Комп'ютерні новини
Всі розділи
Помічені чипи оперативної пам’яті SK hynix другого покоління 3 ГБ DDR5 "A-Die"
У мережі з'явилися ознаки нового покоління мікросхем пам'яті SK hynix DDR5, що, як повідомляється, знаменує дебют другого покоління 3-гігабайтних мікросхем A-die.
Мікросхема, вперше показана Кевіном Ву (Kevin Wu) з Team Group, має маркування X021 та код деталі "AKBD".
Очікувані характеристики та бінінг
За словами інсайдерів, маркування X021 ідентифікує цю мікросхему як наступника 3-гігабайтного M-die, який використовувався в ранніх модулях DDR5. Виходячи з внутрішньої схеми бінінгу SK hynix, позначення "KB" у коді AKBD відповідає рідній швидкості JEDEC 7200 МТ/с. Це свідчить про те, що SK hynix готує швидші мікросхеми DDR5, орієнтовані на платформи Intel наступного покоління, такі як Panther Lake та Arrow Lake Refresh, які, як очікується, підтримуватимуть DDR5-7200.
Конструкційні аспекти
Показаний зразок, як повідомляється, використовує 8-шарову друковану плату. Ця конфігурація може обмежувати запас для екстремального розгону понад 8000 МТ/с. Очікується, що для повного використання потенціалу нового A-die виробники модулів пам'яті перейдуть на 10- або 12-шарові друковані плати для забезпечення кращої цілісності сигналу.
Хоча SK hynix ще офіційно не представила цю деталь, рання поява 3-гігабайтної мікросхеми A-die AKBD натякає на те, що виробництво, можливо, вже розпочалося.
Довідкова інформація
У часи DDR4 Samsung домінувала на ринку, і високоякісні модулі пам'яті часто мали ретельно відібрані мікросхеми B-die. Однак у світі DDR5 ситуація змінилася, і SK hynix вийшла на перше місце зі своїми мікросхемами A-die та M-die, які стали дуже популярними серед ентузіастів.
