up
ua ru
menu


chieftec_ban_160.gif

Новини: > 2015 > 08 > 07

rss

Toshiba створила 16-шарову стекову NAND-пам'ять за допомогою технології TSV

Компанія Toshiba повідомила про успішне створення першого у світі 16-шарового чіпа NAND флеш-пам’яті. Для реалізації цього проекту була використана технологія Through Silicon Via (TSV), яка передбачає наявність спеціальних вертикальних електродів. Вони проходять через усю структуру, об’єднуючи всі використовувані ядра флеш-пам'яті в одне ціле.

Toshiba NAND TSV

У результаті такого підходу пропускна здатність (I/O data rate) перевищила 1 Гбіт/с, що вище показника будь-якої існуючої NAND-мікросхеми. При цьому робоча напруга становить 1,2 – 1,8 В (залежно від фізичного розміщення ядер), а зниження споживаної потужності при операціях читання та запису досягає 50%.

Toshiba NAND TSV

Перші прототипи нової стекової пам'яті компанії Toshiba характеризуються загальним обсягом 128 ГБ (8 шарів) і 256 ГБ (16 шарів) при висоті 1,35 і 1,9 мм відповідно. На думку розробників, вони відмінно підходять для використання в різних сферах: від масових користувацьких пристроїв до високопродуктивних SSD-дисків корпоративного класу завдяки низьким затримкам, високій пропускній здатності та відмінній енергоефективності.

Toshiba NAND TSV

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Новина прочитана 857 раз(ів)

Теги: nand   ssd   toshiba   


<< попередня новина     наступна новина >>





Социальные комментарии Cackle

Рекомендовані відео:


Пошук на сайті
Поштова розсилка
facebook vk YouTube
google+ twitter rss
top10

vote

Голосування