up
ua ru
menu


ASUS_Quiz_1.gif

Новини: > 2010 > 08 > 13

rss

Toshiba DDR Toggle Mode NAND – 32-нм флеш-мікросхеми з новим інтерфейсом

Компанія Toshiba представила нові флеш-мікросхеми DDR Toggle Mode NAND, які виготовлені за 32-нм технологічним процесом та володіють значно кращими швидкісними характеристиками в порівнянні з попередниками. Об’єм новинок залежатиме від технології виготовлення – однорівневої структури комірок (SLC) чи багаторівневої (MLC).

Специфікація  Toshiba DDR Toggle Mode 1.0 передбачає передачу даних на швидкості 133 Мб/с, що значно перевищує показник 40 Мб/с, який характерний для звичайних SLC мікросхем. Ще однією суттєвою перевагою є використання асинхронного інтерфейсу, який не потребує сигналу синхронізації, тому суттєво спрощується дизайн та зменшується потужність споживання.

Компанія Toshiba не планує заспокоюватися на досягнутому та вже почала створювати новий стандарт DDR Toggle Mode 2.0, який передбачає виготовлення втричі швидших мікросхем (400 Мб/с), ніж передбачено попередньою специфікацією, та в десятеро швидших ніж існуючі на сьогодні чіпи. Таблиця характеристик нових мікросхем Toshiba DDR Toggle Mode NAND виглядає ось так:

Об’єм, ГБ

SLC

4 / 8 / 16

MLC

8 / 16 / 32

Розмір блоку, МБ

1

Тип корпусу

132 BGA

Напруга живлення (Vcc), В

2,7 – 3,6

Додаткова напруга живлення (VccQ), В

1,8 / 3,3

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshiba.com
Сергій Буділовський

Новина прочитана 250 раз(ів)



<< попередня новина     наступна новина >>

Социальные комментарии Cackle

Рекомендовані відео:


Пошук на сайті
Поштова розсилка
top10

vote

Голосування