Комп'ютерні новини
Всі розділи
SK hynix готує чипи DDR5 зі швидкістю 7200 МТ/с з новими 2 ГБ B-Die та 4 ГБ M-Die
SK hynix розширює свою лінійку DDR5, готуючи кілька нових чипів, розрахованих на швидкість 7200 МТ/с (мегатранзакцій на секунду), що перевищує поточний стандарт JEDEC 6400 МТ/с.
Дані, виявлені на китайському ритейлері JD.com, свідчать, що SK hynix підготувала чотири нові кристали (die), всі зі швидкістю 7200 МТ/с (позначається суфіксом "KB"), з щільністю від 2 ГБ до 4 ГБ. Серед цих нових розробок — перший 2-гігабайтний B-die компанії та 4-гігабайтний M-die. Це перший випадок, коли технологічний вузол M-die був запропонований із такою місткістю.
Раніше вже повідомлялося про друге покоління чипів пам'яті SK hynix DDR5 з 3-гігабайтними мікросхемами A-die, зразки яких використовували 8-шарову друковану плату. Щоб повною мірою використати потенціал нових високошвидкісних кристалів, особливо при розгоні, очікується, що виробники модулів пам'яті перейдуть на 10- або 12-шарові друковані плати для кращої цілісності сигналу. Списки нових чипів, включаючи A-die (3 Гб), B-die (2 Гбіт), C-die (2 Гбіт) та M-die (4 Гбіт), ймовірно, є ранніми зразками.
Хоча SK hynix ще не зробила офіційного анонсу, наявність цих списків свідчить про те, що розробка йде повним ходом.
