Комп'ютерні новини
Всі розділи
Samsung перерозподіляє виробництво NAND на DRAM на корейських заводах
Samsung готує значні зміни у своїй виробничій стратегії пам'яті. Це рішення обумовлене постійним зростанням попиту на DRAM, який стимулюється розвитком глобальної інфраструктури штучного інтелекту.
Згідно з корейськими галузевими звітами, компанія планує перевести частину своїх ліній флешпам'яті NAND у Пхьонтеку та Хвасоні на виробництво DRAM. Крім того, її майбутня фабрика Pyeongtaek Fab 4 (P4) буде запущена як лінія, виключно орієнтована на DRAM, використовуючи новітній процес 1c від Samsung.
Джерела в галузі зазначають, що Samsung стала обережною щодо ринку NAND, тоді як попит на стандартну DRAM різко зріс. Ціни швидко зростають; деякі клієнти серверів пропонують на 70% вищі ціни за модулі DDR5 об'ємом 96 ГБ та 128 ГБ, але все ще відчувають дефіцит постачання. Великі технологічні компанії очікують, що дефіцит триватиме роками, і вже ведуть переговори про розподіл DRAM на 2027 рік.
Наразі Samsung виробляє як DRAM, так і NAND на заводах Pyeongtaek Fab 1, Pyeongtaek Fab 3 та у своєму кампусі Хвасон. Гібридні лінії на заводах P1 та Хвасон будуть більше орієнтовані на DRAM, оскільки обладнання NAND буде поступово виводитися з експлуатації. Fab 4, яка зараз знаходиться на завершальній стадії будівництва, наступного року стартує як спеціалізована лінія 1c DRAM. Samsung також розглядає можливість використання другої зони P4, спочатку запланованої для ливарного виробництва, також для DRAM. Після впровадження змін очікується, що виробництво DRAM на заводах P1 та Fab 4 значно зросте вже у першій половині наступного року. Скорочення виробництва NAND у Кореї буде компенсовано збільшенням виробництва на заводі Samsung у Сіані, Китай.
