Пошук по сайту

up
::>Оперативна пам’ять >2011 > Silicon Power DDR3-1333

Огляд 8 ГБ комплекту пам’яті Silicon Power DDR3-1333 P008GBLTU133V21

13-07-2011

Сучасні ігри, робочі та офісні програми стають все більш вимогливими до апаратного оснащення персональних комп'ютерів. Не останньою умовою для нормальної роботи таких програмних продуктів є наявність достатнього об'єму оперативної пам'яті. Професійні програмні комплекси і «важкі» ігри у своїй ненажерливості вже давно вимагають більше 4 ГБ ОЗП і використання операційної системи з повноцінною підтримкою 64-бітної адресації. З цього приводу для високопродуктивних систем мінімальний рекомендований об'єм встановленої пам'яті дорівнює від 4-8 ГБ. Такі тенденції розвитку сучасних додатків тільки підтверджують затребуваність «ємних» модулів оперативної пам'яті об'ємом 4 і більше гігабайт.

Відзначимо також, що великий об'єм використаної пам'яті збільшує час пошуку розташованої в ній інформації. Однак такі затримки можна компенсувати використанням більш швидших мікросхем пам'яті, що дозволяє робити модулі пам'яті з меншими таймінгами і більш високими частотами роботи. Подивимося, як виглядає швидкодія на тестуванні комплекту 8 ГБ пам'яті компанії Silicon Power Computer & Communications Inc, який складається з двох модулів по 4 ГБ.

 У нас вже були на тестуванні 4 ГБ модулі пам'яті від компанії TwinMOS, моделі  TwinMOS 9DCEBNZB-TATP 4GB DDR3-1333. У їх огляді було відзначено невелике падіння продуктивності при використанні простих тестів, у порівнянні з аналогічними по швидкості двома модулями пам'яті по 1 ГБ кожний. На дане тестування ми також вибрали недорогий комплект з гарними рекомендаціями з швидкодії Silicon Power SP008GBLTU133V21.

Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21

Присутній у сьогоднішньому тестуванні комплект з двох модулів пам'яті Silicon Power SP004GBLTU133V01 DDR3 1333 (CL9) 4G об'ємом по 4 ГБ належить до бюджетної лінійки пропозицій компанії Silicon Power. На вигляд це самі звичайні модулі, тільки поміщені в добре оформлену прозору упаковку. На лицьовій стороні покладеного всередину паперового вкладиша іконками відзначені основні переваги даного комплекту: сумарний об'єм 8 ГБ, повна сумісність для роботи у двоканальному режимі, а також нескінченна гарантія від виробника на даний продукт. Підкреслена максимальна універсальність і стабільність роботи даних модулів. Також зазначене на 100% тестування цієї продукції ще на заводі, що повинно вселити впевненість у надійності комплекту.

Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21

На звороті упаковки, крім вище згаданих особливостей, є невелика схема виймання модулів пам'яті з пакування, адреса і телефони виробника, основні особливості специфікації комплекту Silicon Power SP008GBLTU133V21.

Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21

Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21

Самі модулі пам'яті виглядають дуже стандартно, вони виконані на двосторонній друкованій платі, з кожної сторони якої розташовано по 8 мікросхем. Відзначимо лише відносно малі розміри самих мікросхем пам'яті. Ніяких радіаторів у даному комплекті не передбачено, але для бюджетних модулів пам'яті це цілком виправдано. Ми оцінимо, як такий підхід впливає на швидкодію і розгінний потенціал використовуваних тут мікросхем пам'яті, і перевіримо можливості комплекту Silicon Power SP008GBLTU133V21 у реальних тестах продуктивності.

Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21

Сам модуль конструктивно виконаний у форматі U-DIMM – звичайно не буферизована пам'ять для ПК. На одній з бічних сторін є наклейка, яка несе інформацію про модель модуля, його обсяг в 4 ГБ, стандарті DDR3 і ефективній робочій частоті 1333 МГц (PC3-10600). Також тут є основна затримка Column Address Strobe (CAS) latency, або скорочено CL, яка складає 9 тактів. Цілком достатня інформація, але ми зустрічали раніше і набагато більш розгорнутий перелік технічних особливостей.

Чіпи пам'яті, які використовуються на двох модулях комплекту Silicon Power SP008GBLTU133V21, мають маркування S-POWER 20YT3N1. Цей факт говорить про виробництво даних мікросхем на заводах компанії Silicon Power. Сама наявність повного циклу виробництва пам'яті в цього виробника повинна позитивно впливати на кінцеву вартість продукту.

За допомогою утиліт CPU-Z і AIDA64 можна довідатися інформацію, яка записана в SPD модулів. Саме дані з SPD використовує BIOS материнської плати для автоматичного визначення режимів роботи модуля при початковому завантаженні системи. У модулі Silicon Power SP004GBLTU133V01 записано чотири Jedec-режими роботи: DDR3-457 МГц, DDR3-533 МГц, DDR3-609 МГц і DDR3-685 МГц при відповідних затримках і напрузі живлення 1,5 В. Стандартним режимом для даної пам'яті є DDR3-685, як найближчий до рекомендованої робочої частоти в 667 МГц при затримках (таймінгах) 9-9-9-25-34 для CL-tRCD-tRP-tRAS-tRС відповідно. Такі величини затримок можна назвати цілком стандартними для сучасних модулів пам'яті. Однак надія на збільшення частот роботи до DDR3-1600 МГц з більш високою формулою таймінгів (10-10-10) все-таки залишається.

Якими-небудь розширеннями XMP, а також сертифікатом «SLI Ready», який має на увазі наявність профілів EPP (Enhanced Performance Profiles) для збільшення продуктивності, дані модулі вирізнитися не можуть. З однієї сторони це говорить про орієнтацію цієї оперативної пам'яті на роботу у звичайних системах, а з іншого – ніщо не збільшує їх вартість.

Характеристики модулів:

Виробник і модель

Silicon Power SP008GBLTU133V21 (2 х SP004GBLTU133V01 DDR3 1333 Mhz (CL9) 4G 1101SK0090)

Тип пам'яті

DDR3

Об'єм модулів, ГБ

2 x 4

Форм-фактор

240 pin U-DIMM

Стандартні режими роботи JEDEC

DDR3-685 9-9-9-25-34 1.5V

DDR3-609 8-8-8-22-30 1.5V

DDR3-533 7-7-7-20-27 1.5V

DDR3-457 6-6-6-17-23 1.5V

Розширені профілі XMP/EPP

Немає

Додаткові сертифікати

Dual mode

Робочий діапазон температур, ºС

-

Енергоспоживання комплекту, Вт

-

Сайт виробника

http://www.silicon-power.com/

З специфікації можна виділити гарантовану підтримку двоканального режиму роботи пари модулів пам'яті. У такому режимі швидкодія оперативної пам'яті суттєво зростає, але слід звернути увагу на правильність установки даних модулів у слоти на материнській платі, а якщо ні, то даний режим буде недоступний. В іншому специфікація повторює таку в більшості недорогих модулів пам'яті. Тепер перейдемо до самого цікавого, до оцінки продуктивності і розгінного потенціалу комплекту Silicon Power SP008GBLTU133V21.

Тестування продуктивності

Стенд для тестування оперативної пам'яті.

Процесор

Intel Core i5-2500K (LGA1155, 3,3 ГГц, L3 6 МБ, Turbo Boost Off, C1E Off)

Материнські плати

ASUS P8P67 (Intel P67, LGA 1155, DDR3, ATX)

Кулер (Intel)

Thermalright SI-128 (LGA775) + VIZO Starlet UVLED120 (62,7 CFM, 31,1 дБ)

Відеокарта

ZOTAC GeForce GTX 480 AMP! (NVIDIA GeForce GTX 480, 1,5 ГБ GDDR5, PCIe 2.0)

 Жорсткий диск

Hitachi Deskstar HDS721616PLA380 (160 ГБ, 16 МБ, SATA-300)

Оптичний привід

ASUS DRW-1814BLT SATA

 Блок живлення

Seasonic M12II-500 (SS-500GM), 120 мм fan

Виробник рекомендує використовувати пам'ять у режимах DDR3-685 9-9-9-25-34 1.5V, DDR3-609 8-8-8-22-30 1.5V, DDR3-533 7-7-7-20-27 1.5V і DDR3-457 6-6-6-17-23 1.5V. Однак при тестуванні буде використовуватися тільки режим DDR3-685 9-9-9-25 1.5V, тому що він найближчий до рекомендованої для цих модулів частоти в 1333 МГц (667 МГц) і самий затребуваний у сучасному світі.

Детальний аналіз підтвердив невелику перевагу 8 ГБ комплекту Silicon Power SP008GBLTU133V21 у порівнянні з 2 х 4 ГБ модулями пам'яті  TwinMOS 9DCEBNZB-TATP 4GB DDR3-1333. Зокрема можна відзначити відносно низьку латентність мікросхем пам'яті у модулів Silicon Power SP004GBLTU133V01 як для такої ємності. Однак навіть така незначна перевага ніяк не змінює загальної картини продуктивності. Більш ємні чіпи залишаються і більш повільними. Падіння швидкодії в тестових пакетах становить до 3-4% у порівнянні з набором з пари модулів по 1 ГБ. Трохи забігаючи вперед, хочеться відзначити можливість роботи комплекту Silicon Power SP008GBLTU133V21 на частоті в 1600 МГц. Це дозволило в деяких випадках компенсувати затримки, які виникають через великий об'єм пам'яті. Однак у половині тестів лідером все-таки залишаються менш ємні модулі пам'яті, зокрема два по 1 ГБ DDR3 Twinmos 9DEPBKZ8-TATP з ефективною частотою роботи в 1333 МГц.

Більш дорогі модулі пам'яті, такі як оверклокерський комплект DDR3-1333 Kingston KHX2250C9D3T1K3/6GX, мають помітно більш вищу швидкодію навіть при схожих робочих частотах завдяки використанню помітно менших затримок. Однак вони не можуть бути оптимальними за критерієм вибору ціна/продуктивність при використанні  у звичайних системах.

Зменшення загальної швидкості роботи системи, у якій встановлені ємні модулі пам'яті, по 4 ГБ кожний, у порівнянні з використанням у ній 1-гігабайтних модулів, наочно доводять результати тестування. Але все-таки головним критерієм вибору, який об'єм оперативної пам'яті необхідно встановлювати у вашу систему, повинна бути потреба в пам'яті, що запускаються на цьому ПК додатків. А якщо ні, то нестача оперативної пам'яті може привести до набагато більш значних затримок при роботі, що приведе до помітного зниження швидкодії всієї системи.

Стабільність роботи модулів пам'яті була перевірена різними тестами. До них ввійшов і стандартний модуль перевірки пам'яті, який вбудований в операційну систему WINDOWS 7.

Як видно з наведеного «скріншота», неполадок після 97 «прогонів» тесту виявлено не було. Такі результати говорять про відмінну стабільність роботи на тестуванні комплекту пам'яті 8 ГБ DDR3-1333 Silicon Power SP008GBLTU133V21, а саме цей критерій і є для пам'яті цього класу найголовнішим. Ще одним аспектом при виборі пам'яті, крім стабільності роботи на рекомендованих частотах, є її швидкодія і можливості розгону.

Розгін

Для розгону використовувалася та ж система на процесорі з архітектурою Sandy Bridge, у якій є можливість зміни частот роботи пам'яті при незмінній частоті процесора. Зміна частоти останнього привела б до викривлення виміру продуктивності при розгоні пам'яті. У зв'язку з цим був задіяний розгін засобами множника частоти роботи пам'яті. Такий спосіб дозволяє підняти частоти пам'яті з 667 МГц одразу до 800 МГц без можливості використання проміжних значень.

Розгін комплекту пам'яті DDR3-1333 Silicon Power SP008GBLTU133V21 до ефективної частот роботи в 1600 МГц проводився при наборі затримок (10-10-10-24), напруга живлення була збільшена до 1,65 В. Стабільність роботи даних модулів пам'яті на таких робочих частотах була протестована декількома тестовими пакетами. Також стандартним модулем перевірки, вбудованим в операційну систему WINDOWS 7.

Відзначимо, що не всі недорогі модулі пам'яті, які мають заявлену робочу частоту в 1333 МГц, можуть розігнатися до частоти в 1600 МГц і при цьому працювати стабільно. Частотний запас, який виливається в розгінний потенціал, часто є запорукою надійності і довговічності роботи мікросхем пам'яті в номінальному режимі. Для доступного комплекту пам'яті DDR3-1333 як Silicon Power SP008GBLTU133V21 такий частотний запас стане ще одним важливим аргументом у процесі вибору. Однак даний успіх не можна переносити на всі модулі пам'яті Silicon Power SP004GBLTU133V01, тому що в будь-якому розгоні присутня велика частка везіння.

Підсумки

У цьому матеріалі ми ще раз підтвердили наявність невеликих, але досить помітних затримок при використанні більш ємних модулів пам'яті. Це приводить до зниження загальної продуктивності системи на декілька відсотків. Однак така незначна затримка роботи, пов'язана з використанням ємних мікросхем на модулях пам'яті великого об'єму, явно не можна порівнювати з істотним падінням продуктивності при недостатньому об'ємі встановленої оперативної пам'яті. Так що головним критерієм при виборі тут буде саме потреба в оперативній пам'яті з боку працюючих на вашім ПК програмних комплексів і ігрових додатків. А якщо ні, то користувач зіштовхнеться з істотними затримками виконання завдань.

Комплект з пари 4 ГБ модулів пам'яті DDR3-1333 Silicon Power SP008GBLTU133V21 підійде як для продуктивного офісного ПК, так і для бюджетних серверів малого офісу. Головними перевагами цього комплекту стануть його відносно доступна вартість, висока стабільність роботи, гарний розгінний потенціал і, як заявляє виробник, висока сумісність. Якщо модулі пам'яті Silicon Power SP004GBLTU133V01 планується використовувати в рекомендованих виробником режимах, то вони забезпечать такий же рівень швидкодії, як і будь-які інші з подібною робочою частотою і об'ємом. При використанні комплекту Silicon Power SP008GBLTU133V21 у розігнаному до DDR3-1600 режимі його продуктивність трохи зросте, але істотної зміни в роботі користувач не помітить. Однак сама можливість розгону передбачає наявність запасу міцності у цих модулів пам'яті, що повинно позитивно позначитися на їх довговічності та стабільності роботи.

tested_250x250_en.gif

Автор: Валерій Паровишник
Переклад: Анна Смірнова

Дякуємо представництву компанії Silicon Power за надані для тестування комплект пам'яті.

 Дякуємо компаніям ASUS, Intel, SeaSonic і ZOTAC за надане для тестового стенда обладнання.

Стаття прочитана раз(и)
Опубліковано : 13-07-2011
Підписатися на наші канали
telegram YouTube facebook Instagram