Пошук по сайту

up
Banner

finfet

TSMC завершує створення нового чіпа на 3-нм техпроцесу

Компанія відзначає, що дотримуватися закону Мура, не так просто, проте співробітники компанії Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) вирішили цю проблему. Сьогодні з'явилася інформація про те, що компанія завершила будівництво свого виробничого підприємства для 3-нм напівпровідникового чіпа для наступного покоління. Компанія TSMC, розташована в науковому парку Південного Тайваню недалеко від Тайнаня, планує почати масове виробництво 3-нм чіпа в другій половині 2022 року. Як і раніше, одним з перших її клієнтів є Apple.

Передбачається, що фабрика обійдеться в 19,5 мільярдів доларів, і буде виробляти 55 000 пластин діаметром 300 мм (12 дюймів) за місяць. З огляду на, що звичайні потужності TSMC дозволяють випускати понад 100 тис. Одиниць на місяць, очікується, що ця нова установка з часом збільшить обсяги до 100 тисяч за місяць. Новий 3-нм чіп буде використовувати технологію FinFET і забезпечить збільшення продуктивності на 15% в порівнянні з попереднім 5-нм чіпом, при цьому споживання енергії зменшиться на 30% і збільшиться щільність операцій до 70%. Звичайно, усі ці параметри будуть залежати від конкретного дизайну.

https://www.techpowerup.com
Паровышник Валерій

apple   tsmc   finfet  

Постійне посилання на новину

Intel можуть оштрафувати на 200 млн юанів за порушення патенту на FinFET

Наприкінці липня Комітет з питань патентної перевірки (Patent Review Committee) державного відомства інтелектуальної власності (State Intellectual Property Office) усно заслухав клопотання про неприпустиме використання Intel патенту 201110240931.5, який для простоти розуміння називають «патентом на FinFET». Він належить Інституту мікроелектроніки (Institute of Microelectronics) Китайської академії наук (Chinese Academy of Sciences).

Це був один із кроків у Intel в судовій суперечці про порушення патентних прав. До цього Intel п'ять разів зверталася в китайське і американське відомства з подібним клопотанням, але у всіх разах вона отримувала відмову. Рішення за останнім ще не винесено, однак у Intel вкрай мало шансів на позитивний результат справи.

Intel FinFET

Усе почалося в лютому 2018 року. Інститут мікроелектроніки подав до Високого суду Пекіна позов про порушення патентних прав. Відповідачами у цій справі виступили Intel, Dell (China) Co., Ltd. і Beijing JD Century Information Technology Co., Ltd. Позивач упевнений, що серія процесорів Intel Core порушує патент 201110240931.5, і тому вимагає компенсації збитку в розмірі 200 млн юанів ($28,67 млн).

Перше слухання у цій справі пройшло 24 квітня 2018 року, але дата розгляду по суті ще не призначена. За цей час Intel кілька разів намагалася подати клопотання в комітети з питань патентної перевірки Китаю і США, але отримувала відмови. А без цього їй буде дуже складно виграти в суді.

https://www.techpowerup.com
https://www.smalltechnews.com
Сергій Буділовський

intel   finfet   intel core   dell  

Постійне посилання на новину

TSMC почне масове виробництво 5-нм чіпів у 2020 році

Згідно з інформацією порталу DigiTimes, компанія TSMC почне масове виробництво 5-нм чіпів в березні 2020 року, через 2 роки після запуску 7-нм техпроцесу. Тобто саме TSMC, а не Intel зараз ближче до того, щоб відновити коректність закону Мура.

TSMC

5-нм технологія TSMC використовує EUV-літографію (Extreme Ultra-Violet) і існуючий дизайн FinFET. Від одного лише переходу з 7 на 5-нм максимальні частоти роботи чіпів виростуть на 15%, а щільність розміщення транзисторів збільшиться на вражаючі 80%. А ще максимум на 30% знизиться енергоспоживання.

https://www.techpowerup.com
https://www.digitimes.com
Сергій Буділовський

tsmc   intel   finfet  

Постійне посилання на новину

Samsung готується до переходу на норми 3-нм технології GAA

Поки Intel продовжує використовувати 14-нм техпроцес, а TSMC активніше задіє 7-нм технологію, південнокорейський IT-гігант на заході Samsung Foundry Forum 2019 USA представив техпроцес 3-нм Gate-All-Around (3GAA). Його розробка проходить відповідно до наміченого графіка. У квітні партнери отримали Process Design Kit (PDK) версії 0.1 для 3GAA, що дозволяє їм починати розробку своїх продуктів відповідно до нового техпроцеса.

Samsung 3GAA

Перехід з 7-нм на 3-нм технологію забезпечить 45%-ве зниження площі мікросхем і 50%-е падіння енергоспоживання або 35%-е підвищення рівня продуктивності. Samsung очікує, що новий техпроцес буде широко використовуватися для створення чіпів для мобільних пристроїв, мережевого обладнання, автомобілебудування, для роботи зі штучним інтелектом і в IoT. Вона вже виготовила тестовий чіп на основі 3GAA, і тепер сфокусується на поліпшенні його продуктивності і енергоефективності.

Також компанія запатентувала новий дизайн MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) для 3GAA. Він забезпечує проходження великих струмів в стеку і підвищує гнучкість при створенні нових продуктів, ніж традиційний FinFET. Але головне, що зберігається сумісність MBCFET і FinFET, тому виробники можуть використовувати обидва

Поки в планах Samsung значаться 4 FinFET-технології (від 7-нм до 4-нм) і 3-нм GAA або MBCFET. Зокрема, у другій половині цього року вона почне масове виробництво чіпів на основі 6-нм техпроцесу і закінчить розробку 4-нм технології. А вже в першій половині 2020 року почнеться масове виробництво перших продуктів на основі 5-нм FinFET-технології. Терміни випуску перших мікросхем на базі 3GAA поки не повідомляються.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

samsung   finfet  

Постійне посилання на новину

TSMC створила дизайн для SoC-процесора Apple A11 на базі 10-нм FinFET-технології

Відомий інтернет-ресурс стверджує, що компанія Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) повним ходом готується до виробництва SoC-процесора Apple A11 на базі 10-нм технології FinFET. Для цього вона вже створила відповідний дизайн, однак поки ще не почала активно його використовувати. Справа в тому, що лише в четвертому кварталі 2016 року 10-нм техпроцес пройде всю необхідну сертифікацію.

TSMC

Таким чином, перші тестові зразки Apple A11 можуть бути отримані вже на початку 2017 року. Якщо всі випробування пройдуть успішно, то масове виробництво почнеться в другому кварталі наступного року. За попередніми даними, компанія TSMC отримає замовлення на виготовлення близько 67% від загальної кількості процесорів Apple A11. Відповідно, дебют нового покоління популярних смартфонів очікується не раніше другої половини 2017 року.

http://digitimes.com
Сергій Буділовський

apple   tsmc   finfet   soc  

Постійне посилання на новину

TSMC почне випробування 7-нм техпроцесу в 2017 році

Основна частина виробничих потужностей тайванської компанії TSMC у даний момент зайнята під активне виробництво 16-нм продуктів із застосуванням технології FinFET. Однак індустрія постійно дивиться вперед, продовжуючи освоєння все більш тонких впровадження нових технологічних процесів.

TSMC

Наступним кроком TSMC стане виробництво 10-нм мікросхем, перші зразки яких вже були отримані в першому кварталі поточного року. Однак основний акцент покладено на успішне освоєння 7-нм технології. Так, у першій половині 2017 року очікується запуск випробувального виробництва перших зразків продукції. TSMC вже отримала замовлення від 20 компаній, 15 з яких очікують вже до кінця 2017 отримати готові зразки своїх товарів. Масове ж виробництво різних мікросхем на основі 7-нм техпроцесу має стартувати на початку 2018 року.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

tsmc   finfet  

Постійне посилання на новину

Samsung і GLOBALFOUNDRIES будуть випускати 14-нм продукти AMD

Згідно з інформацією одного із південнокорейських видань, компанії Samsung і GLOBALFOUNDRIES паралельно будуть випускати нове покоління графічних і центральних процесорів компанії AMD, використовуючи при цьому 14-нм техпроцес FinFET LPP (Low Power Plus). Оскільки саме Samsung допомогла GLOBALFOUNDRIES освоїти дану технологію, то ніякої різниці між самими чіпами не буде.

Повідомляється, що першими у виробництво надійдуть флагманські графічні процесори лінійки AMD Greenland в другому кварталі 2016 року. За ними підуть процесори з мікроархітектурою AMD Zen. Очікується, що уже в третьому кварталі наступного року перші зразки 14-нм продуктів можуть надійти на ринок.

Samsung GLOBALFOUNDRIES

Відзначимо, що вибір Samsung і GLOBALFOUNDRIES у якості партнерів з виробництва здійснений завдяки двом факторам. По-перше, технологія 14-нм FinFET LPP обіцяє у два рази підвищити показник «продуктивність на ват» у порівнянні з 28-нм техпроцесом, що дуже важливо для AMD. А по-друге, TSMC має дуже довгу чергу бажаючих використовувати її 16-нм техпроцес у виробництві власних чіпів, що може викликати затримки в поставках.

Якщо випуск нових продуктів для AMD виявиться успішним, то співпраця з Samsung може протривати й у довготерміновій перспективі, враховуючи, що уже в 2017 році південнокорейський гігант планує представити технологію 10-нм процесу виробництва мікросхем.

http://hexus.net
Сергій Буділовський

amd   samsung   globalfoundries   finfet   tsmc   amd zen  

Постійне посилання на новину

Нові CPU, APU і GPU компанії AMD будуть використовувати 14-нм FinFET-процес

Раніше представники компанії AMD дуже обережно та туманно вказували на технологію виробництва нового покоління своїх CPU, APU і GPU, вживаючи при цьому лише назву «FinFET». Зараз уже офіційно відомо, що традиційний партнер AMD, компанія GLOBALFOUNDRIES, створюватиме всі зазначені продукти за допомогою 14-нм Low Power Plus (14LPP) FinFET-технології.

GLOBALFOUNDRIES 14LPP FinFET

В цей момент GLOBALFOUNDRIES нарощує потужності 14LPP FinFET-технології, попутно знижуючи відсоток браку на виході й поліпшуючи співвідношення модель-реальний зразок на фабриці Fab 8 у Нью-Йорку. Перші кваліфікаційні зразки масового виробництва (14LPE) були отримані в січні 2015 року. У третьому кварталі поточного року створені версії з поліпшеним рівнем продуктивності й зниженим енергоспоживанням (14LPP), масове виробництво яких заплановане на 2016 рік.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

finfet   globalfoundries   amd   apu   cpu   gpu  

Постійне посилання на новину

Показати ще

Banner