Огляд модуля оперативної пам'яті DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z обсягом 8 ГБ

Для багатьох користувачів слово «Strontium» асоціюється скоріше з назвою хімічного елемента, аніж із великою компанією з виробництва комп'ютерних комплектуючих. Однак такий стан речей буде зберігатися недовго. Дана компанія всерйоз націлилася на ринок країн СНД, тому є всі шанси, що її продукція не обійде й прилавки вітчизняних магазинів.

Під брендом Strontium випускаються різні комплектуючі, зв'язані в основному із твердотільною пам'яттю. Так, у нашій тестовій лабораторії вже встигли побувати: флеш-накопичувач Strontium Jet Flash Drive SR16GBBJET і карта пам'яті формату microSDXC Strontium microSDXC Nitro Plus UHS-1 U3 SRP64GTFU1C. Тепер прийшла черга познайомитися і з «важкою артилерією» - оперативною пам'яттю. В асортименті продукції компанії Strontium вона представлена різними рішеннями, починаючи зі стандарту DDR1. Очевидно, що для багатьох читачів такі планки пам'яті сьогодні виявляться не особливо актуальними. Тому для знайомства ми вибрали модуль формату DDR3 - DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z обсягом 8 ГБ. До слова, він же є й найпродуктивнішим у всій лінійці оперативної пам'яті, що випускається під брендом Strontium.

Специфікація:

Упаковка та зовнішній вигляд модулів

Модуль DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z постачається в стандартній пластиковій упаковці з прозорою верхньою кришкою. Вона забезпечує надійний захист пам'яті під час транспортування від механічних пошкоджень і пробою статичної електрики. Поверх коробки можна виявити спеціальну стрічку, на якій, крім логотипа компанії, нанесені основні характеристики модуля: обсяг (8 ГБ) і ефективна частота (1600 МГц).

Незважаючи на те, що даний продукт націлений на масову аудиторію, він має довічну гарантію від виробника, як і більш дорогі його аналоги.

У зовнішньому вигляді планки пам'яті DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z немає нічого примітного. Виробник навіть відмовився від використання системи охолодження з метою знизити її кінцеву вартість. Хоча по великому рахунку додаткові радіатори тут і не потрібні. Роботу на частоті DDR3-1600 при стандартній напрузі живлення 1,5 В вже ніяк не можна назвати екстремальним режимом, який супроводжуватиметься значним нагріванням мікросхем пам'яті. Тому в цьому випадку цілком вистачить природної конвекції.

В якості підтвердження наших слів можемо навести температурні показники, зафіксовані під час тестування модуля DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z під тривалим навантаженням. У такому режимі нагрівання чіпів пам'яті склало всього лише 38,1°С, що є досить хорошим результатом. Щоправда, тут варто зробити одне уточнення: експеримент проводився з однією планкою. Швидше за все, у своїй системі ви будете використовувати два або навіть чотири такі модулі, що, природно, позначиться на нагріванні мікросхем пам'яті. Однак переживати із цього приводу особливо не варто: температурні показники однаково будуть дуже далекими від критичних значень.

Про всякий випадок відзначимо, що згідно зі специфікацією, максимальна температура повітря, при якій DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z дозволяється експлуатувати, становить 95°С.

До того ж у модулів пам'яті, позбавлених додаткової системи охолодження, є й свої переваги. Наприклад, вони мають висоту всього лише 30 мм, а виходить, будуть сумісні практично з усіма доступними на ринку процесорними кулерами. Для рішень, націлених на масову аудиторію, до яких, безумовно, належить і DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z, це є досить важливим фактором.

Сам модуль виконаний на текстоліті зеленого кольору, по обидва боки якого прикріплено по 8 чіпів пам'яті, ємністю 512 МБ кожний. Таким чином, його сумарний обсяг становить 8 ГБ.

Виробником мікросхем пам'яті з маркуванням K4B4G0846D-BCK0 є відома компанія Samsung. Це не найбільш «вдалий» варіант чіпів з даної серії. Згідно з документацією, у неї входять і більш продуктивні рішення (із символами «-BCNB» наприкінці назви), здатні працювати на частоті 2133 МГц. Однак це не привід ставити хрест на розгінному потенціалі модуля DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z. Просто з мікросхемами пам'яті Samsung K4B4G0846D-BCK0 шанс на вдалу оптимізацію його параметрів буде меншим.

Мікросхема SPD EEPROM представлена чіпом з маркуванням D1U S27 виробництва компанії ON Semiconductor.

На модулі DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z ми виявили відразу два стікери. Один із них був наклеєний співробітниками компанії Strontium, а другий, очевидно, залишився від OEM-виробника планок пам'яті. Хоча й без етикетки легко здогадатися, що ним є компанія Samsung.

Що стосується технічних даних, то на фірмовому стікері відзначені лише основні характеристики: маркування (SRT8G86U1-P9Z), обсяг модуля (8 ГБ) і його ефективна частота (1600 МГц). На наш погляд, не зайвим було б вказати ще набір таймінгів і номінальну напругу живлення.

Технічні характеристики та режими роботи

Більш докладну інформацію можна одержати за допомогою спеціальних утиліт. Ми відмовилися від використання популярних програм AIDA64 і CPU-Z, оскільки вони інтерпретують інформацію з SPD за старим алгоритмом і не завжди коректно. Щоб уникнути появи можливих неточностей, було вирішено задіяти утиліту Thaiphoon Burner, розроблену спеціально для діагностики оперативної пам'яті. Вище поданий короткий і докладний звіти про технічні характеристики модуля DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z.

Цікаво відзначити, що фахівці компанії Strontium не стали змінювати інформацію в SPD. Тому не дивуйтеся, що за даними програми виробником як і раніше значиться Samsung, а маркування модулів визначається як M378B1G73DB0-CK0.

Цілком очевидно, що для пам'яті такого рівня не передбачено ніяких XMP-профілів. Після ввімкнення системи завантажується перший режим DDR3-1600 МГц 11-11-11-28. Він же є й найоптимальнішим. Номінальна напруга живлення модуля становить 1,5 В.

Тестування

Для проведення тестів ми використовували наступну конфігурацію стенду:

Опонентом у тестуванні виступав модуль DDR3-2400 TwinMOS TwiSTER 9DHCGN4B-HAWP обсягом 4 ГБ. Відповідно, підсистема пам'яті працювала в одноканальному режимі. Також у даному експерименті ми вирішили з'ясувати вплив кількості використовуваних каналів пам'яті на продуктивність ПК. Для цих цілей була задіяна друга планка DDR3-2400 TwinMOS TwiSTER 9DHCGN4B-HAWP.

У результаті тестування відбувалося в наступних режимах роботи:

Спочатку давайте подивимося, як проявив себе модуль DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z на тлі свого опонента, працюючи в одноканальному режимі. При однакових налаштуваннях різниця в результатах була на рівні погрішності. Із цього можна зробити висновок, що в плані продуктивності пам'ять Strontium у порівнянних умовах експлуатації нічим не поступається більш іменитим аналогам.

Якщо ж порівнювати між собою два режими (DDR3-1333 і DDR3-1600), то використання більш високої частоти виллється в приріст швидкодії ПК на рівні 2-5%. В принципі, небагато, але ж у цьому випадку ми говоримо про повсякденні додатки. У вузькоспеціалізованих програмних пакетах, більш вимогливих до ресурсів комп'ютера, в тому числі й до продуктивності підсистеми пам'яті, різниця вимірюватиметься вже десятками відсотків. Для підтвердження цих слів достатньо поглянути на результат бенчмарка AIDA64. Перехід із частоти 1333 на 1600 МГц приводить до 20%-ого приросту швидкості копіювання / запису / читання з пам'яті.

Що стосується доцільності використання двоканального режиму, то графіки говорять самі за себе. Солідна перевага над одноканальним режимом спостерігається лише в синтетичних тестах. Тут вона може досягати навіть 100%. У реальних же додатках різниця менш істотна - на рівні 3-10%. Примітно, що найбільш чутливими до кількості використовуваних каналів пам'яті виявилися ігри. Так, використання одноканального режиму не приводить до катастрофічного падіння кількості FPS на екрані. Однак якщо ви бажаєте вичавити максимум продуктивності зі свого комп'ютера, особливо в іграх, то варто застосовувати саме двоканальну (а по можливості й чотирьохканальну) організацію підсистеми пам'яті.

Розгін

Як ми вже писали вище, планки DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z орієнтовані на масового користувача, тому вимагати від них великого розгінного потенціалу було б неправильно.

Однак яким же був наш подив, коли тестованому модулю підкорилася позначка в 2400 МГц, що відповідає приросту 50% у порівнянні з номінальною частотою. Такий результат можна назвати не інакше, як відмінним. Для його досягнення таймінги були збільшені до 13-13-13-34, а напруга живлення - до 1,65 В. Як можна переконатися, ніяких екстремальних значень не виставлялося. Іншими словами, такі параметри можна використовувати на постійній основі, не боячись вивести модуль пам'яті з ладу.

Звичайно, із двома планками DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z, які працюють у двоканальному режимі, нам навряд чи вдалося б досягнути позначки в 2400 МГц. Швидше за все, довелося б задовольняти трохи меншими значеннями (2133 або 2200 МГц). Оскільки у двоканальному режимі складніше забезпечити стабільну роботу підсистеми оперативної пам'яті на високих частотах. Однак цей факт у жодному разі не нівелює відмінний розгінний потенціал модуля DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z.

Середній приріст продуктивності склав 8,51%, що для оперативної пам'яті є дуже хорошим результатом. Звичайно, у повсякденних програмах або іграх (на ПК із дискретною відеокартою) такий приріст не особливо буде помітний на око, однак в «важких» професійних додатках (CAD, системи для складних математичних розрахунків і т.д.) може вже більш суттєво вплинути на їхню швидкодію.

Режим DDR3-1600 МГц, затримки - 11-11-11-28

Режим DDR3-2400 МГц, затримки - 13-13-13-34

Не менш відчутний ефект спостерігається в оверклокерських дисциплінах, наприклад, у бенчмарку SuperPi (32M). У цьому випадку збільшення частоти з 1600 до 2400 МГц знизило швидкість проходження тесту на 23,459 с - величезна, за оверклокерськими мірками, різниця.

Щоб переконатися в стабільності функціонування планки DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z після збільшення частоти її роботи, був використаний стандартний засіб перевірки пам'яті операційної системи Windows 7. Після 27-ми циклів тесту ніяких помилок не виявлено, що дозволяє говорити про вдалий розгін і стабільну роботу всієї системи. Під час проходження експерименту ми також вирішили виміряти температуру модуля пам'яті. Вона склала 40,9°С, що всього лише на 2,8°С більше, ніж у номінальному режимі роботи.

Висновки

Протестувавши не один десяток комплектів оперативної пам'яті, нас уже важко чимось здивувати в цій області. Але компанії Strontium все-таки вдалося це зробити. На перший погляд, звичайнісінький модуль DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z на ділі виявився гідним звання «оверклокерського». Принаймні, про це говорить його відмінний розгінний потенціал. З номінальних 1600 МГц нам вдалося прискорити його до 2400 МГц. Причому для досягнення такого результату не довелося виставляти надвисокі значення затримок або піднімати «до небес» напругу живлення. Позначка в 2400 МГц підкорилася при досить типових для цього режиму показниках: 13-13-13-34 і 1,65 В. Варто додати, що й з перегріванням чіпів пам'яті також не було ніяких проблем.

Звичайно, такі результати були досягнуті при тестуванні DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z в одноканальному режимі. Використання другого аналогічного модуля для організації двоканального режиму в підсумку дещо погіршить показники розгону. Однак, як показала практика, саме така конфігурація підсистеми оперативної пам'яті дозволяє вичавити максимум можливостей з комп'ютера.

Тепер залишається тільки дочекатися появи планок DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z на прилавках магазинів. Впевнені, вони стануть хітом продажів у нижчому ціновому сегменті. Адже в них реалізована ідея, з якої, власне, починався оверклокінг: купівля дешевих комплектуючих і подальша оптимізація їхніх параметрів з метою досягнення рівня продуктивності більш дорогих аналогів.

Автор: Сергій Мещанчук
Переклад: Олесь Пахолок

Висловлюємо подяку компанії Strontium за наданий для тестування модуль оперативної пам'яті.

Висловлюємо подяку компаніям ASRock, Intel, Sea Sonic Electronics і ZOTAC за надане для тестового стенду обладнання.