Пошук по сайту

up
::>Оперативна пам’ять >2011 > TwinMOS DDR3-1333

Огляд пари 4 ГБ модулів пам’яті TwinMOS 9DCEBNZB-TATP DDR3-1333

30-05-2011

Сучасні ігри та офісні програми часто для своєї роботи вимагають значного об'єму системної пам'яті. Професійні програмні комплекси та «важкі» ігри у своїй ненажерливості вже давно переступили через межу 32-бітної адресації, яка обмежує об'єм використовуваної пам'яті до <4 ГБ. Всі популярні операційні системи досить давно одержали повноцінну підтримку 64- бітної адресації комірок пам'яті та рекомендують використовувати не менше чотирьох гігабайт оперативної пам'яті. Все це тільки підтверджує затребуваність «ємних» модулів оперативної пам'яті в сучасних системах. Однак велткий об'єм встановленої пам'яті повинен збільшити час пошуку розташованої в ній інформації. Саме вплив таких затримок на загальну швидкодію системи і хочеться з'ясувати в даному матеріалі.

TwinMOS

У попередній статті, посвяченій модулям пам'яті TwinMOS 9DEPBKZ8-TATP DDR3-1333 по 1 ГБ, був відзначений їх непоганий розгінний потенціал і стабільна робота при дуже доступній ціні. Саме з цих причин на дане тестування були обрані модулі пам'яті виробництва TwinMOS з додатковими алюмінієвими радіаторами – модель TwinMOS 9DCEBNZB-TATP 4GB DDR3-1333. Така комбінація дає надію на суттєве підвищення робочих частот встановлених мікросхем пам'яті при ручному розгоні.

TwinMOS 9DCEBNZB-TATP DDR3-1333

Два модулі пам'яті TwinMOS 9DCEBNZB-TATP об'ємом по 4 ГБ, що потрапили на тестування, належать до середньої цінової лінійки пам'яті компанії TwinMOS. Наявність алюмінієвих радіаторів з кожної сторони дозволяє споживачу сподіватися на оверклокерські можливості даних моделей. Колір виконання радіаторів «piano black» і «ocean blue» забезпечить їм привабливий вигляд всередині корпуса. Однак не будемо «зустрічати по одежці», набагато цікавіше перевірити можливості TwinMOS 9DCEBNZB-TATP і оцінити їх швидкодію.

TwinMOS 9DCEBNZB-TATP DDR3-1333

TwinMOS 9DCEBNZB-TATP DDR3-1333

Модулі пам'яті TwinMOS 9DCEBNZB-TATP 4GB DDR3-1333 потрапили до нас без упаковки, швидше за все, і продаватися вони теж будуть без неї.

Самі модулі виконані на двосторонній друкованій платі, з кожної сторони якої розташовано по 8 мікросхем з приклеєної на них алюмінієвою пластиною радіатора. Вона повинна сприяти більшій стабільності роботи та кращим можливостям розгону мікросхем пам'яті.

TwinMOS 9DCEBNZB-TATP DDR3-1333

На одній з бічних сторін є наклейка, яка несе інформацію про модель модуля, об'єм 4 ГБ, його стандарт DDR3 і ефективну робочу частоту 1333 МГц (PC3-10600). Також тут є більш низькорівнева інформація: архітектура модуля складається з двох банків по 8x256 МБ у кожному, сумарно це шістнадцять чіпів по 256 МБ (16IC); основна затримка Column Address Strobe (CAS) latency, або скорочено CL, становить 9 тактів; сам модуль конструктивно виконаний у вигляді U-DIMM – звичайна не буферизована пам'ять для ПК.

Алюмінієві пластини приклеєні до мікросхем пам'яті досить міцно, що не дозволило нам привести тут фото самих мікросхем. Однак сам виробник заявляє про маркування TwinMOS TMPI08H3S20BE для чіпів у моделей пам'яті TwinMOS 9DCEBNZB-TATP. Цей факт говорить про виробництво даних мікросхем на заводах компанії TwinMOS. Сама наявність повного циклу виробництва пам'яті у цього виробника повинно позитивно впливати на кінцеву вартість продукту.

За допомогою утиліт CPU-Z і AIDA64 можна довідатися інформацію, яка записана в SPD модуля. Саме дані з SPD використовує BIOS материнської плати для автоматичного визначення режимів роботи модуля при початковому завантаженні системи. У модулі TwinMOS 9DCEBNZB-TATP записано чотири JEDEC-режими роботи: DDR3-533 МГц, DDR3-609 МГц, DDR3-685 МГц і DDR3-761 МГц при відповідних затримках і напрузі живлення 1,5 В. Стандартним режимом для даної пам'яті є DDR3-685, як найближчий до рекомендованої робочої частоти в 667 МГц при затримках (таймінгах) 9-9-9-25-34 для CL-tRCD-tRP-tRAS-tRС відповідно. Наявність режиму DDR3-761 МГц дозволяє сподіватися на роботу даних модулів з частотою в 800 МГц, що може виявитися вагомим плюсом при придбанні моделей TwinMOS 9DCEBNZB-TATP. Збільшення частоти роботи пам'яті з 667 МГц до 800 МГц повинно забезпечити приріст загальної продуктивності системи на декілька відсотків.

Будь-якими розширеннями (EPP або XMP), а також сертифікатом «SLI Ready», дані модулі вирізнитися не зможуть. З однієї сторони це говорить про орієнтацію цієї оперативної пам'яті на роботу у звичайних системах, а з іншого – ніщо не збільшує їх вартість.

Характеристики модуля:

Виробник і модель

TwinMOS 9DCEBNZB-TATP (PC3 10600 4GB DDR3 1333 Mhz 256x8 16IC CL 9.0 U-DIMM)

Тип пам'яті

DDR3

Об'єм модуля, ГБ

4

Форм-фактор

240 pin U-DIMM

Стандартні режими роботи JEDEC

DDR3-761 10-10-10-28-38 1.5V
 DDR3-685 9-9-9-25-34 1.5V
DDR3-609 8-8-8-22-30 1.5V
 DDR3-533 7-7-7-20-27 1.5V

Розширені профілі XMP/EPP

Немає

Додаткові сертифікати

-

Робочий діапазон температур, ºС

-

Енергоспоживання комплекту, Вт

2х 1,922 при 1,5 В

Сайт виробника

http://www.TwinMOS.com/

Після знайомства з зовнішнім виглядом модулів TwinMOS 9DCEBNZB-TATP, а також їх технічними характеристиками, перейдемо до самого цікавого, до оцінки продуктивності та розгінного потенціалу.

Тестування продуктивності

Стенд для тестування оперативної пам'яті.

Процесор

Intel Core i5-2500K (LGA1155, 3,3 ГГц, L3 6 МБ, Turbo Boost Off, C1E Off)

Материнські плати

ASUS P8P67 (Intel P67, LGA 1155, DDR3, ATX)

Кулер (Intel)

Thermalright SI-128 (LGA775) + VIZO Starlet UVLED120 (62,7 CFM, 31,1 дБ)

Відеокарта

ZOTAC GeForce GTX 480 AMP! (NVIDIA GeForce GTX 480, 1,5 ГБ GDDR5, PCIe 2.0)

 Жорсткий диск

Hitachi Deskstar HDS721616PLA380 (160 ГБ, 16 МБ, SATA-300)

Оптичний привід

ASUS DRW-1814BLT SATA

 Блок живлення

Seasonic M12II-500 (SS-500GM), 120 мм fan

Виробник рекомендує використовувати пам'ять у режимах DDR3-761 10-10-10-28-38 1.5V, DDR3-685 9-9-9-25-34 1.5V, DDR3-609 8-8-8-22-30 1.5V і DDR3-533 7-7-7-20-27 1.5V. Однак при тестуванні буде використовуватися тільки режим DDR3-685 9-9-9-25 1.5V, тому що він найближчий до рекомендованої для цих модулів частоти в 1333 МГц (667 МГц) і самий затребуваний у сучасному світі.

Отримані результати тестування підтвердили попереднє ствердження про більш повільну роботу ємних мікросхем пам'яті. Це сумарно зменшує швидкодію пам'яті на 3-5% щодо використання модулів цього ж виробника з ємністю в 1 ГБ кожний. Такі затримки пам'яті знижують загальну продуктивності системи на 1-2%. Хоча зменшення загальної швидкості роботи системи наочно доводять результати тестування, все-таки головним критерієм при виборі об'єму встановленої оперативної пам'яті повинна стати потреба в такому об'ємі працюючих на даному ПК додатків. Падіння продуктивності в 1-2%, на фоні більш істотних затримок у роботі при недоліку оперативної пам'яті, не зможе стати суттєвим аргументом при комплектації вашого комп'ютера.

Стабільність роботи модулів пам'яті була перевірена різними тестами. Також використовувався і стандартний модуль перевірки пам'яті, який вбудований в операційну систему WINDOWS 7.

Згідно наведеного зображення, неполадок після 98 «прогонів» тесту знайдено не було. Такі результати говорять про відмінну стабільність роботи модулів пам'яті по 4 ГБ DDR3-1333 TwinMOS 9DCEBNZB-TATP, що потрапили на тестування, а саме цей критерій і є для пам'яті цього класу найголовнішим. Однак стабільність роботи на рекомендованих частотах і прийнятна швидкодія це не всі фактори, які враховуються при виборі модулів пам'яті під час покупки. Не менш важливим критерієм при цьому виборі буде і можливість розгону.

Розгін

Для розгону використовувалася та ж система на процесорі з архітектурою Sandy Bridge, у якій відсутня можливість зміни частот роботи пам'яті при незмінній частоті процесора. Зміна частоти останнього привела б до викривлення виміру продуктивності при розгоні пам'яті. У зв'язку з цим був задіяний розгін засобами множника частоти роботи пам'яті. Такий спосіб дозволяє підняти частоти пам'яті з 667 МГц одразу до 800 МГц без можливості виставляння проміжних значень частоти.

Спроби розгону комплекту пам'яті DDR3-1333 TwinMOS 9DCEBNZB-TATP до частот роботи в 1600 МГц проводилися при стандартному наборі затримок (10-10-10-28-38), які рекомендовано використовувати на частотах в DDR3-761. Напруга живлення була збільшена до 1,65 В. Однак стабільності роботи даних модулів пам'яті на робочих частотах в 800 МГц при різних комбінаціях набору затримок, також і помітно вище рекомендованих, досягнуто не було. Така поведінка модулів пам'яті TwinMOS 9DCEBNZB-TATP з додатковими алюмінієвими радіаторними пластинами «розвіяла» надії на їх гарний розгінний потенціал.

Все-таки варто відзначити, що не так часто виходить розігнати відносно недорогі модулі пам'яті, що мають робочу частоту в 1333 МГц, до наступної частоти в 1600 МГц. Однак даний результат не можна переносити на всі модулі 4ГБ пам'яті від TwinMOS, тому що в будь-якому розгоні присутня велика частка везіння.

Підсумки

TwinMOS

Як і слід було сподіватися, невеликі, але все-таки помітні, затримки при використанні більш ємних модулів пам'яті приводять до незначного зниження загальної продуктивності системи. Однак головним критерієм при комплектації системи оперативної пам'ять варто вважати саме потребу в ній з боку працюючих на вашому ПК програмних комплексів і ігрових додатків. Адже недолік оперативної пам'яті дуже суттєво знижує загальну продуктивність, що в десятки разів буде більш помітно, ніж  збільшені затримки при роботі з великим об'ємом встановленої пам'яті, яка має ємні мікросхеми.

Комплект з пари модулів пам'яті DDR3-1333 TwinMOS 9DCEBNZB-TATP 4ГБ підійде як для продуктивного офісного ПК, так і для бюджетних серверів малої інфраструктури. Головною перевагою цього комплекту стане його відносно доступна вартість при гарних показниках стабільності роботи. При використанні в рекомендованому режимі з затримками 9-9-9-25-34 і напругою живлення 1,5 В модулі пам'яті, що входять у даний комплект, забезпечать такий же рівень швидкодії, як і будь-які інші з подібною робочою частотою і об'ємом. Завдяки наявності додаткових алюмінієвих радіаторів дані модулі будуть працювати з більш низькою температурою, що веде до більш стабільної роботі навіть при поганій вентиляції повітря всередині корпуса.

tested_250x250_en.gif

Автор: Валерій Паровишник
Перклад: Анна Смірнова

Дякуємо компанії «Single Computing», офіційному дистриб'ютору TwinMOS, за надані на тестування модулі пам'яті.

Дякуємо компаніям ASUS, Intel, SeaSonic і ZOTAC за надане для тестового стенда обладнання.

Стаття прочитана раз(и)
Опубліковано : 30-05-2011
Підписатися на наші канали
telegram YouTube facebook Instagram