори пам'яті, але і також впроваджує різні інноваційні технології, однією з яких є NANO Thermal Dissipation Tech. Що ж являє собою дана технологія, а також як покаже себе пам'ять серії KINGMAX Nano Gaming на фоні своїх конкурентів, довідаємося з сьогоднішнього огляду на прикладі комплекту DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS) об'ємом 8 ГБ.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Серія KINGMAX Nano Gaming містить у собі досить великий модельний ряд. Тут присутні як одноканальні рішення, так і дво-, три- і навіть чотириканальні комплекти пам'яті. Швидкість роботи цих наборів лежить у межах від 1600 МГц до 2400 МГц, а загальний об'єм – від 1 ГБ до 32 ГБ. Як бачимо, навіть самий вимогливий споживач зможе вибрати підходящу саме для його системи пам'ять.

Сьогодні ми будемо тестувати двоканальний комплект пам'яті з ефективною швидкістю роботи 2200 МГц і, мабуть, самим затребуваним на сьогоднішній день об'ємом – 8 ГБ. Спочатку давайте, як завжди, познайомимося з комплектом поставки і зовнішнім виглядом модулів DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Як і має бути у продукції такого класу, пам'ять DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB поставляється в картонній коробці. На передній стороні розташовані вирізи, через які можна роздивитися модулі. Сама коробка уніфікована для всієї серії комплектів пам'яті KINGMAX Nano Gaming. Про це красномовно свідчить наведений у куті список майже всього модельного ряду цієї серії.

У нижнього краю розташовані піктограми, які повідомляють про те, що дана пам'ять має довічну гарантію, сумісна з операційною системою MS Windows 7 і має підтримку XMP-профілів. Крім того, тут же зазначені ще логотипи двох фірмових технологій компанії KINGMAX Technology – Tinybga і NANO Thermal Dissipation Tech. З ними ми більш детально познайомився трохи пізніше, коли будемо розглядати архітектуру модулів DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Всередині картонної коробки знаходиться пластиковий блістер, у якому надійно зафіксовані два модулі пам'яті. Таке рішення забезпечує додатковий захист від ударів і можливих пошкоджень при транспортуванні. Зверху пам'ять DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB закрита прозорою пластиною, що захищає модулі пам'яті від пробою статичного струму.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Ми звикли, що на швидкісних комплектах пам'яті завжди присутні масивні радіатори для охолодження чіпів. На модулях пам'яті DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB таких радіаторів немає. Може закрастися думка, що виробник просто вирішив заощадити на системі охолодження, але це не так. Охолодження мікросхем тут присутнє, просто воно реалізоване за фірмовою технологією NANO Thermal Dissipation Tech, про яку потрібно розповісти більш докладно.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Технологія NANO Thermal Dissipation Tech взагалі не нова, вона вже і раніше неодноразово використовувалася на комплектах пам'яті серії KINGMAX Hercules, але на таких швидкісних модулях застосовується вперше. Нагадаємо, що в модельному ряді KINGMAX Nano Gaming присутні і більш швидкі набори пам'яті, що працюють на частоті 2400 МГц. Також не будемо забувати, що слово «overclocking» зазначене на упаковці не передбачає можливість розгону, який у більшості випадків супроводжується підняттям напруги живлення на модулях пам'яті. Все це неминуче веде до підвищення нагрівання чіпів пам'яті, з яким покликана боротися технологія NANO Thermal Dissipation Tech.

Суть її полягає в наступному: на охолоджувану поверхню наноситься шар суміші, що складається з матеріалів з високою теплопровідністю, таких як кремній і алмазоподібний вуглець. Частки цих матеріалів настільки малі, що заповнюють всі мікроскопічні нерівності поверхні і в результаті забирають тепло на більшій площі, ніж звичайний радіатор. Та і гарна теплопровідність позитивним чином позначається на кінцевій температурі чіпів пам'яті.

За заявою компанії KINGMAX Technology, з застосуванням технології NANO Thermal Dissipation Tech відведення тепла від мікросхем пам'яті поліпшується на 10%, при цьому вони на 2⁰С «холодніше», ніж при використанні звичайних радіаторів.

На практиці система охолодження модулів DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB досить добре впоралася з своїм завданням. Під час тестування зафіксована температура на поверхні мікросхеми пам'яті не перевищувала 36,1⁰С. Тобто ефективність системи охолодження дійсно порівнянна з ефективністю громіздких алюмінієвих радіаторів.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Самі модулі виконані на текстоліті чорного кольору. На кожній стороні розпаяно по вісім мікросхем пам'яті. Двостороннє компонування модулів може дати невелике збільшення в продуктивності в деяких додатках, у порівнянні з однобічною. Особливо даний факт буде цікавий оверклокерам, для яких будь-яке, нехай навіть невелике, збільшення в продуктивності може додати декілька місць у змаганнях з розгону.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Ще однією характерною рисою модулів пам'яті KINGMAX, також і модулів DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB, є використання власної фірмової технології упаковки мікросхем пам'яті – Tinybga. За заявою компанії, дана технологія дозволяє використовувати чіпи меншого розміру з низьким енергоспоживанням.

Істотним плюсом впровадження технологій NANO Thermal Dissipation Tech і Tinybga є те, що висота модулів залишилася попередньою. Тобто користувачі можуть бути впевнені, що пам'ять DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB не буде перешкоджати встановленню масивних кулерів для охолодження процесора.

На звороті радіатора виробник помістив наклейку з технічними характеристиками, з якої можна довідатися маркування – FLK66F-C8KKAA HEIS, ефективну частоту роботи – 2200 МГц, об'єм одного модуля – 4 ГБ. Також нагадується про втрату гарантії при видаленні даного стікера.

Щоб довідатися більш докладні характеристики, звернемося по допомогу до спеціального програмного забезпечення. У нашому випадку ми скористалися програмами CPU-Z і AIDA64.

Згідно представленим скріншотам, у SPD модулів пам'яті DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB записано чотири стандартні Jedec-режиму роботи: DDR3-666 9-9-9-24 1,5V, DDR3-592 8-8-8-22 1,5V, DDR3-518 7-7-7-19 1,5V, DDR3-444 6-6-6-16 1,5V і один XMP-профіль: DDR3-1100 (2200 МГц) 10-11-10-30 1,6V.

Як і повинно бути для комплекту пам'яті такого рівня, в SPD записаний XMP-профіль, що дозволяє задіяти заявлені в технічній специфікації ефективні налаштування. Це повинно спростити життя рядовому користувачу, дозволяючи йому уникнути зайвого «копання» в BIOS у пошуках необхідних параметрів пам'яті, відповідальних за частоту і затримки (таймінги).

Перед тестуванням набора пам'яті DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB, який розглядаємо в цьому матеріалі, давайте ще раз глянемо на його характеристики. Для наочності дані зібрані в таблицю.

Специфікація:

Виробник і модель

KINGMAX Nano Gaming RAM DDR3-2200 2x4GB

Маркування модулів

FLK66F-C8KKAA HEIS

Тип пам'яті

DDR3

Гарантований ефективний режим роботи (реальна частота)

DDR3-2200 (1100 МГц)

Форм-фактор

240 pin U-DIMM

Кількість модулів у наборі

2

Об'єм пам'яті кожного модуля, ГБ

4

Рекомендовані режими роботи

DDR3-1100 10-11-10-30 1,6V

Стандартні режими роботи JEDEC

DDR3-666 9-9-9-24 1,5V

DDR3-592 8-8-8-22 1,5V

DDR3-518 7-7-7-19 1,5V

DDR3-444 6-6-6-16 1,5V

Розширені профілі XMP

DDR3-1100 10-11-10-30 1,6V

Розширені профілі EPP

Немає

Додаткові сертифікати

-

Робочий діапазон температур, ⁰С

-

Енергоспоживання комплекту

-

Висота кожного модуля, мм

30

Сайт виробника

http://www.kingmax.com/

Тестування продуктивності

Для проведення тестів ми використали таку конфігурацію стенда:

Процесор

Intel Core i7-3770K (3,5 ГГц, 8 МБ L3, LGA1155)

Материнські плати

ASUS P8Z77-V PRO/THUNDERBOLT

Кулер

Thermalright SI-128 (LGA775) + VIZO Starlet UVLED120 (62,7 CFM, 31,1 дБ)

Відеокарта

ZOTAC GeForce GTX 480 AMP! (NVIDIA GeForce GTX 480, 1,5 ГБ GDDR5, PCIe 2.0)

 Жорсткий диск

Hitachi Deskstar HDS721616PLA380 (160 ГБ, 16 МБ, SATA-300)

Оптичний привід

ASUS DRW-1814BLT SATA

 Блок живлення

Seasonic M12II-500 (SS-500GM), 120 мм fan

У якості опонента для порівняння був використаний ще один оверклокерський набір пам'яті DDR3-2400 G.Skill Tridentx F3-2400C10D-16GTX об'ємом 16 ГБ (2х8 ГБ). Обидва комплекти пам'яті проходили тестування в наступних режимах роботи:

Модель

Швидкість роботи, МГц

Набір затримок

KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB

2200

10-11-10-30

2133

10-10-10-30

1866

9-10-9-27

G.Skill Tridentx F3-2400C10D-16GTX

2200

10-11-11-28

2133

9-11-10-28

1866

9-9-9-24

Комплект пам'яті DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB майже у всіх тестах продемонстрував ті ж результати, що і його опонент з табору конкурентів. При цьому зміна швидкості пам'яті з 1866 МГц до 2200 МГц фактично ніяк не вплинула на загальну продуктивність системи. Різниця спостерігалася лише в окремих програмах, які сильно залежать від частоти пам'яті. Але й у цьому випадку приріст швидкодії 3-5% не можна назвати значною.

В ігрових додатках різниця також була майже непомітна. Продуктивність змінювалася в межах 1-2%, що скоріше можна списати на погрішність вимірів при тестуванні.

Розгін

Оскільки виробник позиціонує пам'ять серії KINGMAX Nano Gaming як рішення не тільки для геймерів, але також і для оверклокерів, ми вирішили випробувати можливості комплекту DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB у розгоні.

Пам'ять DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB без проблем вдалося розігнати до швидкості 2400 МГц при таймінгах 11-11-11-32, що відповідає приросту в 9,1% у порівнянні з номінальною частотою. При цьому напругу живлення, що подається на модулі пам'яті, була встановлена на рівні 1,65 В (номінальне значення – 1,60 В). Цікаво, що в розгоні температура на поверхні чіпів пам'яті піднялася до оцінки 36,6⁰С, що всього лише на 0,5⁰С більше в порівнянні з температурою в номінальному режимі роботи.

З цього можна зробити висновок, що набір пам'яті DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB має досить непоганий розгінний потенціал. Відзначимо, що напруга живлення 1,65 В для більшості швидкісних наборів пам'яті є стандартом. Так що у запеклих оверклокерів залишається ще великий запас по напрузі живлення для екстремального розгону модулів DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB.

Щоб переконатися в стабільності розгону, був використаний стандартний засіб перевірки пам'яті операційної системи Windows 7. Після 51-го циклу тесту ніяких помилок не виявлено. З цього можна судити про вдалий розгін і стабільну роботу всієї системи.

Висновки

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Комплект пам'яті DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS) склав на нас досить гарне враження. Незважаючи на те, що він не вважається флагманським у серії KINGMAX Nano Gaming, тут використані всі передові технології компанії. Звісно, особливу увагу привертає відсутність громіздких радіаторів на модулях пам'яті. Замість них виробник застосував систему охолодження, вконану на фірмовій технології за назвою NANO Thermal Dissipation Tech. Вона по ефективності не поступається традиційним радіаторам і, у той же час, не збільшує габарити самих модулів. Останній факт досить актуальний, оскільки основною проблемою більшості геймерських і оверклокерських наборів пам'яті є неможливість їх одночасного використання з багатьма моделями процесорних «суперкулерів».

Що стосується можливості розгону, то тут набір DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB також продемонстрував досить гарні результати - 2400 МГц при затримках 11-11-11-32, причому не треба було особливо піднімати напругу живлення, що подається на модулі пам'яті.

Все це дозволяє казати, що серія KINGMAX Nano Gaming взагалі і набір DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB зокрема, будуть популярні на ринку швидкісної оперативної пам'яті і, завдяки використанню ексклюзивних технологій, запропонують користувачам сукупність можливостей, які відсутні у рішень конкурентів.

[MEDALS]

Теги: kingmax   nano gaming ram   ddr3   
Читати огляд повністю >>>

Анонс оперативної пам’яті KINGMAX DDR3 2400 МГц Nano Gaming Ram

Компанія KINGMAX розширила лінійку високопродуктивної оперативної пам’яті Nano Gaming Ram новим 4 ГБ двоканальним набором (2 х 2 ГБ), який функціонує на тактовій частоті 2400 МГц. Як відомо, із збільшенням тактової частоти, зростає  температура мікросхем, що може призвести до їх нестабільної роботи або виходу з ладу. Для запобігання цього і покращенню тепловідведення, виробники оснащують оптимізовані модулі оперативної пам’яті системою охолодження у вигляді захисного радіатору. Унікальність комплекту KINGMAX DDR3 2400 МГц Nano Gaming Ram полягає саме в дизайні системи охолодження, яка використовує технологію Nano Thermal Dissipation (NTD). Її суть в тому, що кожна мікросхема вкрита спеціальним шаром, який виготовленого з сполук кремнію. Товщина цього шару складає усього декілька нанометрів. Як заявляють представники KINGMAX, цього цілком достатньо для покращення ефективності тепловідведення на 10%. Дана технологія дозволяє замінити традиційні радіатори.

Також відзначимо, що кожен модуль оперативної пам’яті KINGMAX DDR3 2400 МГц Nano Gaming Ram оснащено спеціальним чіпом ASIC, який використовується для боротьби з контрафактною продукцією. Наявність такої мікросхеми свідчить про належність даного модуля до оригінальної лінійки KINGMAX DDR3 2400 МГц Nano Gaming Ram.

Новинки пройшли тестування на сумісність з платформою Intel P55, продемонструвавши при цьому високий рівень ефективності та стабільності характеристик. Це дозволило компанії KINGMAX поширити на них довічну гарантію. Детальна таблиця технічної специфікації нової оперативної пам’яті KINGMAX DDR3 2400 МГц Nano Gaming Ram виглядає наступним чином: 

Тип

240-контактні DDR3

Об’єм, ГБ

4 (2 х 2)

 Тактова частота, МГц

2400

Таймінги

9-11-9-27

Напруга живлення, В

1,65

Ширина смуги пропускання, ГБ/с

19,2

Гарантія

довічна

Отримані сертифікати

CE (EU), Intel XMP, RoHS

http://www.tcmagazine.com
http://www.kingmax.com
Сергій Буділовський

Теги: kingmax   ddr3   nano gaming ram   intel xmp   
Читати новину повністю >>>

nano gaming ram

Вибрати з: Оглядів Новин
Тільки в розділі
Шукати в знайденому тег:

Пошук на сайті
Поштова розсилка

top10

vote

Голосування



Banner_Hyper212_RGB_160x600.jpg