up
ua ru
menu

ru.gecid.com-160x600px-10-2019.gif


hbm3

Вибрати з: Оглядів Новин
Тільки в розділі
Шукати в знайденому тег:

На 40% ефективніше: SK hynix представила 16-гігабітні чіпи DDR4-пам'яті

Компанія SK hynix із гордістю представила найбільш ємні в індустрії 16-гігабітні мікросхеми пам'яті DDR4, створені на основі техпроцесу 1z нм. Їх виробництво не вимагає використання дорогої EUV літографії, а значить є всі передумови для зниження кінцевої вартості.

SK hynix

Пропускна здатність новинок досягає 3200 Мбіт/с - це найбільший номінальний показник для інтерфейсу DDR4. При цьому енергоефективність готових модулів на базі цих чіпів покращилася на 40% у порівнянні з аналогічними по щільності модулями, створеними на основі 8-гігабітних чіпів минулого покоління (технологія 1y нм).

Масове виробництво 1z-нм мікросхем пам'яті заплановано на наступний рік. SK hynix також планує використовувати цю технологію для створення чіпів LPDDR5 і HBM3.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Теги: sk hynix   ddr4   lpddr5   hbm3   
Читати новину повністю >>>

Стандарти пам'яті HBM3 й DDR5 обіцяють подвійний приріст продуктивності

Американська компанія Rambus, яка раніше займалася розробкою чіпів пам'яті, а тепер знаменита своєю діяльністю з торгівлі патентами й судового переслідування виробників оперативної пам'яті (т.зв. патентний троль), розкрила попередню специфікацію майбутніх стандартів пам'яті HBM3 й DDR5, офіційний реліз яких відбудеться не раніше 2019 року.

HBM3 DDR5

Так, обидва стандарти виготовлятимуться за нормами 7-нм техпроцесу. Для пам'яті HBM3 швидкість передачі даних сягне 4 ГБ/с, у той час як поточна HBM2 може надати максимум 2 ГБ/с. У результаті, при збереженні такої ж ширини шини, пропускна спроможність для кожного стека збільшиться до 512 ГБ/с. Таким чином, цей тип пам'яті може стати відмінним рішенням для топових відеокарт наступних поколінь.

У свою чергу для стандарту пам'яті DDR5 точні швидкісні показники не вказуються, однак відомо, що вони перебуватимуть у діапазоні від 4800 до 6200 МБ/с, що в 1,5-2 рази перевищує цей показник для пам'яті DDR4.

У будь-якому разі, ця інформація має попередній характер, а остаточні характеристики стандартів пам'яті HBM3 й DDR5 можуть змінитися ближче до дати їх релізу.

wccftech.com
Юрій Коваль

Теги: hbm3   ddr5   ddr4   hbm2   
Читати новину повністю >>>

Samsung планує вивести на ринок стандарт GDDR6 у 2018 році

Якщо SK hynix пов'язує подальший розвиток ринку зі стандартом HBM3, який забезпечує пропускну спроможність на рівні 2 ТБ/с, то Samsung активно розробляє стандарт GDDR6, плануючи його комерційне використання у 2018 році.

Samsung GDDR6

Можна спрогнозувати, що в 2017 році мікросхеми GDDR5X якщо не повністю витіснять GDDR5, то суттєво зміцнять свої позиції. А ось в наступному році їм на зміну прийдуть GDDR6 з поліпшеною продуктивністю й енергоефективністю. Пропускна спроможність на контакт збільшиться з 10-12 до 14-16 Гбіт/с. У результаті загальна пропускна спроможність для 256-бітової шини виросте до 512 ГБ/с, а для 384-бітової – до 768 ГБ/с.

Samsung GDDR6

Що ж стосовно енергоефективності, то тут ключовою інновацією є перехід від технології LP4X до LP5. Вона забезпечує адекватнішу зміну робочих напруг у залежності від частоти, гарантуючи 20% зниження енергоспоживання.

Samsung GDDR6

До речі, на графіках можна помітити й появу в 2018 році стандарту оперативної пам'яті DDR5, який прийде на зміну DDR4, забезпечивши невеликий приріст продуктивності й додаткове зниження енергоспоживання.

Samsung GDDR6

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Теги: samsung   gddr5   hbm3   gddr5x   ddr4   ddr5   gddr6   
Читати новину повністю >>>

Третє покоління HBM забезпечить відеокартам 64 ГБ пам'яті

Активним просуванням стандарту HBM займається компанія SK hynix. У даний момент на ринку наявні моделі з першим поколінням HBM-пам'яті (серія AMD Radeon R9 Fury), а незабаром з'являться відеоприскорювачі з другим. Проте SK hynix вже активно працює над створенням третього покоління.

HBM3

Згідно з першими подробицями технічної специфікації, стандарт HBM3 забезпечить створення максимум 64-гігабайтових мікросхем з 4096-бітовою шиною та загальною пропускною спроможністю 2 ТБ/с (512 ГБ / с для кожного стека). Для порівняння, стандарт HBM2 передбачає пропускну спроможність на рівні 1 ТБ/с (256 ГБ/с для кожного стека).

SK hynix обіцяє, що HBM3 буде продуктивнішим, енергоефективнішим й економічно вигіднішим, ніж наявні стандарти пам'яті. Тому HBM3 може використовуватися не лише у відеокартах, але й у складі різноманітних тонких клієнтів, планшетів 2-в-1, ігрових консолях, серверах та інших пристроях.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Теги: sk hynix   hbm2   hbm   hbm3   
Читати новину повністю >>>

hbm3

Вибрати з: Оглядів Новин
Тільки в розділі
Шукати в знайденому тег:

Пошук на сайті
Поштова розсилка

top10

vote

Голосування



SL600M_160x600.jpg