Пошук по сайту

up

Комп'ютерні новини

Всі розділи

Збільшена ємність у 4 рази: 30-нм NAND-пам'ять 512 Гб від Samsung

Як повідомляють закордонні колеги, корейська компанія Samsung Electronics запропонувала перший у світі модуль флеш-пам'яті NAND (об'ємом 64 гігабіт), виконаний по 30-нм технології.

 

Ємність чіпа вчетверо більше ємності тих мікросхем, які випускаються сьогодні. Зараз в серійному виробництві аналогічних модулів використовується 50-нм технологія. Очікується, що серійне виробництво модулів пам'яті за новою технологією почнеться в 2009 році, при цьому ця продукція буде користуватися величезним попитом на ринку флеш-пам'яті - відповідно до звітів аналітиків, обсяги продажів мікрочипів ємністю 64 Гбіт і вище в 2009 - 2011 роках перевищать оцінку в 20 млрд. - досить перспективний ринок для виробників флеш-пам’яті.

 

Розробка заснована на технології MLC ( Multi-Level Cell), коли дані зберігаються в багаторівневих клітинках. Новий чіп об'ємом 8 ГБ дозволить створювати карти форматів SD або CF-II ємністю 128 ГБ (багаторівневі MLC-чіпи передбачається з'єднювать у модулі по 16 штук) або 1, 8-дюймові SSD-накопичувачі ємністю 512 ГБ, які складаються з 64 чіпів. Варто відзначити, що 128 ГБ еквівалентно близько 32 тис. музичним трекам або близько 80 фільмам в DVD-якості. Використовуватися вони будуть переважно для зберігання даних. Таким чином, новинка не буде конкурувати з більш швидкими SLC-чіпами від Samsung, які можуть використовуватися там, де потрібна висока швидкість роботи.

 

Всього 10 місяців назад, у січні цього року, компанія з не меншою радістю повідомляла про створення 16 Гбітного чіпу (тоді виробництво велося за технологією 50 нм). Більшість існуючих твердотілих дисків SSD мають об'єм не вище 80 Гбайт. Такі результати дійсно вражають.

TG Daily