Комп'ютерні новини
Всі розділи
Samsung розробила флешпам'ять майбутнього: надщільну та на мінімумі енергії
Samsung спільно з австралійськими колегами розробила NAND-флешпам'ять нового покоління, яка об'єднує затвори із сегнетоелектриків та канали з оксидних напівпровідників. Цю розробку, що пропонує надвисоку щільність і низьке енергоспоживання, дослідники представили у свіжій публікації в журналі Nature.
Сучасна NAND-флешпам'ять має високе енергоспоживання через необхідність подачі великих напруг 15–20 В для операцій запису та стирання. Нова архітектура радикально розв'язує цю проблему: замість традиційних плаваючих затворів використовуються сегнетоелектричні польові транзистори (FeFET) з діелектриком із легованого цирконієм оксиду гафнію (HfZrO) та каналом з оксидного напівпровідника (наприклад, IGZO). Це дало змогу знизити робочу напругу до наднизьких значень 4–6 В, що значно зменшило енергоспоживання.
Розробка продемонструвала підтримку багаторівневого зберігання даних до 5 біт на комірку (32 рівні напруги/заряду), збереження даних понад 10 років та витривалість понад 10⁵ циклів. Енергоспоживання при операції запису/стирання в рядку виявилося на 96% нижчим, ніж у класичної 3D NAND. Технологія повністю сумісна з чинними CMOS-процесами, дозволяє вертикальне 3D-компонування шарів та має довжину каналу 25 нм без погіршення параметрів. Ця пам'ять відкриє шлях до створення нового покоління надійної та енергоефективної пам'яті, ідеальної для мобільних пристроїв, носимої електроніки, Інтернету речей, а також для енергоефективних дата-центрів та систем штучного інтелекту.
