up
ua ru
menu


chieftec_ban_160.gif

Новини: > 2015 > 07 > 07

rss

TSMC створила перший прототип мікросхеми з використанням 10-нм FinFET-технології

Компанія TSMC повідомила про успішне виробництво тестового зразка процесора ARM Cortex-A57 із застосуванням 10-нм FinFET-процесу. Незабаром почнеться стадія пробного виробництва на пілотній лінії. У другій половині 2016 року вона повинна перейти в стадію ризикового виробництва (risk production), після успішного закінчення якої стартує вже масове виробництво.

Перехід з норм 16-нм FinFET на 10-нм FinFET дозволяє збільшити кількість транзисторів на 110%. У плані продуктивності це означає збільшення частот на 20% при збереженні поточного енергоспоживання або ж зниження енергоспоживання на 40% при збереженні поточних частот.

Щоб налагодити виробництво TSMC потрібно буде вкласти близько $1 млрд. Однак інвестиції в модернізацію обладнання окуплять себе надалі, спростивши перехід на норми 7-нм техпроцесу та при освоєнні ще більш тонких технологій.

Відзначимо, що головні конкуренти TSMC також не гають часу даремно. Samsung уже представила 300-мм пластини з 10-нм чіпами усередині. Вона планує почати масовий їхній випуск уже в 2016 році. За неофіційним даними, Intel зможе перейти до масового виробництва 10-нм процесорів лише в 2017 році.

http://wccftech.com
Сергій Буділовський

Новина прочитана 859 раз(ів)

Теги: arm   finfet   intel   samsung   tsmc   


<< попередня новина     наступна новина >>





Социальные комментарии Cackle

Рекомендовані відео:


Пошук на сайті
Поштова розсилка
facebook vk YouTube
google+ twitter rss
top10

vote

Голосування